Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 34.4 A, SO封装, 表面贴装, 8引脚

  • RS 库存编号 134-9729
  • 制造商零件编号 SIR690DP-T1-RE3
  • 制造商 Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 MOSFET,TrenchFET 高达 Gen III,Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 34.4 A
最大漏源电压 200 V
封装类型 SO
安装类型 贴片
引脚数目 8
最大漏源电阻值 39 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 104 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
最高工作温度 +150 °C
长度 6.25mm
典型栅极电荷@Vgs 31.9 nC @ 10 V
每片芯片元件数目 1
宽度 5.26mm
此产品已停售