达林顿管

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描述 价格 晶体管类型 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大发射极-基极电压 封装类型 安装类型 引脚数目 晶体管配置 配置 每片芯片元件数目 最小直流电流增益 最大基极-发射极饱和电压 最大集电极-基极电压 最大集电极-发射极饱和电压
RS 库存编号 102-4097
制造商零件编号BU931P
RMB24.862
毎管:30 个
单位
NPN 15 A 400 V 5 V TO-247 通孔 3 - 1 300 2.5 V - 1.8 V
RS 库存编号 121-8479
制造商零件编号ULN2004AD
品牌德州仪器
RMB5.76
毎管:40 个
单位
NPN 500 mA 50 V - SOIC 表面贴装 16 共发射极 - 7 - - - 1.6 V
RS 库存编号 313-3197
制造商零件编号BU931P
RMB32.77
单位
NPN 15 A 400 V 5 V TO-247 通孔 3 - 1 300 2.5 V - 1.8 V
RS 库存编号 773-7743
制造商零件编号MC1413BDR2G
品牌onsemi
RMB3.962
Each (On a Tape of 10)
单位
NPN 500 mA 50 V 5 V SOIC 贴片 16 共发射极 - 7 1000 - - 1.6 V
RS 库存编号 102-4096
制造商零件编号TIP132
RMB5.438
毎管:50 个
单位
NPN 8 A 100 V 5 V TO-220 通孔 3 - 1 500 - 100 V 4 V
RS 库存编号 486-0288
制造商零件编号TIP132
RMB5.582
/个 (每包:5个)
单位
NPN 8 A 100 V 5 V TO-220 通孔 3 - 1 500 - 100 V 4 V
RS 库存编号 103-5146
制造商零件编号TIP120G
品牌onsemi
RMB4.221
毎管:50 个
单位
NPN 8 A 60 V 5 V TO-220 通孔 3 - 1 1000 - 60 V 4 V
RS 库存编号 162-9683
制造商零件编号ULQ2003ADR2G
品牌onsemi
RMB2.578
个 (在毎卷:2500)
单位
NPN 500 mA 50 V - SOIC 贴片 16 共发射极 - 7 1000 - - 1.6 V
RS 库存编号 168-8883
制造商零件编号STP03D200
RMB57.00
毎管:50 个
单位
NPN 100 mA 1200 V 20 V TO-220 通孔 3 - 1 230 @ 20 mA @ 10 V 2 V 2000 V 2 V
RS 库存编号 774-3653
制造商零件编号TIP120G
品牌onsemi
RMB4.013
/个 (每包:10个)
单位
NPN 8 A 60 V 5 V TO-220 通孔 3 - 1 1000 - 60 V 4 V
RS 库存编号 877-2946
制造商零件编号STP03D200
RMB65.528
/个 (每包:5个)
单位
NPN 100 mA 1200 V 20 V TO-220 通孔 3 - 1 230 @ 20 mA @ 10 V 2 V 2000 V 2 V
RS 库存编号 163-1230
制造商零件编号TIP122G
品牌onsemi
RMB4.188
毎管:50 个
单位
NPN 8 A 100 V 5 V TO-220 通孔 3 - 1 1000 - 100 V 4 V
RS 库存编号 102-4094
制造商零件编号BDX53C
RMB6.597
毎管:50 个
单位
NPN 8 A 100 V 5 V TO-220 通孔 3 - 1 750 2.5 V 100 V 2 V
RS 库存编号 787-8594
制造商零件编号ULQ2003ADR2G
品牌onsemi
RMB4.068
Each (On a Tape of 10)
单位
NPN 500 mA 50 V - SOIC 贴片 16 共发射极 - 7 1000 - - 1.6 V
RS 库存编号 178-7560
制造商零件编号MC1413BDR2G
品牌onsemi
RMB2.25
个 (在毎卷:2500)
单位
NPN 500 mA 50 V 5 V SOIC 贴片 16 共发射极 - 7 1000 - - 1.6 V
RS 库存编号 485-9086
制造商零件编号BDX53C
RMB8.05
/个 (每包:5个)
单位
NPN 8 A 100 V 5 V TO-220 通孔 3 - 1 750 2.5 V 100 V 2 V
RS 库存编号 463-010
制造商零件编号BD681G
品牌onsemi
RMB5.465
/个 (每包:10个)
单位
NPN 4 A 100 V 5 V TO-225 通孔 3 - 1 750 - 100 V 2.5 V
RS 库存编号 919-6472
制造商零件编号ULN2003D1013TR
RMB1.99
个 (在毎卷:2500)
单位
NPN 500 mA 50 V - SOIC 贴片 16 共发射极 - 7 1000 - - 1.6 V
RS 库存编号 122-0072
制造商零件编号BD681G
品牌onsemi
RMB3.201
个 (以毎盒:500)
单位
NPN 4 A 100 V 5 V TO-225 通孔 3 - 1 750 - 100 V 2.5 V
RS 库存编号 163-0033
制造商零件编号MJ11012G
品牌onsemi
RMB39.467
Each (In a Tray of 100)
单位
NPN 30 A 60 V 5 V TO-204AA 通孔 2 - 2 200 5 V 60 V 4 V

达林顿管

什么是达林顿管?

达林顿管又称达林顿晶体管、复合管,就是两个三极管接在一起,极性只认前面的三极管。其中一个晶体管是高增益晶体管,另一个晶体管是高电流晶体管。它们用于放大一个电路向另一电路或微处理器传输的微弱信号。达林顿晶体管对也可作为开/关按钮使用。达林顿晶体管对作为单个晶体管工作,但具有更高的电流增益。与单个晶体管相比,它们还可提供较高的输入阻抗。

达林顿管工作原理:

达林顿管将两个三极管串联,以组成一只等效的新的三极管。这只等效三极管的放大倍数是原二者之积,因此它的特点是放大倍数非常高。

达林顿管的作用:

达林顿管的作用一般是在高灵敏的放大电路中放大非常微小的信号,如大功率开关电路。在电子学电路设计中,达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。

达林顿管的应用:

达林顿管特别适用于显示驱动器、音频输出、电源调节器、光传感器、触摸传感器和电源输出。不建议在需要高频的应用中使用它们,因为无法立即关闭基电流。达林顿晶体管可包含NPN(负-正-负)晶体管、PNP(正-负-正)晶体管,或同时包含这两类晶体管。

RS 欧时为您提供了不同品牌的达林顿管,如ON SemiconductorSTMicroelectronicsDiodesZetexTexas InstrumentsNexperia等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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