MOSFET

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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
RS 库存编号 178-3720
制造商零件编号SQJ504EP-T1_GE3
RMB4.665
个 (在毎卷:3000)
单位
N,P 30 A 40 V PowerPak SO-8L Dual 30 mΩ - 贴片 4 ±20 V 增强 2.5V 1.5V 34 w 、 34 w -
RS 库存编号 178-3721
制造商零件编号SQJ872EP-T1_GE3
RMB4.665
个 (在毎卷:3000)
单位
N 24.5 A 150 V PowerPAK SO-8L 80 mΩ - 贴片 4 ±20 V 增强 2.5V 3.5V 55 W
RS 库存编号 178-3709
制造商零件编号SQA401EEJ-T1_GE3
RMB1.528
个 (在毎卷:3000)
单位
P 2.68 A 20 V SC-70-6L 200 mΩ - 贴片 6 ±8 V 增强 1.5V 0.6V 13.6 W
RS 库存编号 178-3710
制造商零件编号SQA403EJ-T1_GE3
RMB1.528
个 (在毎卷:3000)
单位
P 10 A 30 V SC-70-6L 30 mΩ - 贴片 6 ±20 V 增强 2.5V 1.5V 13.6 W
RS 库存编号 178-3717
制造商零件编号SQJ415EP-T1_GE3
RMB3.202
个 (在毎卷:3000)
单位
P 30 A 40 V PowerPAK SO-8L 20 mΩ - 贴片 4 ±20 V 增强 2.5V 1.5V 45 W
RS 库存编号 178-3719
制造商零件编号SQJ481EP-T1_GE3
RMB3.201
个 (在毎卷:3000)
单位
P 16 A 80 V PowerPAK SO-8L 90 mΩ - 贴片 4 ±20 V 增强 2.5V 1.5V 45 W
RS 库存编号 178-3718
制造商零件编号SQJ431AEP-T1_GE3
RMB5.855
个 (在毎卷:3000)
单位
P 9.4 A 200 V PowerPAK SO-8L 760 mΩ - 贴片 4 ±20 V 增强 3.5V 2.5V 68 W
RS 库存编号 178-3691
制造商零件编号SIRC06DP-T1-GE3
RMB3.252
个 (在毎卷:3000)
单位
N 60 A 30 V PowerPAK SO-8 4 mΩ - 贴片 8 -16 V,+20 V 增强 1V 2.1V 50 W

MOSFET

MOSFET是什么?

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
  • NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
  • 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如InfineonVishayON SemiconductorDiodesZetexSTMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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