Maxim Integrated SRAM 控制器单元, SO封装, 8引脚, 最长传播延迟时间10ns
- RS 库存编号 190-6691
- 制造商零件编号 DS1312S-2+
- 制造商 Maxim Integrated
产品技术参数资料
产品详细信息
将 CMOS SRAM 转换为非易失性存储器
当 VCC 超出容差时，无条件写保护 SRAM
当 VCC 电源发生故障时、自动切换到备用电池
监控锂电池的电压、并提供即将发生电池故障的 Advanced warning
信号电池低电量状态的活动电池低电量警告输出信号
可选 5% 或 10% 电源故障检测
节省空间的 8 引脚 DIP 和 SOIC 封装
可选的 16 针 SOIC 和 20 针 TSSOP 版本在发生电源故障时重置处理器、并在系统开机时将处理器保持在重置状态
工业温度范围： -40°C 至 +85°C
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大备份电池电压 | 6V |
| 写入保护控制 | 是 |
| 最长传播延迟时间 | 10ns |
| 安装类型 | 贴片 |
| 封装类型 | SO |
| 引脚数目 | 8 |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm |
| 长度 | 5mm |
| 宽度 | 4mm |
| 高度 | 1.5mm |
| 最大工作电源电压 | 5.5 V |
| 最高工作温度 | +85°C |
| 最小工作电源电压 | 4.5 V |
12 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） 个
RMB
88.55
(不含税)
RMB
100.06
(含税)
单位
Per unit
1 +
RMB88.55
包装方式：
