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双极型晶体管

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显示 161 - 180 个产品，共 3730 个
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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
onsemi NPN晶体管, SOT-93封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流16 A, 最大集电极-发射电压160 V
RS 库存编号 545-0270
制造商零件编号MJE4343G
品牌onsemi
RMB32.70
个
单位
 NPN 16 A 160 V SOT-93 通孔 125 W 15 单 160 V 7 V 1 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流50 mA, 最大集电极-发射电压120 V
RS 库存编号 166-3785
制造商零件编号KSC1845FTA
品牌onsemi
RMB0.383
Each (On a Tape of 2000)
单位
 NPN 50 mA 120 V TO-92 通孔 500 mW - 单 120 V 5 V 110 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-204封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流15 A, 最大集电极-发射电压120 V
RS 库存编号 774-3206
制造商零件编号MJ15015G
品牌onsemi
RMB61.55
个
单位
 NPN 15 A 120 V TO-204 通孔 180 W - 单 200 V 7 V 1 MHz 2 1 -
STMicroelectronics NPN晶体管, TO-220封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压100 V
RS 库存编号 485-9755
制造商零件编号TIP31C
品牌STMicroelectronics
RMB5.11
/个 (每包:5个)
单位
 NPN 3 A 100 V TO-220 通孔 2 W - 单 100 V 5 V - 3 1 -
onsemi PNP晶体管, TO-126封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-1.5 A, 最大集电极-发射电压-80 V
RS 库存编号 761-3357
制造商零件编号BD14016STU
品牌onsemi
RMB4.025
/个 (每包:10个)
单位
 PNP -1.5 A -80 V TO-126 通孔 12.5 W - 单 -80 V -5 V - 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压65 V
RS 库存编号 166-3114
制造商零件编号BC546BTF
品牌onsemi
RMB0.469
个 (在毎卷：2000)
单位
 NPN 100 mA 65 V TO-92 通孔 500 mW 110 单 80 V 6 V 1 MHz 3 1 -
Nexperia NPN晶体管, SOT-223 (SC-73)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流600 mA, 最大集电极-发射电压40 V
RS 库存编号 112-5469
制造商零件编号PZT2222A,115
品牌Nexperia
RMB2.85
个
单位
 NPN 600 mA 40 V SOT-223 (SC-73) 贴片 1.15 W 100 单 75 V 6 V 300 MHz 4 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-225封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流1 A, 最大集电极-发射电压80 V
RS 库存编号 544-9933
制造商零件编号2N4923G
品牌onsemi
RMB4.79
个
单位
 NPN 1 A 80 V TO-225 通孔 30 W 30 单 80 V 5 V 3 MHz 3 1 -
STMicroelectronics NPN晶体管, TO-247封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流8 A, 最大集电极-发射电压700 V
RS 库存编号 103-1578
制造商零件编号BU508AW
品牌STMicroelectronics
RMB16.96
毎管：30 个
单位
 NPN 8 A 700 V TO-247 通孔 125 W 10 单 - 9 V - 3 1 -
onsemi NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流500 mA, 最大集电极-发射电压80 V
RS 库存编号 145-3407
制造商零件编号MMBT8099LT1G
品牌onsemi
RMB0.287
个 (在毎卷：3000)
单位
 NPN 500 mA 80 V SOT-23 贴片 225 mW 100 单 80 V 直流 6 V 100 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-264封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流16 A, 最大集电极-发射电压250 V
RS 库存编号 802-4540
制造商零件编号MJL21196G
品牌onsemi
RMB35.975
/个 (每包:2个)
单位
 NPN 16 A 250 V TO-264 通孔 200 W - 单 400 V 直流 5 V 1 MHz 3 1 -
Nexperia NPN晶体管, SOT-363 (SC-88)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压65 V
RS 库存编号 792-0816
制造商零件编号BC846BS,115
品牌Nexperia
RMB0.231
个 (在毎卷：100)
单位
 NPN 100 mA 65 V SOT-363 (SC-88) 贴片 200 mW 200 隔离式 80 V 6 V - 6 2 -
STMicroelectronics NPN晶体管, TO-247封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流8 A, 最大集电极-发射电压700 V
RS 库存编号 714-6746
制造商零件编号BU508AW
品牌STMicroelectronics
RMB20.35
/个 (每包:2个)
单位
 NPN 8 A 700 V TO-247 通孔 125 W 10 单 - 9 V - 3 1 -
STMicroelectronics NPN晶体管, TO-220封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压100 V
RS 库存编号 178-1437
制造商零件编号TIP31C
品牌STMicroelectronics
RMB4.391
毎管：50 个
单位
 NPN 3 A 100 V TO-220 通孔 2 W 10 单 100 V 5 V - 3 1 -
STMicroelectronics PNP晶体管, SOT-32封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-1.5 A, 最大集电极-发射电压-80 V
RS 库存编号 102-4113
制造商零件编号BD140-16
品牌STMicroelectronics
RMB2.387
毎管：50 个
单位
 PNP -1.5 A -80 V SOT-32 通孔 1.25 W - 单 80 V 5 V - 3 1 -
DiodesZetex PNP晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-2 A, 最大集电极-发射电压-100 V
RS 库存编号 922-7740
制造商零件编号ZTX753
品牌DiodesZetex
RMB3.363
个 (以毎袋：4000)
单位
 PNP -2 A -100 V TO-92 通孔 1 W 100 单 120 V 5 V 140 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-264封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流16 A, 最大集电极-发射电压250 V
RS 库存编号 162-8945
制造商零件编号MJL21196G
品牌onsemi
RMB26.512
毎管：25 个
单位
 NPN 16 A 250 V TO-264 通孔 200 W - 单 400 V 直流 5 V 1 MHz 3 1 -
DiodesZetex PNP晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流-1.5 A, 最大集电极-发射电压-40 V
RS 库存编号 215-6559
制造商零件编号FMMT720TA
品牌DiodesZetex
RMB2.558
/个 (每包:5个)
单位
 PNP -1.5 A -40 V SOT-23 贴片 625 mW 300 单 40 V 5 V 190 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压65 V
RS 库存编号 145-5556
制造商零件编号BC546BTA
品牌onsemi
RMB0.469
Each (On a Tape of 2000)
单位
 NPN 100 mA 65 V TO-92 通孔 500 mW 110 单 80 V 6 V 300 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压65 V
RS 库存编号 761-9825
制造商零件编号BC546BTA
品牌onsemi
RMB0.677
/个 (每包:100个)
单位
 NPN 100 mA 65 V TO-92 通孔 500 mW 110 单 80 V 6 V 300 MHz 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么？

双极型晶体管，也叫双极性晶体管、晶体三极管，是一种具有三个终端的电子器件，由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管：由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体（基极）组成。输入到基极的微小电流将被放大，产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压，并且集电极电压高于基极电压，则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中，晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流，是发射极注入到基极区域的电子（在基极区域为少数载流子），在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高，因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管：由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说，当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时，集电极电压低于基极，晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管，如onsemi、Nexperia、DiodesZetex、ROHM、Infineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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