双极型晶体管

筛选条件

显示 761 - 780 个产品,共 3732 个
每页显示搜索结果
描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
RS 库存编号 671-1107
制造商零件编号BC32740TA
品牌onsemi
RMB1.494
/个 (每包:10个)
单位
PNP -800 mA -45 V TO-92 通孔 625 mW - - 5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 903-4305
制造商零件编号KSC2690AYS
品牌onsemi
RMB3.942
/个 (每包:50个)
单位
NPN 1.2 A 160 V TO-126 通孔 20 W 160 160 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 803-1083
制造商零件编号BC547BBU
品牌onsemi
RMB0.871
/个 (每包:200个)
单位
NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 500 mW 200, 420 50 V 6 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 169-7442
制造商零件编号BC846BLP4-7B
品牌DiodesZetex
RMB0.296
个 (在毎卷:10000)
单位
NPN 100 mA 65 V X2-DFN1006 贴片 1 W 200 80 V 6 V 300 MHz 3 1 -
RS 库存编号 103-5697
制造商零件编号BC817,215
品牌Nexperia
RMB0.157
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 500 mA 45 V SOT-23 (TO-236AB) 表面贴装 250 mW 100 50 V 5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 124-1728
制造商零件编号BC32740TA
品牌onsemi
RMB0.397
个 (在毎卷:2000)
单位
PNP -800 mA -45 V TO-92 通孔 625 mW - - 5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 790-5479
制造商零件编号NSS1C201MZ4T1G
品牌onsemi
RMB3.331
/个 (每包:10个)
单位
NPN 2 A 100 V SOT-223 (SC-73) 贴片 2 W 120 140 V 直流 7 V 1 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 436-8063
制造商零件编号BFS19,215
品牌Nexperia
RMB1.36
/个 (每包:25个)
单位
NPN 30 mA 20 V SOT-23 (TO-236AB) 贴片 250 mW - 30 V 5 V 260 MHz 3 1 -
RS 库存编号 796-9672
制造商零件编号BC337-40 A1
RMB0.971
/个 (每包:250个)
单位
NPN 800mA 45 V TO-92 通孔 625 mW 250 50 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 816-7801
制造商零件编号BFU725F/N1
品牌NXP
RMB1.053
/个 (每包:30个)
单位
NPN 40 mA 2.8 V SOT-343F 贴片 136 mW - 10 V 1 V 12 GHz 4 1 -
RS 库存编号 761-3505
制造商零件编号BC557BTA
品牌onsemi
RMB0.604
/个 (每包:100个)
单位
PNP -100 mA -45 V TO-92 通孔 500 mW - -50 V -5 V 150 MHz 3 1 -
RS 库存编号 168-6173
制造商零件编号TIP50
RMB3.461
毎管:50 个
单位
NPN 1 A 400 V TO-220 通孔 2 W 30 500 V 5 V 10 MHz 3 1 -
RS 库存编号 800-9705
制造商零件编号BSS63LT1G
品牌onsemi
RMB0.403
Each (On a Tape of 250)
单位
PNP -100 mA -100 V SOT-23 贴片 225 mW 30 - - 95 MHz 3 1 -
RS 库存编号 163-2063
制造商零件编号BSS63LT1G
品牌onsemi
RMB0.212
个 (在毎卷:3000)
单位
PNP -100 mA -100 V SOT-23 贴片 225 mW 30 - - 95 MHz 3 1 -
RS 库存编号 739-0486
制造商零件编号KSA940TU
品牌onsemi
RMB5.354
/个 (每包:5个)
单位
PNP -1.5 A -150 V TO-220 通孔 25 W - -150 V -5 V 4 MHz 3 1 -
RS 库存编号 122-0643
制造商零件编号ZXTP2012ZTA
品牌DiodesZetex
RMB2.908
个 (在毎卷:1000)
单位
PNP -4.3 A -60 V SOT-89 贴片 2.1 W 100 -100 V -7 V 120 MHz 3 1 -
RS 库存编号 178-4690
制造商零件编号BC847BDW1T3G
品牌onsemi
RMB0.198
个 (在毎卷:10000)
单位
NPN 100 mA 45 V SOT-363 (SC-88) 贴片 380 mW 200 隔离式 50 V 6 V 100 MHz 6 2 -
RS 库存编号 686-8076
制造商零件编号BD139-10
RMB1.123
/个 (每包:20个)
单位
NPN 3 A 80 V SOT-32 通孔 1250 mW - 80 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 165-9910
制造商零件编号BCX54-10,115
品牌Nexperia
RMB0.677
个 (在毎卷:1000)
单位
NPN 1 A 45 V SOT-89 贴片 1.35 W 63 45 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 170-4177
制造商零件编号BC846B RF
RMB0.198
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 100 mA 65 V SOT-23 贴片 250 mW 200 80 V 6 V - 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么?

双极型晶体管,也叫双极性晶体管、晶体三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管:由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体(基极)组成。输入到基极的微小电流将被放大,产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压,并且集电极电压高于基极电压,则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中,晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流,是发射极注入到基极区域的电子(在基极区域为少数载流子),在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高,因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管:由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说,当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时,集电极电压低于基极,晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管,如onsemiNexperiaDiodesZetexROHMInfineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

欢迎查看和订购RS的双极型晶体管及相关产品,订购现货24小时内发货,线上下单满额免运费。