双极型晶体管

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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
RS 库存编号 803-1125
制造商零件编号BC550CTA
品牌onsemi
RMB0.611
/个 (每包:200个)
单位
NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 500 mW 420 50 V 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 178-7544
制造商零件编号BC33725TAR
品牌onsemi
RMB0.383
个 (以毎袋:2000)
单位
NPN 800mA 50 V TO-92 通孔 625 mW - 10 V 5 V 50 MHz 3 1 -
RS 库存编号 544-9680
制造商零件编号MJE15030G
品牌onsemi
RMB10.05
单位
NPN 8 A 150 V TO-220AB 通孔 50 W - 150 V 5 V 30 MHz 3 1 -
RS 库存编号 671-1116
制造商零件编号BC33725TA
品牌onsemi
RMB1.573
/个 (每包:10个)
单位
NPN 800mA 45 V TO-92 通孔 625 mW - - 5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 544-9270
制造商零件编号2N3773G
品牌onsemi
RMB60.11
单位
NPN 16 A 140 V TO-204 通孔 150 W 15 160 V 7 V - 3 1 -
RS 库存编号 125-0072
制造商零件编号MJE15030G
品牌onsemi
RMB8.892
毎管:50 个
单位
NPN 8 A 150 V TO-220AB 通孔 50 W - 150 V 5 V 30 MHz 3 1 -
RS 库存编号 169-8617
制造商零件编号BC550CTA
品牌onsemi
RMB0.342
Each (On a Tape of 2000)
单位
NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 500 mW 420 50 V 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 168-6170
制造商零件编号TIP32C
RMB3.915
毎管:50 个
单位
PNP -3 A -100 V TO-220 通孔 2 W 10 100 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 166-0256
制造商零件编号PBSS4480X,135
品牌Nexperia
RMB1.555
个 (在毎卷:4000)
单位
NPN 4 A 80 V UPAK 表面贴装 2.5 W 250 80 V 5 V 150 MHz 4 1 -
RS 库存编号 463-177
制造商零件编号MJE15035G
品牌onsemi
RMB11.09
/个 (每包:5个)
单位
PNP -4 A -350 V TO-220AB 通孔 50 W - 350 V 5 V 30 MHz 3 1 -
RS 库存编号 807-0915
制造商零件编号FJPF5027OTU
品牌onsemi
RMB6.209
/个 (每包:10个)
单位
NPN 3 A 800 V TO-220F 通孔 40 W 15, 20 1100 V 7 V 15 MHz 3 1 -
RS 库存编号 806-4471
制造商零件编号KSC1815YTA
品牌onsemi
RMB0.759
/个 (每包:200个)
单位
NPN 150 mA 50 V TO-92 通孔 400 mW 120 60 V 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 168-6056
制造商零件编号TIP35C
RMB7.102
毎管:30 个
单位
NPN 25 A 100 V TO-247 通孔 125 W 15 100 V 5 V 3 MHz 3 1 -
RS 库存编号 790-5400
制造商零件编号MJL1302AG
品牌onsemi
RMB29.24
单位
PNP -15 A -260 V TO-264 通孔 200 W - 260 V 直流 5 V 30 MHz 3 1 -
RS 库存编号 124-1394
制造商零件编号KSC1815YTA
品牌onsemi
RMB0.445
个 (在毎卷:2000)
单位
NPN 150 mA 50 V TO-92 通孔 400 mW 120 60 V 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 125-0075
制造商零件编号MJE5852G
品牌onsemi
RMB18.605
毎管:50 个
单位
PNP -8 A -400 V TO-220AB 通孔 80 W 15 - 6 V - 3 1 -
RS 库存编号 166-1786
制造商零件编号SS8550DBU
品牌onsemi
RMB0.448
个 (以毎袋:10000)
单位
PNP -1.5 A -25 V TO-92 通孔 1 W 120, 160 -40 V -6 V 200 MHz 3 1 -
RS 库存编号 166-2820
制造商零件编号PZTA56
品牌onsemi
RMB1.046
个 (在毎卷:4000)
单位
PNP -500 mA -80 V SOT-223 (SC-73) 表面贴装 1 W - -80 V -4 V 100 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 251-3564
制造商零件编号TIP35C
RMB15.05
单位
NPN 25 A 100 V TO-247 通孔 125 W 15 100 V 5 V 3 MHz 3 1 -
RS 库存编号 124-1399
制造商零件编号FJPF5027OTU
品牌onsemi
RMB7.182
毎管:50 个
单位
NPN 3 A 800 V TO-220F 通孔 40 W 15, 20 1100 V 7 V 15 MHz 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么?

双极型晶体管,也叫双极性晶体管、晶体三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管:由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体(基极)组成。输入到基极的微小电流将被放大,产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压,并且集电极电压高于基极电压,则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中,晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流,是发射极注入到基极区域的电子(在基极区域为少数载流子),在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高,因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管:由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说,当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时,集电极电压低于基极,晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管,如onsemiNexperiaDiodesZetexROHMInfineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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