Toshiba

半导体

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描述
产品详情
  • RMB45.03
Toshiba 600 V 50A IGBT, 3引脚, 通孔安装, N通道, 1MHz
  • 最大连续集电极电流50A
  • 最大集电极-发射极电压600 V
  • 最大栅极发射极电压±25V
  • 最大功率耗散230 瓦
  • 封装类型TO-3P
查看更多类似产品 IGBT
  • RMB44.629
    毎管:25 个
Toshiba 600 V 50A IGBT, 3引脚, 通孔安装, N通道, 1MHz
  • 最大连续集电极电流50A
  • 最大集电极-发射极电压600 V
  • 最大栅极发射极电压±25V
  • 最大功率耗散230 瓦
  • 封装类型TO-3P
查看更多类似产品 IGBT
  • RMB10.663
    /个 (每包:8个)
Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 7 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, TK7P60W,RVQ(S
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流7 A
  • 最大漏源电压600 V
  • 封装类型DPAK (TO-252)
  • 系列TK
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB8.749
    个 (在毎卷:2000)
Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 7 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, TK7P60W,RVQ(S
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流7 A
  • 最大漏源电压600 V
  • 封装类型DPAK (TO-252)
  • 系列TK
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB6.426
    /个 (每包:5个)
Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 7 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, TK7P60W,RVQ(S
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流7 A
  • 最大漏源电压600 V
  • 封装类型DPAK (TO-252)
  • 系列U-MOSVIII-H
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB43.41
东芝 音频放大器, HZIP封装, 类型:音频功率放大器, 25引脚, 49W最大功率
  • 放大器类型音频功率放大器
  • 应用汽车
  • 最大功率49W
  • 安装类型通孔
  • 每片芯片通道数目4
查看更多类似产品 音频功放芯片
  • RMB24.265
    /个 (每包:2个)
Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 9 A, TO-3PN, 通孔安装, 3引脚, 2SK3878(F)
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流9 A
  • 最大漏源电压900 V
  • 系列2SK
  • 封装类型TO-3PN
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB21.508
    /个 (每包:5个)
Toshiba NPN晶体管, TO-3PL封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流15 A, 最大集电极-发射电压230 V
  • 晶体管类型NPN
  • 最大直流集电极电流15 A
  • 最大集电极-发射极电压230 V
  • 封装类型TO-3PL
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 双极型晶体管
  • RMB17.662
    /个 (每包:5个)
Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 20 A, TO-220SIS, 通孔安装, 3引脚, TK20A60W,S5VX(M
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流20 A
  • 最大漏源电压600 V
  • 封装类型TO-220SIS
  • 系列TK
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB15.231
    毎管:50 个
Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 20 A, TO-220SIS, 通孔安装, 3引脚, TK20A60W,S5VX(M
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流20 A
  • 最大漏源电压600 V
  • 封装类型TO-220SIS
  • 系列TK
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB33.547
    /个 (每包:3个)
Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 20 A, TO-220SIS, 通孔安装, 3引脚, TK20A60W,S5VX(M
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流20 A
  • 最大漏源电压600 V
  • 系列TK
  • 封装类型TO-220SIS
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB23.74
    /个 (每包:2个)
Toshiba PNP晶体管, 2-21F1A封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流15 A, 最大集电极-发射电压230 V
  • 晶体管类型PNP
  • 最大直流集电极电流15 A
  • 最大集电极-发射极电压230 V
  • 封装类型2-21F1A
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 双极型晶体管
  • RMB2.842
    /个 (每包:10个)
Toshiba JFET, N通道, 贴片安装, SOT-346 (SC-59)封装, Vds=10 V, 3引脚, Idss: 1.2 to 3.0mA, 2SK209-Y(TE85L,F)
  • 通道类型N
  • Idss 漏-源切断电流1.2 to 3.0mA
  • 最大漏源电压10 V
  • 最大栅源电压-30 V
  • 最大漏门电压-50V
查看更多类似产品 JFET
  • RMB32.245
    /个 (每包:2个)
Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 31 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, TK31N60W,S1VF(S
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流31 A
  • 最大漏源电压600 V
  • 系列DTMOSIV
  • 封装类型TO-247
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB21.70
Toshiba 高侧开关电源芯片, 40 V, 8输出, 24引脚, 1.2W, 贴片安装, TPD2005F(EL,F)
  • 电源开关类型高侧
  • 电源开关拓扑高侧
  • 开关接通电阻值1.2Ω
  • 最大工作电源电压40 V
  • 输出数目8
查看更多类似产品 开关电源芯片
  • RMB12.54
    /个 (每包:2个)
Toshiba 直流有刷电机驱动芯片, 全桥输出, HSOP封装
  • 电动机类型刷式直流
  • 输出配置全桥
  • 最大IGBT集电极电流2.5A
  • 最大电源电压50 V
  • 最大集电极-发射极电压30 V
查看更多类似产品 电机驱动芯片
  • RMB24.99
Toshiba PNP晶体管, TO-3PL封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-15 A, 最大集电极-发射电压-230 V
  • 晶体管类型PNP
  • 最大直流集电极电流-15 A
  • 最大集电极-发射极电压-230 V
  • 封装类型TO-3PL
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 双极型晶体管
  • RMB17.554
    毎管:100 个
Toshiba PNP晶体管, TO-3PL封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-15 A, 最大集电极-发射电压-230 V
  • 晶体管类型PNP
  • 最大直流集电极电流-15 A
  • 最大集电极-发射极电压-230 V
  • 封装类型TO-3PL
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 双极型晶体管
  • RMB37.14
Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 39 A, TO-220SIS, 通孔安装, 3引脚, TK39A60W,S4VX(M
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流39 A
  • 最大漏源电压600 V
  • 系列DTMOSIV
  • 封装类型TO-220SIS
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB0.50
    /个 (每包:5个)
Toshiba 贴片开关二极管, SOT-346 (SC-59), 3引脚, 串行, 1SS226(TE85L,F)
  • 二极管配置串行
  • 每片芯片元件数目2
  • 安装类型贴片
  • 封装类型SOT-346 (SC-59)
  • 二极管技术硅结型
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