Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=60 V, 100 A, SO封装, 表面贴装, 8引脚
- RS 库存编号 134-9720
- 制造商零件编号 SIR626DP-T1-RE3
- 制造商 Vishay
产品详细信息
N 通道 MOSFET，TrenchFET Gen IV，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SO |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 2.6 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 104 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 68 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 6.25mm |
| 宽度 | 5.26mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
此产品已停售
