Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 29 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚

  • RS 库存编号 134-9159
  • 制造商零件编号 SIR632DP-T1-RE3
  • 制造商 Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 MOSFET,TrenchFET 高达 Gen III,Vishay Semiconductor

客制化产品,不可取消或退货,遵循RS销售条款。

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 29 A
最大漏源电压 150 V
封装类型 PowerPAK SO-8
安装类型 贴片
引脚数目 8
最大漏源电阻值 41 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 69.5 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
最高工作温度 +150 °C
长度 6.25mm
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V
宽度 5.26mm
当前暂无库存,可于2025-10-03发货,5 工作日送达。
单价(不含税) 个 (在毎卷:3000)
RMB 4.825
(不含税)
RMB 5.452
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
3000 - 12000
RMB4.825
RMB14,475.00
15000 +
RMB4.681
RMB14,043.00
* 参考价格