双极型晶体管

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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
RS 库存编号 166-3205
制造商零件编号2N5551TA
品牌onsemi
RMB0.363
Each (On a Tape of 2000)
单位
NPN 600 mA 160 V TO-92 通孔 625 mW 80 180 V 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 125-0066
制造商零件编号MJ21193G
品牌onsemi
RMB38.236
Each (In a Tray of 100)
单位
PNP -16 A -250 V TO-204AA 通孔 250 W - -400 V -5 V - 2 1 -
RS 库存编号 862-4979
制造商零件编号MJ21193G
品牌onsemi
RMB50.75
/个 (每包:2个)
单位
PNP -16 A -250 V TO-204AA 通孔 250 W - -400 V -5 V - 2 1 -
RS 库存编号 545-0236
制造商零件编号MJ21194G
品牌onsemi
RMB50.75
单位
NPN 16 A 250 V TO-204 通孔 250 W - 400 V 5 V 4 MHz 3 1 -
RS 库存编号 545-2210
制造商零件编号2N3055G
品牌onsemi
RMB40.70
单位
NPN 15 A 60 V TO-204 通孔 115 W 20 100 V 7 V 2.5 MHz 3 1 -
RS 库存编号 145-8939
制造商零件编号STN9360
RMB3.194
个 (在毎卷:1000)
单位
PNP -500 mA -600 V SOT-223 (SC-73) 表面贴装 1.6 W 120 - -7 V - 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 103-2964
制造商零件编号2N3055G
品牌onsemi
RMB22.162
Each (In a Tray of 100)
单位
NPN 15 A 60 V TO-204AA 通孔 115 W 20 100 V 7 V 2.5 MHz 2 1 -
RS 库存编号 125-0067
制造商零件编号MJ21194G
品牌onsemi
RMB39.946
Each (In a Tray of 100)
单位
NPN 16 A 250 V TO-204 通孔 250 W - 400 V 5 V 4 MHz 3 1 -
RS 库存编号 917-2741
制造商零件编号STN9360
RMB6.111
/个 (每包:25个)
单位
PNP -500 mA -600 V SOT-223 (SC-73) 表面贴装 1.6 W 120 - -7 V - 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 761-3701
制造商零件编号MPSA42
品牌onsemi
RMB1.744
/个 (每包:50个)
单位
NPN 500 mA 300 V TO-92 通孔 625 mW - 300 V 6 V 50 MHz 3 1 -
RS 库存编号 544-9703
制造商零件编号MJ15025G
品牌onsemi
RMB49.11
单位
PNP -16 A -250 V TO-204 通孔 250 W - 400 V 5 V 4 MHz 3 1 -
RS 库存编号 122-0089
制造商零件编号MJ15025G
品牌onsemi
RMB36.259
Each (In a Tray of 100)
单位
PNP -16 A -250 V TO-204 通孔 250 W - 400 V 5 V 4 MHz 3 1 -
RS 库存编号 124-1357
制造商零件编号MPSA42
品牌onsemi
RMB0.656
个 (以毎袋:1000)
单位
NPN 500 mA 300 V TO-92 通孔 625 mW - 300 V 6 V 50 MHz 3 1 -
RS 库存编号 545-0359
制造商零件编号MMBT3906LT1G
品牌onsemi
RMB0.797
/个 (每包:50个)
单位
PNP -200 mA -40 V SOT-23 表面贴装 300 mW 100 40 V 5 V 250 MHz 3 1 -
RS 库存编号 793-0765
制造商零件编号MMBT3906LT3G
品牌onsemi
RMB0.455
Each (On a Tape of 200)
单位
PNP -800 mA -40 V SOT-23 表面贴装 225 mW 100 -40 V 直流 -5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 145-3940
制造商零件编号MMBT3906LT3G
品牌onsemi
RMB0.101
个 (在毎卷:10000)
单位
PNP -800 mA -40 V SOT-23 表面贴装 225 mW 100 -40 V 直流 -5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 168-6075
制造商零件编号BD139
RMB2.978
毎管:50 个
单位
NPN 3 A 80 V SOT-32 通孔 1.25 W 40, 63, 100 80 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 314-1823
制造商零件编号BD139
RMB3.85
单位
NPN 3 A 80 V SOT-32 通孔 1.25 W 40, 63, 100 80 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 178-7577
制造商零件编号MMBT5401LT1G
品牌onsemi
RMB0.169
个 (在毎卷:3000)
单位
PNP -500 mA -150 V SOT-23 表面贴装 300 mW 60 160 V 5 V 300 MHz 3 1 -
RS 库存编号 545-0393
制造商零件编号MMBT5401LT1G
品牌onsemi
RMB1.184
/个 (每包:10个)
单位
PNP -500 mA -150 V SOT-23 表面贴装 300 mW 60 160 V 5 V 300 MHz 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么?

双极型晶体管,也叫双极性晶体管、晶体三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管:由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体(基极)组成。输入到基极的微小电流将被放大,产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压,并且集电极电压高于基极电压,则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中,晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流,是发射极注入到基极区域的电子(在基极区域为少数载流子),在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高,因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管:由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说,当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时,集电极电压低于基极,晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管,如onsemiNexperiaDiodesZetexROHMInfineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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