Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 7.5 A, PowerPAK SO封装, 表面贴装, 8引脚
- RS 库存编号 787-9345
- 制造商零件编号 SIR698DP-T1-GE3
- 制造商 Vishay
产品详细信息
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 7.5 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | PowerPAK SO |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 230 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 23 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 宽度 | 5.26mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 6.25mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
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