onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 500 mA, SOT-363, 贴片安装, 6引脚, FDG6303N
- RS 库存编号 739-0189
- 制造商零件编号 FDG6303N
- 制造商 onsemi
产品详细信息
增强模式双 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
半导体 MOSFET 晶体管，半
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 500 mA |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 封装类型 | SOT-363 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 770 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.65V |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | +8 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.64 nC @ 5 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 宽度 | 1.25mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 2mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
2625 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
2.346
(不含税)
RMB
2.651
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 745
RMB2.346
RMB11.73
750 - 1495
RMB2.278
RMB11.39
1500 +
RMB2.21
RMB11.05
* 参考价格
包装方式：
