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双极型晶体管

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显示 61 - 80 个产品，共 3730 个
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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
onsemi NPN晶体管, TO-3PBL封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流15 A, 最大集电极-发射电压350 V
RS 库存编号 463-094
制造商零件编号MJL4281AG
品牌onsemi
RMB38.99
个
单位
 NPN 15 A 350 V TO-3PBL 通孔 230 W - 单 350 V 5 V 35 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-3PBL封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流15 A, 最大集电极-发射电压350 V
RS 库存编号 100-7570
制造商零件编号MJL4281AG
品牌onsemi
RMB33.516
毎管：25 个
单位
 NPN 15 A 350 V TO-3PBL 通孔 230 W - 单 350 V 5 V 35 MHz 3 1 -
onsemi PNP晶体管, TO-3BPL封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-15 A, 最大集电极-发射电压-350 V
RS 库存编号 102-2278
制造商零件编号MJL4302AG
品牌onsemi
RMB34.952
毎管：25 个
单位
 PNP -15 A -350 V TO-3BPL 通孔 230 W - 单 350 V 5 V 35 MHz 3 1 -
onsemi PNP晶体管, TO-3BPL封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-15 A, 最大集电极-发射电压-350 V
RS 库存编号 464-237
制造商零件编号MJL4302AG
品牌onsemi
RMB39.03
个
单位
 PNP -15 A -350 V TO-3BPL 通孔 230 W - 单 350 V 5 V 35 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流600 mA, 最大集电极-发射电压40 V
RS 库存编号 124-1315
制造商零件编号KSP2222ABU
品牌onsemi
RMB0.486
个 (以毎袋：1000)
单位
 NPN 600 mA 40 V TO-92 通孔 625 mW 100 单 75 V 6 V - 3 1 -
STMicroelectronics NPN晶体管, TO-220封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流20 A, 最大集电极-发射电压80 V
RS 库存编号 168-6136
制造商零件编号D44H11
品牌STMicroelectronics
RMB5.85
毎管：50 个
单位
 NPN 20 A 80 V TO-220 通孔 50 W 40 单 80 V 5 V - 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流800mA, 最大集电极-发射电压50 V
RS 库存编号 803-1068
制造商零件编号BC33725TAR
品牌onsemi
RMB0.617
/个 (每包:200个)
单位
 NPN 800mA 50 V TO-92 通孔 625 mW - 单 10 V 5 V 50 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-220AB封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流8 A, 最大集电极-发射电压150 V
RS 库存编号 544-9680
制造商零件编号MJE15030G
品牌onsemi
RMB10.05
个
单位
 NPN 8 A 150 V TO-220AB 通孔 50 W - 单 150 V 5 V 30 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压45 V
RS 库存编号 803-1125
制造商零件编号BC550CTA
品牌onsemi
RMB0.611
/个 (每包:200个)
单位
 NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 500 mW 420 单 50 V 5 V 1 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流800mA, 最大集电极-发射电压45 V
RS 库存编号 671-1116
制造商零件编号BC33725TA
品牌onsemi
RMB1.573
/个 (每包:10个)
单位
 NPN 800mA 45 V TO-92 通孔 625 mW - 单 - 5 V 100 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流800mA, 最大集电极-发射电压50 V
RS 库存编号 169-8605
制造商零件编号BC33725TFR
品牌onsemi
RMB0.404
个 (在毎卷：2000)
单位
 NPN 800mA 50 V TO-92 通孔 625 mW - 单 10 V 5 V 50 MHz 3 1 -
STMicroelectronics NPN晶体管, TO-220封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流10 A, 最大集电极-发射电压60 V
RS 库存编号 168-6073
制造商零件编号MJE3055T
品牌STMicroelectronics
RMB5.89
毎管：50 个
单位
 NPN 10 A 60 V TO-220 通孔 75 W 20 单 70 V 5 V 2 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流800mA, 最大集电极-发射电压45 V
RS 库存编号 124-1731
制造商零件编号BC33725TA
品牌onsemi
RMB0.376
个 (在毎卷：2000)
单位
 NPN 800mA 45 V TO-92 通孔 625 mW - 单 - 5 V 100 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压45 V
RS 库存编号 169-8617
制造商零件编号BC550CTA
品牌onsemi
RMB0.342
Each (On a Tape of 2000)
单位
 NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 500 mW 420 单 50 V 5 V 1 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-220AB封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流8 A, 最大集电极-发射电压150 V
RS 库存编号 125-0072
制造商零件编号MJE15030G
品牌onsemi
RMB8.892
毎管：50 个
单位
 NPN 8 A 150 V TO-220AB 通孔 50 W - 单 150 V 5 V 30 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流800mA, 最大集电极-发射电压50 V
RS 库存编号 803-1061
制造商零件编号BC33725TFR
品牌onsemi
RMB1.059
/个 (每包:200个)
单位
 NPN 800mA 50 V TO-92 通孔 625 mW - 单 10 V 5 V 50 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压45 V
RS 库存编号 169-8615
制造商零件编号BC550CBU
品牌onsemi
RMB0.472
个 (以毎袋：1000)
单位
 NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 500 mW 420 单 50 V 5 V 1 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-204封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流16 A, 最大集电极-发射电压140 V
RS 库存编号 122-0085
制造商零件编号2N3773G
品牌onsemi
RMB34.747
Each (In a Tray of 100)
单位
 NPN 16 A 140 V TO-204 通孔 150 W 15 单 160 V 7 V - 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流800mA, 最大集电极-发射电压50 V
RS 库存编号 178-7544
制造商零件编号BC33725TAR
品牌onsemi
RMB0.383
个 (以毎袋：2000)
单位
 NPN 800mA 50 V TO-92 通孔 625 mW - 单 10 V 5 V 50 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压45 V
RS 库存编号 803-1116
制造商零件编号BC550CBU
品牌onsemi
RMB1.018
/个 (每包:200个)
单位
 NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 500 mW 420 单 50 V 5 V 1 MHz 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么？

双极型晶体管，也叫双极性晶体管、晶体三极管，是一种具有三个终端的电子器件，由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管：由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体（基极）组成。输入到基极的微小电流将被放大，产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压，并且集电极电压高于基极电压，则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中，晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流，是发射极注入到基极区域的电子（在基极区域为少数载流子），在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高，因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管：由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说，当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时，集电极电压低于基极，晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管，如onsemi、Nexperia、DiodesZetex、ROHM、Infineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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