IGBT
1655
筛选条件
| 描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS 库存编号
168-8780
制造商零件编号FF300R12ME4B11BPSA1
品牌Infineon
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RMB907.278
个 (以毎盒：6)
单位
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450 A | 1200 V | ±20V | - | 1600 W | ECONOD | 串行 | PCB | N | 11 | 1MHz | 串行 | 122.5 x 62.5 x 17mm |
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RS 库存编号
838-7052
制造商零件编号FF300R12ME4B11BPSA1
品牌Infineon
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RMB893.40
个
单位
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450 A | 1200 V | ±20V | - | 1600 W | ECONOD | 串行 | PCB | N | 11 | 1MHz | 串行 | 122.5 x 62.5 x 17mm |
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RS 库存编号
124-1320
制造商零件编号FGH60N60SMD
品牌onsemi
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RMB32.011
毎管：30 个
单位
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120 A | 600 V | ±20V | - | 600 W | TO-247AB | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
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RS 库存编号
124-1446
制造商零件编号FGH40T120SMD
品牌onsemi
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RMB42.302
毎管：30 个
单位
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80 A | 1200 V | ±25V | - | 555 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
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RS 库存编号
906-2892
制造商零件编号IKW25N120H3FKSA1
品牌Infineon
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RMB46.265
/个 (每包:2个)
单位
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50 A | 1200 V | ±20V | - | 326 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
920-1007
制造商零件编号IXYH50N120C3D1
品牌IXYS
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RMB81.122
毎管：30 个
单位
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90 A | 1200 V | ±20V | - | 625 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
739-4945
制造商零件编号FGH60N60SMD
品牌onsemi
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RMB41.33
个
单位
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120 A | 600 V | ±20V | - | 600 W | TO-247AB | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
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RS 库存编号
168-4758
制造商零件编号IXYN100N120C3
品牌IXYS
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RMB283.792
毎管：10 个
单位
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152 A | 1200 V | ±20V | - | 830 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | 20 → 50kHz | 单 | 38.2 x 25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
166-2084
制造商零件编号ISL9V3040S3ST
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RMB14.538
个 (在毎卷：800)
单位
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21 A | 450 V | ±14V | - | 150 W | D2PAK (TO-263) | - | 贴片 | N | 3 | - | 单 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
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RS 库存编号
862-9353
制造商零件编号ISL9V3040S3ST
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RMB20.246
/个 (每包:5个)
单位
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21 A | 450 V | ±14V | - | 150 W | D2PAK (TO-263) | - | 贴片 | N | 3 | - | 单 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
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RS 库存编号
165-8178
制造商零件编号IKW40N120T2FKSA1
品牌Infineon
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RMB43.666
毎管：30 个
单位
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75 A | 1200 V | ±20V | - | 480 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
906-4488
制造商零件编号IKW40N120T2FKSA1
品牌Infineon
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RMB65.65
/个 (每包:2个)
单位
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75 A | 1200 V | ±20V | - | 480 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
804-7600
制造商零件编号IXYN100N120C3
品牌IXYS
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RMB304.17
个
单位
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152 A | 1200 V | ±20V | - | 830 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | 20 → 50kHz | 单 | 38.2 x 25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
541-1837
制造商零件编号IRG4PH30KPBF
品牌Infineon
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RMB35.60
个
单位
|
20 A | 1200 V | ±20V | - | - | TO-247AC | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.9 x 5.3 x 20.3mm |
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RS 库存编号
752-8347
制造商零件编号IKW40N120H3FKSA1
品牌Infineon
|
RMB68.30
个
单位
|
80 A | 1200 V | ±20V | - | 483 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.03 x 5.16 x 21.1mm |
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RS 库存编号
168-4507
制造商零件编号IXGH32N170
品牌IXYS
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RMB131.054
毎管：30 个
单位
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75 A | 1700 V | ±20V | - | - | TO-247AD | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
122-0393
制造商零件编号SEMiX603GB12E4p
品牌Semikron
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RMB2,994.28
个
单位
|
1.1 kA | 1200 V | 20V | - | - | SEMiX®3p | 串行 | 通孔 | N | 11 | - | 串行 | 150 x 62.4 x 17mm |
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RS 库存编号
808-0237
制造商零件编号IXYB82N120C3H1
品牌IXYS
|
RMB188.49
个
单位
|
164 A | 1200 V | ±20V | - | 1040 W | PLUS264 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 20.29 x 5.31 x 26.59mm |
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RS 库存编号
920-1003
制造商零件编号IXYB82N120C3H1
品牌IXYS
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RMB170.907
毎管：25 个
单位
|
164 A | 1200 V | ±20V | - | 1040 W | PLUS264 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 20.29 x 5.31 x 26.59mm |
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RS 库存编号
911-4773
制造商零件编号IKW40N120H3FKSA1
品牌Infineon
|
RMB45.76
毎管：30 个
单位
|
80 A | 1200 V | ±20V | - | 483 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.03 x 5.16 x 21.1mm |
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IGBT
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
- 优点：热稳定性好、安全工作区大。
- 缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
- 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
- 电动机
- 不间断电源
- 太阳能面板安装
- 电焊机
- 电源转换器与反相器
- 电感充电器
- 电磁炉
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