德州仪器

分立半导体

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分立半导体
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描述
产品详情
  • RMB1.905
    个 (在毎卷:5000)
德州仪器 单向TVS二极管阵列, 贴片安装, 最小击穿20V, SON封装, 复杂阵列配置, TPD4S012DRYR
  • 二极管配置复杂阵列
  • 方向类型单向
  • 最小击穿电压20V
  • 安装类型贴片
  • 封装类型SON
查看更多类似产品 TVS二极管
  • RMB2.539
    个 (在毎卷:2500)
德州仪器 达林顿晶体管, NPN三极管, 140 mA, SOIC封装, 贴片, 16引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流140 mA
  • 最大集电极-发射极电压8 V
  • 封装类型SOIC
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB1.009
    个 (在毎卷:3000)
  • RMB3.47
    个 (以毎盒:1800)
德州仪器 恒流二极管, 最大10mA, 最大40V, TO-92封装, 工作温度 0 °C至 +70 °C, 3引脚
  • 二极管配置单路
  • 每片芯片元件数目1
  • 最大调节器电流10mA
  • 最大峰值工作电压40V
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 恒流二极管
  • RMB1.569
    个 (在毎卷:4000)
Low Capacitance ESD Protection Array
  • 二极管配置复杂阵列
  • 方向类型单向
  • 最大钳位电压100V
  • 最小击穿电压11V
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 TVS二极管
  • RMB7.114
    毎管:40 个
德州仪器 达林顿晶体管, NPN三极管, 500 mA, SOIC封装, 表面贴装, 16引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流500 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 封装类型SOIC
  • 安装类型表面贴装
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB13.444
    个 (在毎卷:1800)
德州仪器 可编程电流源, 最大10mA, 最大40V, TO-92封装, 工作温度 -25 °C至 +100 °C, 3引脚
  • 二极管配置单路
  • 每片芯片元件数目1
  • 最大调节器电流10mA
  • 最大峰值工作电压40V
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 恒流二极管
  • RMB5.155
    个 (在毎卷:2500)
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, CSD18533Q5A
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流100 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 系列NexFET
  • 封装类型VSONP
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB6.146
    毎管:95 个
德州仪器 恒流二极管, 最大10mA, 最大40V, SOIC封装, 工作温度 0 °C至 +70 °C, 8引脚
  • 二极管配置单路
  • 最大调节器电流10mA
  • 每片芯片元件数目1
  • 最大峰值工作电压40V
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 恒流二极管
  • RMB5.76
    毎管:40 个
德州仪器 达林顿晶体管, NPN三极管, 500 mA, SOIC封装, 表面贴装, 16引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流500 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 封装类型SOIC
  • 安装类型表面贴装
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB3.569
    个 (在毎卷:250)
  • RMB1.681
    个 (在毎卷:3000)
德州仪器 单向ESD保护阵列, 贴片安装, 最大钳位100V, 最小击穿11V, UQFN封装, 复杂阵列配置, TPD6E001RSER
  • 二极管配置复杂阵列
  • 方向类型单向
  • 最大钳位电压100V
  • 最小击穿电压11V
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 TVS二极管
  • RMB27.155
    毎管:50 个
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 273 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19506KCS
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流273 A
  • 最大漏源电压80 V
  • 系列NexFET
  • 封装类型TO-220
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB26.402
    毎管:50 个
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 259 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19536KCS
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流259 A
  • 最大漏源电压100 V
  • 系列NexFET
  • 封装类型TO-220
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  • RMB34.063
    个 (在毎卷:50)
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 272 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, CSD19536KTTT
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流272 A
  • 最大漏源电压100 V
  • 封装类型D2PAK (TO-263)
  • 系列NexFET
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB4.595
    个 (在毎卷:2500)
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 75 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, CSD18504Q5A
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流75 A
  • 最大漏源电压40 V
  • 系列NexFET
  • 封装类型VSONP
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB6.948
    个 (在毎卷:2500)
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 134 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, CSD18531Q5A
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流134 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 系列NexFET
  • 封装类型VSONP
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  • RMB8.96
    毎管:50 个
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19534KCS
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流100 A
  • 最大漏源电压100 V
  • 封装类型TO-220
  • 系列NexFET
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB13.474
    /个 (每包:5个)
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 134 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, CSD18531Q5A
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流134 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 系列NexFET
  • 封装类型VSONP
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB1.457
    个 (在毎卷:3000)
德州仪器 单向ESD保护阵列, 贴片安装, 最大钳位100V, 最小击穿11V, SOT-23封装, 复杂阵列配置, TPD4E001DBVR
  • 二极管配置复杂阵列
  • 方向类型单向
  • 最大钳位电压100V
  • 最小击穿电压11V
  • 安装类型贴片
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