描述 | 价格 | 晶体管类型 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大发射极-基极电压 | 封装类型 | 安装类型 | 引脚数目 | 晶体管配置 | 配置 | 每片芯片元件数目 | 最小直流电流增益 | 最大基极-发射极饱和电压 | 最大集电极-基极电压 | 最大集电极-发射极饱和电压 | |
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RS 库存编号
866-0196
制造商零件编号ULN2803ADW
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RMB11.522
毎管:40 个
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | - | SOIC | 贴片 | 18 | 共发射极 | - | 8 | - | - | - | 1.6 V |
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RS 库存编号
121-8478
制造商零件编号ULN2003AD
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RMB6.623
毎管:40 个
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | 50 V | SOIC | 表面贴装 | 16 | 共发射极 | - | 7 | - | - | - | 1.6 V |
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RS 库存编号
858-196
制造商零件编号ULN2003AD
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RMB6.77
个
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | 50 V | SOIC | 贴片 | 16 | 共发射极 | - | 7 | - | - | - | 1.6 V |
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RS 库存编号
809-5475
制造商零件编号ULN2003LVDR
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RMB3.96
个
单位
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NPN | 140 mA | 8 V | - | SOIC | 贴片 | 16 | 共发射极 | - | 7 | - | - | - | 0.49 V |
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RS 库存编号
100-3837
制造商零件编号ULN2003AN
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RMB3.249
毎管:25 个
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | 50 V | PDIP | 通孔 | 16 | 共发射极 | - | 7 | - | - | - | 1.6 V |
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RS 库存编号
436-8451
制造商零件编号ULN2003AN
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RMB5.02
个
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | 50 V | PDIP | 通孔 | 16 | 共发射极 | - | 7 | - | - | - | 1.6 V |
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RS 库存编号
665-9197
制造商零件编号ULN2003AID
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RMB6.757
/个 (每包:10个)
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | - | SOIC | 贴片 | 16 | 共发射极 | - | 7 | - | - | - | 1.6 V |
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RS 库存编号
858-203
制造商零件编号ULN2004AD
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RMB6.18
个
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | - | SOIC | 贴片 | 16 | 共发射极 | - | 7 | - | - | - | 1.6 V |
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RS 库存编号
527-883
制造商零件编号SN75468N
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RMB5.278
毎管:25 个
单位
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NPN | 500 mA | 100 V | - | PDIP | 通孔 | 16 | 共发射极 | - | 7 | - | - | - | - |
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RS 库存编号
652-825
制造商零件编号ULN2004AN
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RMB4.14
个
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | 50 V | PDIP | 通孔 | 16 | 共发射极 | - | 7 | - | - | - | 1.6 V |
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RS 库存编号
121-8459
制造商零件编号ULN2004AN
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RMB3.235
毎管:25 个
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | 50 V | PDIP | 通孔 | 16 | 共发射极 | - | 7 | - | - | - | 1.6 V |
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RS 库存编号
732-0887
制造商零件编号ULN2003AINE4
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RMB3.44
/个 (每包:5个)
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | - | PDIP | 通孔 | 16 | 共发射极 | - | 7 | - | - | - | 1.6 V |
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RS 库存编号
921-5181
制造商零件编号ULN2003AIN
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RMB2.951
毎管:25 个
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | - | PDIP | 通孔 | 16 | 共发射极 | - | 7 | - | - | - | 1.6 V |
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RS 库存编号
665-9190
制造商零件编号ULN2003APW
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RMB6.772
/个 (每包:10个)
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | - | TSSOP | 贴片 | 16 | 共发射极 | - | 7 | - | - | - | 1.6 V |
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RS 库存编号
229-7150
制造商零件编号ULN2003APWR
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RMB2.90
/个 (每包:25个)
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | - | TSSOP | - | 16 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
197-7633
制造商零件编号ULN2003AIPWR
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RMB2.015
个 (在毎卷:2000)
单位
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NPN | - | 50 V | - | TSSOP | - | 16 | - | - | 1 | - | - | - | - |
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RS 库存编号
197-7634
制造商零件编号ULN2003AIPWR
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RMB3.768
/个 (每包:25个)
单位
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NPN | - | 50 V | - | TSSOP | - | 16 | - | - | 1 | - | - | - | - |
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RS 库存编号
197-7632
制造商零件编号ULN2003ADR
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RMB2.331
/个 (每包:25个)
单位
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NPN | - | 50 V | - | SOIC | - | 16 | - | - | 7 | - | - | - | - |
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RS 库存编号
229-7148
制造商零件编号ULN2003APWR
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RMB1.685
个 (在毎卷:2000)
单位
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NPN | 500 mA | 50 V | - | TSSOP | - | 16 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
197-7631
制造商零件编号ULN2003ADR
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RMB1.121
个 (在毎卷:2500)
单位
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NPN | - | 50 V | - | SOIC | - | 16 | - | - | 7 | - | - | - | - |
达林顿管又称达林顿晶体管、复合管,就是两个三极管接在一起,极性只认前面的三极管。其中一个晶体管是高增益晶体管,另一个晶体管是高电流晶体管。它们用于放大一个电路向另一电路或微处理器传输的微弱信号。达林顿晶体管对也可作为开/关按钮使用。达林顿晶体管对作为单个晶体管工作,但具有更高的电流增益。与单个晶体管相比,它们还可提供较高的输入阻抗。
达林顿管将两个三极管串联,以组成一只等效的新的三极管。这只等效三极管的放大倍数是原二者之积,因此它的特点是放大倍数非常高。
达林顿管的作用一般是在高灵敏的放大电路中放大非常微小的信号,如大功率开关电路。在电子学电路设计中,达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。
达林顿管特别适用于显示驱动器、音频输出、电源调节器、光传感器、触摸传感器和电源输出。不建议在需要高频的应用中使用它们,因为无法立即关闭基电流。达林顿晶体管可包含NPN(负-正-负)晶体管、PNP(正-负-正)晶体管,或同时包含这两类晶体管。
RS 欧时为您提供了不同品牌的达林顿管,如ON Semiconductor、STMicroelectronics、DiodesZetex、Texas Instruments、Nexperia等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。
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