Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 29 A, PowerPAK SO-8封装, 贴片, 8引脚
- RS 库存编号 134-9723
- 制造商零件编号 SIR632DP-T1-RE3
- 制造商 Vishay
产品详细信息
N 通道 MOSFET，TrenchFET 高达 Gen III，Vishay Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 29 A |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 封装类型 | PowerPAK SO-8 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 41 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 69.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 6.25mm |
| 宽度 | 5.26mm |
285 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
9.166
(不含税)
RMB
10.358
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 +
RMB9.166
RMB45.83
* 参考价格
包装方式：
