IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 877-2879
制造商零件编号STGD5NB120SZT4
RMB13.544
/个 (每包:5个)
单位
10 A 1200 V ±20V - 75 W DPAK (TO-252) - 表面贴装 N 3 - 6.6 x 6.2 x 2.4mm
RS 库存编号 165-5304
制造商零件编号STGD5NB120SZT4
RMB9.082
个 (在毎卷:2500)
单位
10 A 1200 V ±20V - 75 W DPAK (TO-252) - 表面贴装 N 3 - 6.6 x 6.2 x 2.4mm
RS 库存编号 168-4771
制造商零件编号IXYX100N120C3
品牌IXYS
RMB146.239
毎管:30 个
单位
188 A 1200 V ±20V - 1150 W PLUS247 - 通孔 N 3 50kHz 16.13 x 5.21 x 21.34mm
RS 库存编号 759-9273
制造商零件编号FGH40N60UFDTU
品牌onsemi
RMB27.08
单位
80 A 600 V ±20V - 290 W TO-247 - 通孔 N 3 - 15.6 x 4.7 x 20.6mm
RS 库存编号 124-1673
制造商零件编号HGTG40N60B3
RMB72.042
毎管:30 个
单位
70 A 600 V ±20V - - TO-247 - 通孔 N 3 - 15.87 x 4.82 x 20.82mm
RS 库存编号 124-1396
制造商零件编号FGAF40N60SMD
品牌onsemi
RMB26.115
毎管:30 个
单位
80 A 600 V ±20V - 115 W TO-3PF - 通孔 N 3 1MHz 15.7 x 3.2 x 26.7mm
RS 库存编号 194-760
制造商零件编号IXGH6N170
品牌IXYS
RMB82.40
单位
6 A 1700 V ±20V - - TO-247AD - 通孔 N 3 - 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 168-7008
制造商零件编号STGW60V60F
RMB29.631
毎管:30 个
单位
60 A 600 V ±20V - 375 W TO-247 - 通孔 N 3 1MHz 15.75 x 5.15 x 20.15mm
RS 库存编号 807-0763
制造商零件编号FGAF40N60SMD
品牌onsemi
RMB34.95
/个 (每包:2个)
单位
80 A 600 V ±20V - 115 W TO-3PF - 通孔 N 3 1MHz 15.7 x 3.2 x 26.7mm
RS 库存编号 168-6463
制造商零件编号STGE200NB60S
RMB218.743
毎管:10 个
单位
200 A 600 V ±20V - - ISOTOP - 面板 N 4 - 38.2 x 25.5 x 9.1mm
RS 库存编号 754-5392
制造商零件编号IGW40T120FKSA1
品牌Infineon
RMB41.55
单位
75 A 1200 V ±20V - 270 W TO-247 - 通孔 - 3 - 16.13 x 21.1 x 5.21mm
RS 库存编号 754-5402
制造商零件编号IKW75N60TFKSA1
品牌Infineon
RMB55.85
单位
80 A 600 V ±20V - 428 W TO-247 - 通孔 - 3 - 16.03 x 21.1 x 5.16mm
RS 库存编号 804-7606
制造商零件编号IXYN100N120B3H1
品牌IXYS
RMB269.09
单位
165 A 1200 V ±20V - 690 W SOT-227B - 表面贴装 N 4 5 → 30kHz 38.2 x 25 x 9.6mm
RS 库存编号 168-8881
制造商零件编号STGW30NC60KD
RMB44.665
毎管:30 个
单位
60 A 600 V ±20V - 200 W TO-247 - 通孔 N 3 - 15.75 x 5.15 x 24.45mm
RS 库存编号 146-1766
制造商零件编号IXYH30N120C3
品牌IXYS
RMB65.801
毎管:30 个
单位
75 A 1200 V ±20V - 500 W TO-247 - 通孔 N 3 50kHz 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 168-4775
制造商零件编号IXA12IF1200HB
品牌IXYS
RMB20.11
毎管:30 个
单位
20 A 1200 V ±20V - 85 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 495-732
制造商零件编号IRGP4063DPBF
品牌Infineon
RMB33.66
单位
96 A 600 V ±20V - - TO-247AC - 通孔 N 3 - 15.9 x 5.3 x 20.3mm
RS 库存编号 124-1336
制造商零件编号FGH40N60SMD
品牌onsemi
RMB25.205
毎管:30 个
单位
80 A 600 V ±20V - 349 W TO-247 - 通孔 N 3 - 15.6 x 4.7 x 20.6mm
RS 库存编号 829-4666
制造商零件编号STGWT60H65DFB
RMB33.52
单位
80 A 650 V ±20V - 375 W TO-3P - 通孔 N 3 - 15.8 x 5 x 20.1mm
RS 库存编号 759-9279
制造商零件编号FGH40N60SMD
品牌onsemi
RMB30.00
单位
80 A 600 V ±20V - 349 W TO-247 - 通孔 N 3 - 15.6 x 4.7 x 20.6mm

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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