英飞凌半导体| RS

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RMB33.105 /个 (每包:4个) 另提供行业标准包装实时库存查询比较	英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 375 A, DirectFET ISOMETRIC, 贴片安装, IRF7749L1TRPBF 通道类型N 最大连续漏极电流375 A 最大漏源电压60 V 封装类型DirectFET ISOMETRIC 系列DirectFET, HEXFET 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 907-5205 品牌英飞凌制造商零件编号 IRF7749L1TRPBF
RMB0.663 个 (在毎卷：3000) 实时库存查询比较	英飞凌 P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 330 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚通道类型P 最大连续漏极电流330 mA 最大漏源电压60 V 系列SIPMOS 封装类型SOT-23 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 145-8801 品牌英飞凌制造商零件编号 BSS83PH6327XTSA1
RMB16.30 /个 (每包:2个) 另提供行业标准包装实时库存查询比较	英飞凌 MOSFET 驱动器双路半桥, 0.6A, 8引脚 SOIC封装引脚数目8 封装类型SOIC 输出数目2 高压侧和低压侧相关性独立驱动器数目2 查看更多类似产品栅极驱动器	RS 库存编号 716-5501 品牌英飞凌制造商零件编号 AUIRS2003S
RMB2.707 /个 (每包:10个) 另提供行业标准包装实时库存查询比较	英飞凌 P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, IRLML5203TRPBF 通道类型P 最大连续漏极电流3 A 最大漏源电压30 V 系列HEXFET 封装类型SOT-23 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 784-0325 品牌英飞凌制造商零件编号 IRLML5203TRPBF
RMB18.324 /个 (每包:5个) 另提供行业标准包装实时库存查询比较	英飞凌 P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 38 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, IRF5210STRLPBF 通道类型P 最大连续漏极电流38 A 最大漏源电压100 V 系列HEXFET 封装类型D2PAK (TO-263) 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 831-2825 品牌英飞凌制造商零件编号 IRF5210STRLPBF
RMB108.50个另提供行业标准包装实时库存查询比较	英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=700 V, 83 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚通道类型N 最大连续漏极电流83 A 最大漏源电压700 V 系列CoolMOS C6 封装类型TO-247 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 110-7474 品牌英飞凌制造商零件编号 IPW65R037C6FKSA1
RMB2.125 /个 (每包:25个) 另提供行业标准包装实时库存查询比较	英飞凌单向ESD保护二极管, 贴片安装, 最大钳位28V, 最小击穿6V, TSLP封装, 共阳极配置, ESD5V3U2U03LRHE6327XTMA1 二极管配置共阳极方向类型单向最大钳位电压28V 最小击穿电压6V 安装类型贴片查看更多类似产品 TVS二极管	RS 库存编号 823-5651 品牌英飞凌制造商零件编号 ESD5V3U2U03LRHE6327XTMA1
RMB1,662.68个另提供行业标准包装实时库存查询比较	英飞凌 1200 V 150 A IGBT模块, 3 相桥接, 35引脚, 贴片, N通道最大连续集电极电流150 A 最大集电极-发射极电压1200 V 最大栅极发射极电压±20V 最大功率耗散750 W 封装类型EconoPACK 3 查看更多类似产品 IGBT	RS 库存编号 110-7108 品牌英飞凌制造商零件编号 FS150R12KT4BOSA1
RMB5.757 /个 (每包:20个) 另提供行业标准包装实时库存查询比较	英飞凌 N/P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, SOIC, 贴片安装, 8引脚, IRF7319TRPBF 通道类型N，P 最大连续漏极电流4.9 A，6.5 A 最大漏源电压30 V 系列HEXFET 封装类型SOIC 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 826-8879 品牌英飞凌制造商零件编号 IRF7319TRPBF
RMB5.746 /个 (每包:5个) 另提供行业标准包装实时库存查询比较	英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 49 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚通道类型N 最大连续漏极电流49 A 最大漏源电压40 V 系列OptiMOS 3 封装类型TDSON 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 752-8164 品牌英飞凌制造商零件编号 BSC093N04LSGATMA1
RMB11.081 毎管：25 个实时库存查询比较	英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 33 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFP140NPBF 通道类型N 最大连续漏极电流33 A 最大漏源电压100 V 系列HEXFET 封装类型TO-247AC 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 919-4902 品牌英飞凌制造商零件编号 IRFP140NPBF
RMB16.074 毎管：25 个实时库存查询比较	英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 57 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFP3710PBF 通道类型N 最大连续漏极电流57 A 最大漏源电压100 V 系列HEXFET 封装类型TO-247AC 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 919-4918 品牌英飞凌制造商零件编号 IRFP3710PBF
RMB22.08个另提供行业标准包装实时库存查询比较	英飞凌 8引脚MOSFET驱动器, 20V电源, SOIC封装输出电流0.36 A 电源电压20V 引脚数目8 封装类型SOIC 输出数目2 查看更多类似产品栅极驱动器	RS 库存编号 541-2739 品牌英飞凌制造商零件编号 IR2102SPBF
RMB9.155 /个 (每包:10个) 另提供行业标准包装实时库存查询比较	英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 100 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚通道类型N 最大连续漏极电流100 A 最大漏源电压100 V 系列OptiMOS 3 封装类型TDSON 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 906-4359 品牌英飞凌制造商零件编号 BSC070N10NS3GATMA1
RMB11.08 /个 (每包:2个) 另提供行业标准包装实时库存查询比较	英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 21 A, TSDSON, 贴片安装, 8引脚通道类型N 最大连续漏极电流21 A 最大漏源电压150 V 封装类型TSDSON 系列OptiMOS 3 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 754-5389 品牌英飞凌制造商零件编号 BSZ520N15NS3GATMA1
RMB46.854 /个 (每包:5个) 另提供行业标准包装实时库存查询比较	英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 300 A, HSOF-8., 贴片安装, 8引脚通道类型N 最大连续漏极电流300 A 最大漏源电压100 V 封装类型HSOF-8. 系列IPT015N10N5 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 171-1991 品牌英飞凌制造商零件编号 IPT015N10N5ATMA1
RMB22.102 /个 (每包:5个) 实时库存查询比较	英飞凌 P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 38 A, I2PAK (TO-262), 通孔安装, 3引脚, IRF5210LPBF 通道类型P 最大连续漏极电流38 A 最大漏源电压100 V 封装类型I2PAK (TO-262) 系列HEXFET 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 650-3707 品牌英飞凌制造商零件编号 IRF5210LPBF
RMB14.708 个 (在毎卷：1000) 实时库存查询比较	英飞凌直流电机驱动芯片, IFX9201SG系列, 半桥输出, 最大输出10A, DSO封装电动机类型直流配置H 桥输出配置半桥最大输出电流10A 最大电源电压36 V 查看更多类似产品电机驱动芯片	RS 库存编号 170-2281 品牌英飞凌制造商零件编号 IFX9201SGAUMA1
RMB0.541 个 (在毎卷：500) 实时库存查询比较	英飞凌 P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 150 mA, SOT-323, 贴片安装, 3引脚通道类型P 最大连续漏极电流150 mA 最大漏源电压60 V 系列SIPMOS 封装类型SOT-323 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 826-9945 品牌英飞凌制造商零件编号 BSS84PWH6327XTSA1
RMB28.677 个 (在毎卷：1000) 实时库存查询比较	英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 176 A, TO 263, 贴片安装, 3引脚通道类型N 最大连续漏极电流176 A 最大漏源电压100 V 封装类型TO 263 系列IPB020N10N5 查看更多类似产品 MOSFET	RS 库存编号 170-2293 品牌英飞凌制造商零件编号 IPB020N10N5ATMA1

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