ON Semiconductor

分立半导体

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分立半导体
(4) IGBT
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新产品
ON Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 116 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTH4L020N090SC1
  • RMB213.19个
  • 另提供行业标准包装
ON Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 116 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTH4L020N090SC1
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流116 A
  • 最大漏源电压900 V
  • 封装类型TO-247-4L
  • 安装类型通孔
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ON Semiconductor NPN双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压100 V 直流
  • RMB6.242
    个 (在毎卷：3000)
ON Semiconductor NPN双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压100 V 直流
  • 晶体管类型NPN
  • 最大直流集电极电流3 A
  • 最大集电极-发射极电压100 V 直流
  • 封装类型LFPAK4
  • 安装类型贴片
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新产品
ON Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 89 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTHL022N120M3S
  • RMB213.85
    毎管：30 个
ON Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 89 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTHL022N120M3S
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流89 A
  • 最大漏源电压1200 V
  • 封装类型TO-247-4L
  • 安装类型通孔
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新产品
ON Semiconductor 1200 V 150 A IGBT, 单管, 3引脚, 通孔安装, N通道
  • RMB69.48个
  • 另提供行业标准包装
ON Semiconductor 1200 V 150 A IGBT, 单管, 3引脚, 通孔安装, N通道
  • 最大连续集电极电流150 A
  • 最大集电极-发射极电压1200 V
  • 最大栅极发射极电压±20V
  • 最大功率耗散714 W
  • 封装类型TO247-3LD
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新产品
ON Semiconductor NPN双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压100 V 直流
  • RMB7.264
    /个 (每包:5个)
  • 另提供行业标准包装
ON Semiconductor NPN双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压100 V 直流
  • 晶体管类型NPN
  • 最大直流集电极电流3 A
  • 最大集电极-发射极电压100 V 直流
  • 封装类型LFPAK4
  • 安装类型贴片
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新产品
ON Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 89 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTHL022N120M3S
  • RMB236.88个
  • 另提供行业标准包装
ON Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 89 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTHL022N120M3S
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流89 A
  • 最大漏源电压1200 V
  • 封装类型TO-247-4L
  • 安装类型通孔
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ON Semiconductor NPN双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压100 V 直流
  • RMB6.712
    个 (在毎卷：3000)
ON Semiconductor NPN双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压100 V 直流
  • 晶体管类型NPN
  • 最大直流集电极电流3 A
  • 最大集电极-发射极电压100 V 直流
  • 封装类型LFPAK4
  • 安装类型贴片
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新产品
ON Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 54 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTH4L040N120M3S
  • RMB89.85
    毎管：30 个
ON Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 54 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTH4L040N120M3S
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流54 A
  • 最大漏源电压1200 V
  • 封装类型TO-247-4L
  • 安装类型通孔
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ON Semiconductor NPN双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流8 A, 最大集电极-发射电压80 V 直流
  • RMB6.644
    个 (在毎卷：3000)
ON Semiconductor NPN双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流8 A, 最大集电极-发射电压80 V 直流
  • 晶体管类型NPN
  • 最大直流集电极电流8 A
  • 最大集电极-发射极电压80 V 直流
  • 封装类型LFPAK4
  • 安装类型贴片
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新产品
ON Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 116 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTH4L020N090SC1
  • RMB183.059
    毎管：450 个
ON Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 116 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTH4L020N090SC1
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流116 A
  • 最大漏源电压900 V
  • 封装类型TO-247-4L
  • 安装类型通孔
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ON Semiconductor PNP双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流8 A, 最大集电极-发射电压-80 伏直流
  • RMB7.738
    /个 (每包:5个)
  • 另提供行业标准包装
ON Semiconductor PNP双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流8 A, 最大集电极-发射电压-80 伏直流
  • 晶体管类型PNP
  • 最大直流集电极电流8 A
  • 最大集电极-发射极电压-80 伏直流
  • 封装类型LFPAK4
  • 安装类型贴片
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ON Semiconductor 1200 V 150 A IGBT, 单管, 3引脚, 通孔安装, N通道
  • RMB59.648
    毎管：30 个
ON Semiconductor 1200 V 150 A IGBT, 单管, 3引脚, 通孔安装, N通道
  • 最大连续集电极电流150 A
  • 最大集电极-发射极电压1200 V
  • 最大栅极发射极电压±20V
  • 最大功率耗散714 W
  • 配置单
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新产品
ON Semiconductor 1200 V 200 A IGBT, 单管, 3引脚, 通孔安装, N通道
  • RMB94.06个
  • 另提供行业标准包装
ON Semiconductor 1200 V 200 A IGBT, 单管, 3引脚, 通孔安装, N通道
  • 最大连续集电极电流200 A
  • 最大集电极-发射极电压1200 V
  • 最大栅极发射极电压±20V
  • 最大功率耗散1.07 kW
  • 配置单
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ON Semiconductor NPN双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压100 V 直流
  • RMB7.818
    /个 (每包:5个)
  • 另提供行业标准包装
ON Semiconductor NPN双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压100 V 直流
  • 晶体管类型NPN
  • 最大直流集电极电流3 A
  • 最大集电极-发射极电压100 V 直流
  • 封装类型LFPAK4
  • 安装类型贴片
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新产品
ON Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 54 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTH4L040N120M3S
  • RMB104.62个
  • 另提供行业标准包装
ON Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 54 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTH4L040N120M3S
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流54 A
  • 最大漏源电压1200 V
  • 封装类型TO-247-4L
  • 安装类型通孔
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新产品
ON Semiconductor PNP双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流8 A, 最大集电极-发射电压-80 伏直流
  • RMB6.644
    个 (在毎卷：3000)
ON Semiconductor PNP双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流8 A, 最大集电极-发射电压-80 伏直流
  • 晶体管类型PNP
  • 最大直流集电极电流8 A
  • 最大集电极-发射极电压-80 伏直流
  • 封装类型LFPAK4
  • 安装类型贴片
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新产品
ON Semiconductor 1200 V 200 A IGBT, 单管, 3引脚, 通孔安装, N通道
  • RMB80.789
    毎管：30 个
ON Semiconductor 1200 V 200 A IGBT, 单管, 3引脚, 通孔安装, N通道
  • 最大连续集电极电流200 A
  • 最大集电极-发射极电压1200 V
  • 最大栅极发射极电压±20V
  • 最大功率耗散1.07 kW
  • 封装类型TO247-3LD
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ON Semiconductor PNP双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压-100 伏直流
  • RMB7.896
    /个 (每包:5个)
  • 另提供行业标准包装
ON Semiconductor PNP双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压-100 伏直流
  • 晶体管类型PNP
  • 最大直流集电极电流3 A
  • 最大集电极-发射极电压-100 伏直流
  • 封装类型LFPAK4
  • 安装类型贴片
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新产品
ON Semiconductor PNP双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压-100 伏直流
  • RMB6.779
    个 (在毎卷：3000)
ON Semiconductor PNP双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压-100 伏直流
  • 晶体管类型PNP
  • 最大直流集电极电流3 A
  • 最大集电极-发射极电压-100 伏直流
  • 封装类型LFPAK4
  • 安装类型贴片
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新产品
ON Semiconductor NPN双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流8 A, 最大集电极-发射电压80 V 直流
  • RMB7.738
    /个 (每包:5个)
  • 另提供行业标准包装
ON Semiconductor NPN双极晶体管, LFPAK4封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流8 A, 最大集电极-发射电压80 V 直流
  • 晶体管类型NPN
  • 最大直流集电极电流8 A
  • 最大集电极-发射极电压80 V 直流
  • 封装类型LFPAK4
  • 安装类型贴片
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