IGBT
1686
筛选条件
| 描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS 库存编号
920-1003
制造商零件编号IXYB82N120C3H1
品牌IXYS
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RMB170.907
毎管：25 个
单位
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164 A | 1200 V | ±20V | - | 1040 W | PLUS264 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 20.29 x 5.31 x 26.59mm |
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RS 库存编号
110-7176
制造商零件编号IKW75N65EL5XKSA1
品牌Infineon
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RMB51.14
/个 (每包:2个)
单位
|
75 A | 650 V | ±20V | - | 536 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
166-0839
制造商零件编号FF100R12RT4HOSA1
品牌Infineon
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RMB673.985
Each (In a Tray of 10)
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 555 W | AG-34MM-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 94 x 34 x 30.2mm |
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RS 库存编号
111-6088
制造商零件编号FF100R12RT4HOSA1
品牌Infineon
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RMB673.94
个
单位
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100 A | 1200 V | ±20V | - | 555 W | AG-34MM-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 94 x 34 x 30.2mm |
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RS 库存编号
804-7616
制造商零件编号IXDN55N120D1
品牌IXYS
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RMB250.14
个
单位
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100 A | 1200 V | ±20V | - | 450 W | SOT-227B | - | 表面贴装 | N | 4 | 1MHz | 单 | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
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RS 库存编号
145-9575
制造商零件编号IKW75N65EL5XKSA1
品牌Infineon
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RMB45.044
毎管：30 个
单位
|
75 A | 650 V | ±20V | - | 536 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
829-7120
制造商零件编号STGF15H60DF
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RMB9.986
/个 (每包:5个)
单位
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30 A | 600 V | ±20V | - | 30 W | TO-220FP | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
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RS 库存编号
168-8738
制造商零件编号STGF15H60DF
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RMB9.166
毎管：50 个
单位
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30 A | 600 V | ±20V | - | 30 W | TO-220FP | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
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RS 库存编号
168-4761
制造商零件编号IXDN55N120D1
品牌IXYS
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RMB226.062
毎管：10 个
单位
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100 A | 1200 V | ±20V | - | 450 W | SOT-227B | - | 表面贴装 | N | 4 | 1MHz | 单 | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
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RS 库存编号
168-4504
制造商零件编号IXGH16N170
品牌IXYS
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RMB70.52
毎管：30 个
单位
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32 A | 1700 V | ±20V | - | - | TO-247AD | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
826-8223
制造商零件编号IKW15N120H3FKSA1
品牌Infineon
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RMB36.62
/个 (每包:2个)
单位
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30 A | 1200 V | ±20V | - | 217 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.03 x 5.16 x 21.1mm |
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RS 库存编号
171-1412
制造商零件编号HYG15P120A1K1
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RMB287.636
个 (以毎盒：18)
单位
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20 A | 1200 V | ±20V | - | 156 W | - | 3 相桥接 | 通孔 | N | 22 | - | 3 相 | 62.8 x 34 x 12mm |
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RS 库存编号
145-9239
制造商零件编号IKW15N120H3FKSA1
品牌Infineon
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RMB30.281
毎管：30 个
单位
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30 A | 1200 V | ±20V | - | 217 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.03 x 5.16 x 21.1mm |
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RS 库存编号
671-5408
制造商零件编号FGL40N120ANDTU
品牌onsemi
|
RMB87.74
个
单位
|
64 A | 1200 V | ±25V | - | - | TO-264 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 20 x 5 x 26mm |
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RS 库存编号
838-6860
制造商零件编号FS75R12KT4B15BOSA1
品牌Infineon
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RMB938.81
个
单位
|
75 A | 1200 V | ±20V | - | 385 W | ECONO2 | 3 相桥接 | PCB | N | 28 | 1MHz | 3 相 | 107.5 x 45 x 17mm |
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RS 库存编号
110-7449
制造商零件编号IHW30N135R3FKSA1
品牌Infineon
|
RMB33.207
/个 (每包:3个)
单位
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30 A | 1350 V | ±20V | - | 349 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
194-776
制造商零件编号IXGH16N170
品牌IXYS
|
RMB77.16
个
单位
|
32 A | 1700 V | ±20V | - | - | TO-247AD | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
808-0293
制造商零件编号IXYK100N120C3
品牌IXYS
|
RMB171.48
个
单位
|
188 A | 1200 V | ±20V | - | 1150 W | TO-264 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 20.29 x 5.31 x 26.59mm |
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RS 库存编号
808-0284
制造商零件编号IXYH40N120C3D1
品牌IXYS
|
RMB92.79
个
单位
|
64 A | 1200 V | ±20V | - | 480 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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|
RS 库存编号
168-4782
制造商零件编号IXYK100N120C3
品牌IXYS
|
RMB146.65
毎管：25 个
单位
|
188 A | 1200 V | ±20V | - | 1150 W | TO-264 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 20.29 x 5.31 x 26.59mm |
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IGBT
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
- 优点：热稳定性好、安全工作区大。
- 缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
- 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
- 电动机
- 不间断电源
- 太阳能面板安装
- 电焊机
- 电源转换器与反相器
- 电感充电器
- 电磁炉
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