STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET II系列, Vds=60 V, 60 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 60 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 16 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 150 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
宽度 4.6mm
典型栅极电荷@Vgs 49 nC @ 10 V
长度 10.4mm
最高工作温度 +175 °C
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 1
1850 现货库存,2024-03-29 发货。
单价(不含税) 毎管:50 个
原价 RMB492.61
RMB 8.374
(不含税)
RMB 9.463
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
50 - 50
RMB8.374
RMB418.70
100 - 150
RMB8.123
RMB406.15
200 +
RMB7.88
RMB394.00
* 参考价格