双极型晶体管

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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
RS 库存编号 122-0087
制造商零件编号MJ15024G
品牌onsemi
RMB36.431
Each (In a Tray of 100)
单位
NPN 16 A 250 V TO-204 通孔 250 W - 400 V 5 V 4 MHz 3 1 -
RS 库存编号 544-9646
制造商零件编号MJ15024G
品牌onsemi
RMB53.49
单位
NPN 16 A 250 V TO-204 通孔 250 W - 400 V 5 V 4 MHz 3 1 -
RS 库存编号 601-1517
制造商零件编号2SC2240-BL(F)
品牌Toshiba
RMB1.899
/个 (每包:10个)
单位
NPN 100 mA 120 V TO-92 通孔 300 mW - - 120 V 5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 739-0335
制造商零件编号SS8050DTA
品牌onsemi
RMB2.296
/个 (每包:10个)
单位
NPN 1.5 A 25 V TO-92 通孔 1 W 120, 160 40 V 6 V - 3 1 -
RS 库存编号 145-5537
制造商零件编号SS8050DTA
品牌onsemi
RMB0.674
Each (On a Tape of 2000)
单位
NPN 1.5 A 25 V TO-92 通孔 1 W 120, 160 40 V 6 V - 3 1 -
RS 库存编号 739-0307
制造商零件编号SS8050DBU
品牌onsemi
RMB1.804
/个 (每包:10个)
单位
NPN 1.5 A 25 V TO-92 通孔 1 W - 40 V 6 V - 3 1 -
RS 库存编号 296-267
制造商零件编号MJ15003G
品牌onsemi
RMB70.79
单位
NPN 20 A 140 V TO-204AA 通孔 250 W - 140 V 5 V 2 MHz 2 1 -
RS 库存编号 793-0753
制造商零件编号MMBT3904LT3G
品牌onsemi
RMB0.253
/个 (每包:200个)
单位
NPN 900 mA 40 V SOT-23 表面贴装 300 mW 100 60 V 直流 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 103-2948
制造商零件编号MMBT3904LT1G
品牌onsemi
RMB0.172
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 200 mA 40 V SOT-23 表面贴装 300 mW 100 60 V 6 V 300 MHz 3 1 -
RS 库存编号 545-0343
制造商零件编号MMBT3904LT1G
品牌onsemi
RMB0.732
/个 (每包:50个)
单位
NPN 200 mA 40 V SOT-23 贴片 300 mW 100 60 V 6 V 300 MHz 3 1 -
RS 库存编号 170-3540
制造商零件编号MMBT3904LT3G
品牌onsemi
RMB0.109
个 (在毎卷:10000)
单位
NPN 900 mA 40 V SOT-23 表面贴装 300 mW 100 60 V 直流 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 774-3574
制造商零件编号MJE243G
品牌onsemi
RMB4.019
/个 (每包:10个)
单位
NPN 4 A 100 V TO-225 通孔 15 W 40 100 V 7 V 10 MHz 3 1 -
RS 库存编号 163-0961
制造商零件编号MJE243G
品牌onsemi
RMB2.354
个 (以毎盒:500)
单位
NPN 4 A 100 V TO-225 通孔 15 W 40 100 V 7 V 10 MHz 3 1 -
RS 库存编号 805-1104
制造商零件编号2N5551TA
品牌onsemi
RMB0.643
/个 (每包:200个)
单位
NPN 600 mA 160 V TO-92 通孔 625 mW - 180 V 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 166-3209
制造商零件编号2N5551TF
品牌onsemi
RMB0.363
个 (在毎卷:2000)
单位
NPN 600 mA 160 V TO-92 通孔 625 mW 80 180 V 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 805-1100
制造商零件编号2N5551BU
品牌onsemi
RMB0.754
/个 (每包:200个)
单位
NPN 600 mA 160 V TO-92 通孔 625 mW - 180 V 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 166-2959
制造商零件编号2N5551BU
品牌onsemi
RMB0.315
个 (以毎袋:10000)
单位
NPN 600 mA 160 V TO-92 通孔 625 mW - 180 V 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 922-7695
制造商零件编号FMMT493TA
品牌DiodesZetex
RMB0.78
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 1 A 100 V SOT-23 表面贴装 500 mW 100 120 V 5 V 150 MHz 3 1 -
RS 库存编号 805-1113
制造商零件编号2N5551TF
品牌onsemi
RMB0.643
/个 (每包:200个)
单位
NPN 600 mA 160 V TO-92 通孔 625 mW 80 180 V 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 274-885
制造商零件编号FMMT493TA
品牌DiodesZetex
RMB2.537
/个 (每包:10个)
单位
NPN 1 A 100 V SOT-23 表面贴装 500 mW 100 120 V 5 V 150 MHz 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么?

双极型晶体管,也叫双极性晶体管、晶体三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管:由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体(基极)组成。输入到基极的微小电流将被放大,产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压,并且集电极电压高于基极电压,则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中,晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流,是发射极注入到基极区域的电子(在基极区域为少数载流子),在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高,因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管:由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说,当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时,集电极电压低于基极,晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管,如onsemiNexperiaDiodesZetexROHMInfineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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