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双极型晶体管

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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
STMicroelectronics NPN晶体管, TO-220封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流10 A, 最大集电极-发射电压60 V
RS 库存编号 313-6916
制造商零件编号MJE3055T
品牌STMicroelectronics
RMB7.08
个
单位
 NPN 10 A 60 V TO-220 通孔 75 W - 单 70 V 5 V 2 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压45 V
RS 库存编号 803-1116
制造商零件编号BC550CBU
品牌onsemi
RMB1.018
/个 (每包:200个)
单位
 NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 500 mW 420 单 50 V 5 V 1 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-220AB封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流8 A, 最大集电极-发射电压150 V
RS 库存编号 544-9680
制造商零件编号MJE15030G
品牌onsemi
RMB10.05
个
单位
 NPN 8 A 150 V TO-220AB 通孔 50 W - 单 150 V 5 V 30 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压45 V
RS 库存编号 803-1125
制造商零件编号BC550CTA
品牌onsemi
RMB0.611
/个 (每包:200个)
单位
 NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 500 mW 420 单 50 V 5 V 1 MHz 3 1 -
ON Semiconductor PNP晶体管, TO-220AB封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-4 A, 最大集电极-发射电压-350 V
RS 库存编号 463-177
制造商零件编号MJE15035G
品牌onsemi
RMB11.09
/个 (每包:5个)
单位
 PNP -4 A -350 V TO-220AB 通孔 50 W - 单 350 V 5 V 30 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-220F封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压800 V
RS 库存编号 807-0915
制造商零件编号FJPF5027OTU
品牌onsemi
RMB6.209
/个 (每包:10个)
单位
 NPN 3 A 800 V TO-220F 通孔 40 W 15, 20 单 1100 V 7 V 15 MHz 3 1 -
onsemi PNP晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-1.5 A, 最大集电极-发射电压-25 V
RS 库存编号 166-1786
制造商零件编号SS8550DBU
品牌onsemi
RMB0.448
个 (以毎袋：10000)
单位
 PNP -1.5 A -25 V TO-92 通孔 1 W 120, 160 单 -40 V -6 V 200 MHz 3 1 -
onsemi PNP晶体管, TO-264封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-15 A, 最大集电极-发射电压-260 V
RS 库存编号 121-6418
制造商零件编号MJL1302AG
品牌onsemi
RMB25.532
毎管：25 个
单位
 PNP -15 A -260 V TO-264 通孔 200 W - 单 260 V 直流 5 V 1 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流150 mA, 最大集电极-发射电压50 V
RS 库存编号 806-4471
制造商零件编号KSC1815YTA
品牌onsemi
RMB0.759
/个 (每包:200个)
单位
 NPN 150 mA 50 V TO-92 通孔 400 mW 120 单 60 V 5 V 1 MHz 3 1 -
onsemi PNP晶体管, TO-220AB封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-8 A, 最大集电极-发射电压-400 V
RS 库存编号 545-0292
制造商零件编号MJE5852G
品牌onsemi
RMB21.32
个
单位
 PNP -8 A -400 V TO-220AB 通孔 80 W 15 单 - 6 V - 3 1 -
onsemi PNP晶体管, TO-220AB封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-4 A, 最大集电极-发射电压-350 V
RS 库存编号 100-7577
制造商零件编号MJE15035G
品牌onsemi
RMB7.772
毎管：50 个
单位
 PNP -4 A -350 V TO-220AB 通孔 50 W - 单 350 V 5 V 30 MHz 3 1 -
STMicroelectronics NPN晶体管, TO-247封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流25 A, 最大集电极-发射电压100 V
RS 库存编号 251-3564
制造商零件编号TIP35C
品牌STMicroelectronics
RMB15.05
个
单位
 NPN 25 A 100 V TO-247 通孔 125 W 15 单 100 V 5 V 3 MHz 3 1 -
STMicroelectronics PNP晶体管, TO-220封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-3 A, 最大集电极-发射电压-100 V
RS 库存编号 168-6170
制造商零件编号TIP32C
品牌STMicroelectronics
RMB3.915
毎管：50 个
单位
 PNP -3 A -100 V TO-220 通孔 2 W 10 单 100 V 5 V - 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-220F封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流3 A, 最大集电极-发射电压800 V
RS 库存编号 124-1399
制造商零件编号FJPF5027OTU
品牌onsemi
RMB7.182
毎管：50 个
单位
 NPN 3 A 800 V TO-220F 通孔 40 W 15, 20 单 1100 V 7 V 15 MHz 3 1 -
DiodesZetex NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流1 A, 最大集电极-发射电压60 V
RS 库存编号 922-7692
制造商零件编号FMMT491TA
品牌DiodesZetex
RMB0.754
个 (在毎卷：3000)
单位
 NPN 1 A 60 V SOT-23 贴片 500 mW 100 单 80 V 5 V 150 MHz 3 1 -
Infineon NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压45 V
RS 库存编号 445-2023
制造商零件编号BC847CE6327HTSA1
品牌Infineon
RMB1.415
/个 (每包:50个)
单位
 NPN 100 mA 45 V SOT-23 表面贴装 330 mW - 单 50 V 6 V 250 MHz 3 1 -
onsemi PNP晶体管, TO-264封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-15 A, 最大集电极-发射电压-260 V
RS 库存编号 790-5400
制造商零件编号MJL1302AG
品牌onsemi
RMB29.24
个
单位
 PNP -15 A -260 V TO-264 通孔 200 W - 单 260 V 直流 5 V 30 MHz 3 1 -
STMicroelectronics PNP晶体管, TO-220封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-3 A, 最大集电极-发射电压-100 V
RS 库存编号 485-9777
制造商零件编号TIP32C
品牌STMicroelectronics
RMB4.344
/个 (每包:5个)
单位
 PNP -3 A -100 V TO-220 通孔 2 W 10 单 100 V 5 V - 3 1 -
DiodesZetex NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流1 A, 最大集电极-发射电压60 V
RS 库存编号 274-879
制造商零件编号FMMT491TA
品牌DiodesZetex
RMB1.718
/个 (每包:10个)
单位
 NPN 1 A 60 V SOT-23 贴片 500 mW 100 单 80 V 5 V 150 MHz 3 1 -
Nexperia PNP晶体管, SOT-23 (TO-236AB)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流-100 mA, 最大集电极-发射电压-45 V
RS 库存编号 178-7149
制造商零件编号BCW70,215
品牌Nexperia
RMB0.301
个 (在毎卷：3000)
单位
 PNP -100 mA -45 V SOT-23 (TO-236AB) 贴片 250 mW 215 单 50 V 5 V 100 MHz 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么？

双极型晶体管，也叫双极性晶体管、晶体三极管，是一种具有三个终端的电子器件，由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管：由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体（基极）组成。输入到基极的微小电流将被放大，产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压，并且集电极电压高于基极电压，则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中，晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流，是发射极注入到基极区域的电子（在基极区域为少数载流子），在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高，因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管：由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说，当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时，集电极电压低于基极，晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管，如onsemi、Nexperia、DiodesZetex、ROHM、Infineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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