IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 223-6324
制造商零件编号RGS50TSX2GC11
品牌ROHM
RMB35.773
毎管:450 个
单位
50 A 1200 V ±30V 1 395 W TO-247N - - 3 - - -
RS 库存编号 223-6325
制造商零件编号RGS50TSX2GC11
品牌ROHM
RMB53.285
/个 (每包:2个)
单位
50 A 1200 V ±30V 1 395 W TO-247N - - 3 - - -
RS 库存编号 241-2307
制造商零件编号RGWS60TS65GC13
品牌ROHM
RMB32.49
/个 (每包:2个)
单位
51 A 650 V ±30V 1 156 W TO-247GE 单集电极、单发射极、单栅极 - - - - - -
RS 库存编号 241-2312
制造商零件编号RGWS80TS65GC13
品牌ROHM
RMB36.53
/个 (每包:2个)
单位
71 A 650 V ±30V 1 202 W TO-247GE 单集电极、单发射极、单栅极 - - - - - -
RS 库存编号 235-2727
制造商零件编号RGSX5TS65EGC11
品牌ROHM
RMB38.143
毎管:450 个
单位
75 A 650 V ±30V 1 404 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 241-2295
制造商零件编号RGTH80TS65DGC13
品牌ROHM
RMB43.33
/个 (每包:2个)
单位
70 A 650 V ±30V 1 234 W TO-247GE 单集电极、单发射极、单栅极 - - - - - -
RS 库存编号 235-2730
制造商零件编号RGSX5TS65EHRC11
品牌ROHM
RMB52.326
毎管:450 个
单位
75 A 650 V ±30V 1 404 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 241-2276
制造商零件编号RGCL60TS60DGC13
品牌ROHM
RMB41.585
/个 (每包:2个)
单位
48 A 600 V ±30V 1 111 瓦 TO-247GE 单集电极、单发射极、单栅极 - - - - - -
RS 库存编号 246-3950
制造商零件编号RGT60TS65DGC13
品牌ROHM
RMB38.92
毎管:600 个
单位
55 650 V ±30V 1 1.94 mW TO-247GE - - - - - -
RS 库存编号 235-2725
制造商零件编号RGSX5TS65DHRC11
品牌ROHM
RMB42.562
毎管:450 个
单位
75 A 650 V ±30V 1 404 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 241-2293
制造商零件编号RGTH50TS65GC13
品牌ROHM
RMB32.83
/个 (每包:2个)
单位
50 A 650 V ±30V 1 174 W TO-247GE 单集电极、单发射极、单栅极 - - - - - -
RS 库存编号 235-2728
制造商零件编号RGSX5TS65EGC11
品牌ROHM
RMB65.10
单位
75 A 650 V ±30V 1 404 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 246-3948
制造商零件编号RGT50TS65DGC13
品牌ROHM
RMB34.764
毎管:600 个
单位
48 650 V ±30V 1 1.74 mW TO-247GE - - - - - -
RS 库存编号 223-6317
制造商零件编号RGS30TSX2DHRC11
品牌ROHM
RMB54.86
/个 (每包:2个)
单位
30 A 1200 V ±30V 1 267 W TO-247N - - 3 - - -
RS 库存编号 223-6326
制造商零件编号RGS80TSX2DGC11
品牌ROHM
RMB52.531
毎管:450 个
单位
80 A 1200 V ±30V 1 555 W TO-247N - - 3 - - -
RS 库存编号 235-2769
制造商零件编号RGWX5TS65EHRC11
品牌ROHM
RMB76.27
单位
50 A 650 V ±30V 1 348 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 235-2759
制造商零件编号RGW80TS65DHRC11
品牌ROHM
RMB32.397
毎管:450 个
单位
40 A 650 V ±30V 1 214 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 241-2279
制造商零件编号RGCL80TS60DGC13
品牌ROHM
RMB24.627
毎管:600 个
单位
65 A 600 V ±30V 1 148 W TO-247GE 单集电极、单发射极、单栅极 - - - - - -
RS 库存编号 235-2764
制造商零件编号RGW80TS65HRC11
品牌ROHM
RMB31.549
毎管:450 个
单位
40 A 650 V ±30V 1 214 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 235-2731
制造商零件编号RGSX5TS65EHRC11
品牌ROHM
RMB72.72
单位
75 A 650 V ±30V 1 404 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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