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双极型晶体管

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显示 121 - 140 个产品，共 3732 个
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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
DiodesZetex NPN晶体管, SOT-363 (SC-88)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流200 mA, 最大集电极-发射电压160 V
RS 库存编号 711-4976
制造商零件编号MMDT5551-7-F
品牌DiodesZetex
RMB1.508
/个 (每包:25个)
单位
 NPN 200 mA 160 V SOT-363 (SC-88) 贴片 200 mW 80 隔离式 180 V 6 V 300 MHz 6 2 -
Toshiba NPN晶体管, TO-3PL封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流15 A, 最大集电极-发射电压230 V
RS 库存编号 890-2682
制造商零件编号2SC5200-O(S1,F,S)
品牌Toshiba
RMB21.508
/个 (每包:5个)
单位
 NPN 15 A 230 V TO-3PL 通孔 150 W 55 单 230 V 5 V - 3 1 -
onsemi NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流600 mA, 最大集电极-发射电压140 V
RS 库存编号 178-7579
制造商零件编号MMBT5551LT1G
品牌onsemi
RMB0.175
个 (在毎卷：3000)
单位
 NPN 600 mA 140 V SOT-23 贴片 300 mW 80 单 180 V 6 V - 3 1 -
onsemi PNP晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-200 mA, 最大集电极-发射电压-40 V
RS 库存编号 805-1065
制造商零件编号2N3906TFR
品牌onsemi
RMB0.611
/个 (每包:200个)
单位
 PNP -200 mA -40 V TO-92 通孔 625 mW 100 单 -40 V -5 V 250 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流600 mA, 最大集电极-发射电压160 V
RS 库存编号 781-4250
制造商零件编号MMBT5551LT3G
品牌onsemi
RMB0.339
/个 (每包:100个)
单位
 NPN 600 mA 160 V SOT-23 贴片 225 mW 80 单 180V 直流 6 V - 3 1 -
onsemi NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流600 mA, 最大集电极-发射电压160 V
RS 库存编号 178-4694
制造商零件编号MMBT5551LT3G
品牌onsemi
RMB0.134
个 (在毎卷：10000)
单位
 NPN 600 mA 160 V SOT-23 贴片 225 mW 80 单 180V 直流 6 V - 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-220AB封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流10 A, 最大集电极-发射电压60 V
RS 库存编号 544-9371
制造商零件编号MJE3055TG
品牌onsemi
RMB6.29
个
单位
 NPN 10 A 60 V TO-220AB 通孔 75 W 20 单 70 V 5 V 2 MHz 3 1 -
onsemi PNP晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-200 mA, 最大集电极-发射电压-40 V
RS 库存编号 169-8696
制造商零件编号2N3906TAR
品牌onsemi
RMB0.349
个 (在毎卷：2000)
单位
 PNP -200 mA -40 V TO-92 通孔 625 mW 100 单 -40 V -5 V 250 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-225封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流1.5 A, 最大集电极-发射电压60 V
RS 库存编号 545-2298
制造商零件编号BD137G
品牌onsemi
RMB4.87
个
单位
 NPN 1.5 A 60 V TO-225 通孔 1.25 W 40 单 60 V 5 V - 3 1 -
DiodesZetex NPN晶体管, SOT-363 (SC-88)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流200 mA, 最大集电极-发射电压160 V
RS 库存编号 169-0602
制造商零件编号MMDT5551-7-F
品牌DiodesZetex
RMB0.561
个 (在毎卷：3000)
单位
 NPN 200 mA 160 V SOT-363 (SC-88) 贴片 200 mW 80 隔离式 180 V 6 V 300 MHz 6 2 -
Taiwan Semiconductor NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压45 V
RS 库存编号 796-9739
制造商零件编号BC550C A1
品牌Taiwan Semiconductor
RMB0.955
/个 (每包:250个)
单位
 NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 500 mW 420 单 50 V 6 V - 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-220封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流6 A, 最大集电极-发射电压100 V
RS 库存编号 790-5292
制造商零件编号BD243CG
品牌onsemi
RMB8.61
/个 (每包:5个)
单位
 NPN 6 A 100 V TO-220 通孔 65 W 20 单 100 V 直流 5 V 1 MHz 3 1 -
Taiwan Semiconductor NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压45 V
RS 库存编号 170-4169
制造商零件编号BC550C A1
品牌Taiwan Semiconductor
RMB0.378
Each (On a Tape of 4000)
单位
 NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 500 mW 420 单 50 V 6 V - 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-220封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流6 A, 最大集电极-发射电压100 V
RS 库存编号 124-9960
制造商零件编号BD243CG
品牌onsemi
RMB6.402
毎管：50 个
单位
 NPN 6 A 100 V TO-220 通孔 65 W 20 单 100 V 直流 5 V 1 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-204AA封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流25 A, 最大集电极-发射电压60 V
RS 库存编号 774-3234
制造商零件编号2N5885G
品牌onsemi
RMB59.20
个
单位
 NPN 25 A 60 V TO-204AA 通孔 200 W - 单 60 V 5 V 1 MHz 2 1 -
Infineon NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流500 mA, 最大集电极-发射电压300 V
RS 库存编号 287-487
制造商零件编号SMBTA42E6327HTSA1
品牌Infineon
RMB2.13
/个 (每包:10个)
单位
 NPN 500 mA 300 V SOT-23 贴片 360 mW - 单 300 V 6 V 70 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-204AA封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流15 A, 最大集电极-发射电压140 V
RS 库存编号 163-0035
制造商零件编号MJ15001G
品牌onsemi
RMB36.594
Each (In a Tray of 100)
单位
 NPN 15 A 140 V TO-204AA 通孔 200 W - 单 140 V 5 V - 2 1 -
Nexperia NPN/PNP晶体管, UMT封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压45 V
RS 库存编号 103-7553
制造商零件编号BC847BPN,115
品牌Nexperia
RMB0.252
个 (在毎卷：3000)
单位
 NPN/PNP 100 mA 45 V UMT 表面贴装 200 mW 200 隔离式 50 V 5 V 100 MHz 6 2 -
onsemi NPN晶体管, SOT-93封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流16 A, 最大集电极-发射电压160 V
RS 库存编号 145-3093
制造商零件编号MJE4343G
品牌onsemi
RMB24.008
毎管：30 个
单位
 NPN 16 A 160 V SOT-93 通孔 125 W 15 单 160 V 7 V 1 MHz 3 1 -
Nexperia NPN晶体管, SOT-23 (TO-236AB)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压30 V
RS 库存编号 112-6383
制造商零件编号BC849C,215
品牌Nexperia
RMB0.83
/个 (每包:5个)
单位
 NPN 100 mA 30 V SOT-23 (TO-236AB) 贴片 250 mW 420 单 30 V 5 V 100 MHz 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么？

双极型晶体管，也叫双极性晶体管、晶体三极管，是一种具有三个终端的电子器件，由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管：由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体（基极）组成。输入到基极的微小电流将被放大，产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压，并且集电极电压高于基极电压，则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中，晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流，是发射极注入到基极区域的电子（在基极区域为少数载流子），在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高，因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管：由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说，当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时，集电极电压低于基极，晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管，如onsemi、Nexperia、DiodesZetex、ROHM、Infineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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