IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 761-3757
制造商零件编号FF300R12KS4HOSA1
品牌Infineon
RMB1,395.80
单位
370 A 1200 V ±20V - 1950 瓦 62MM 模块 串行 面板 N 3 - 串行 106.4 x 61.4 x 30.9mm
RS 库存编号 145-9637
制造商零件编号FF300R12KS4HOSA1
品牌Infineon
RMB1,395.80
Each (In a Tray of 10)
单位
370 A 1200 V ±20V - 1950 瓦 62MM 模块 串行 面板 N 3 - 串行 106.4 x 61.4 x 30.9mm
RS 库存编号 897-7403
制造商零件编号IKW25N120T2FKSA1
品牌Infineon
RMB41.13
/个 (每包:2个)
单位
50 A 1200 V ±20V - 349 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 165-8176
制造商零件编号IKW25N120T2FKSA1
品牌Infineon
RMB52.093
毎管:30 个
单位
50 A 1200 V ±20V - 349 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 145-8706
制造商零件编号IKW08T120FKSA1
品牌Infineon
RMB17.805
毎管:30 个
单位
16 A 1200 V ±20V - 70 W TO-247 - 通孔 N 3 20kHz 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 892-2129
制造商零件编号IKW08T120FKSA1
品牌Infineon
RMB22.403
/个 (每包:4个)
单位
16 A 1200 V ±20V - 70 W TO-247 - 通孔 N 3 20kHz 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 166-0838
制造商零件编号FF150R12RT4HOSA1
品牌Infineon
RMB770.477
Each (In a Tray of 10)
单位
150 A 1200 V ±20V - 790 W AG-34MM-1 串行 面板 N - - 串行 94 x 34 x 30.2mm
RS 库存编号 111-6082
制造商零件编号FF150R12RT4HOSA1
品牌Infineon
RMB772.00
单位
150 A 1200 V ±20V - 790 W AG-34MM-1 串行 面板 N - - 串行 94 x 34 x 30.2mm
RS 库存编号 906-2892
制造商零件编号IKW25N120H3FKSA1
品牌Infineon
RMB46.265
/个 (每包:2个)
单位
50 A 1200 V ±20V - 326 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 168-8780
制造商零件编号FF300R12ME4B11BPSA1
品牌Infineon
RMB907.278
个 (以毎盒:6)
单位
450 A 1200 V ±20V - 1600 W ECONOD 串行 印刷电路板 N 11 1MHz 串行 122.5 x 62.5 x 17mm
RS 库存编号 838-7052
制造商零件编号FF300R12ME4B11BPSA1
品牌Infineon
RMB893.40
单位
450 A 1200 V ±20V - 1600 W ECONOD 串行 印刷电路板 N 11 1MHz 串行 122.5 x 62.5 x 17mm
RS 库存编号 165-8131
制造商零件编号IKW25N120H3FKSA1
品牌Infineon
RMB34.05
毎管:30 个
单位
50 A 1200 V ±20V - 326 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 906-4488
制造商零件编号IKW40N120T2FKSA1
品牌Infineon
RMB65.65
/个 (每包:2个)
单位
75 A 1200 V ±20V - 480 W TO-247 - 通孔 N 3 1MHz 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 165-8178
制造商零件编号IKW40N120T2FKSA1
品牌Infineon
RMB43.666
毎管:30 个
单位
75 A 1200 V ±20V - 480 W TO-247 - 通孔 N 3 1MHz 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 911-4773
制造商零件编号IKW40N120H3FKSA1
品牌Infineon
RMB45.76
毎管:30 个
单位
80 A 1200 V ±20V - 483 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.03 x 5.16 x 21.1mm
RS 库存编号 752-8347
制造商零件编号IKW40N120H3FKSA1
品牌Infineon
RMB68.30
单位
80 A 1200 V ±20V - 483 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.03 x 5.16 x 21.1mm
RS 库存编号 541-1837
制造商零件编号IRG4PH30KPBF
品牌Infineon
RMB35.60
单位
20 A 1200 V ±20V - - TO-247AC - 通孔 N 3 - 15.9 x 5.3 x 20.3mm
RS 库存编号 110-7176
制造商零件编号IKW75N65EL5XKSA1
品牌Infineon
RMB51.14
/个 (每包:2个)
单位
75 A 650 V ±20V - 536 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 111-6088
制造商零件编号FF100R12RT4HOSA1
品牌Infineon
RMB673.94
单位
100 A 1200 V ±20V - 555 W AG-34MM-1 串行 面板 N - - 串行 94 x 34 x 30.2mm
RS 库存编号 145-9575
制造商零件编号IKW75N65EL5XKSA1
品牌Infineon
RMB45.044
毎管:30 个
单位
75 A 650 V ±20V - 536 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.13 x 5.21 x 21.1mm

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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