IGBT
1655
筛选条件
| 描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS 库存编号
110-7449
制造商零件编号IHW30N135R3FKSA1
品牌Infineon
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RMB33.207
/个 (每包:3个)
单位
|
30 A | 1350 V | ±20V | - | 349 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
808-0271
制造商零件编号IXYH30N120C3D1
品牌IXYS
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RMB91.52
个
单位
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66 A | 1200 V | ±20V | - | 416 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
838-6860
制造商零件编号FS75R12KT4B15BOSA1
品牌Infineon
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RMB938.81
个
单位
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75 A | 1200 V | ±20V | - | 385 W | ECONO2 | 3 相桥接 | PCB | N | 28 | 1MHz | 3 相 | 107.5 x 45 x 17mm |
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RS 库存编号
759-9267
制造商零件编号FGH40N60SFDTU
品牌onsemi
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RMB35.22
个
单位
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80 A | 600 V | ±20V | - | 290 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
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RS 库存编号
808-0284
制造商零件编号IXYH40N120C3D1
品牌IXYS
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RMB92.79
个
单位
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64 A | 1200 V | ±20V | - | 480 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
166-0979
制造商零件编号IHW30N135R3FKSA1
品牌Infineon
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RMB27.77
毎管：30 个
单位
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30 A | 1350 V | ±20V | - | 349 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
808-0293
制造商零件编号IXYK100N120C3
品牌IXYS
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RMB171.48
个
单位
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188 A | 1200 V | ±20V | - | 1150 W | TO-264 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 20.29 x 5.31 x 26.59mm |
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RS 库存编号
168-4779
制造商零件编号IXYH30N120C3D1
品牌IXYS
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RMB74.488
毎管：30 个
单位
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66 A | 1200 V | ±20V | - | 416 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
826-8223
制造商零件编号IKW15N120H3FKSA1
品牌Infineon
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RMB36.62
/个 (每包:2个)
单位
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30 A | 1200 V | ±20V | - | 217 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.03 x 5.16 x 21.1mm |
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RS 库存编号
194-776
制造商零件编号IXGH16N170
品牌IXYS
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RMB77.16
个
单位
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32 A | 1700 V | ±20V | - | - | TO-247AD | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
168-4504
制造商零件编号IXGH16N170
品牌IXYS
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RMB70.52
毎管：30 个
单位
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32 A | 1700 V | ±20V | - | - | TO-247AD | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
111-6083
制造商零件编号FF200R12KS4HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,112.94
个
单位
|
275 A | 1200 V | ±20V | - | 1400 W | AG-62MM-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
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RS 库存编号
505-3138
制造商零件编号SKM145GB066D
品牌Semikron
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RMB727.88
个
单位
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195 A | 600 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94 x 34 x 29.5mm |
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RS 库存编号
761-3754
制造商零件编号FF200R12KT4HOSA1
品牌Infineon
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RMB887.70
个
单位
|
320 A | 1200 V | ±20V | - | 1100 W | 62MM 模块 | 串行 | 面板 | N | 3 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.9mm |
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RS 库存编号
166-0898
制造商零件编号FF200R12KS4HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,076.323
Each (In a Tray of 10)
单位
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275 A | 1200 V | ±20V | - | 1400 W | AG-62MM-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
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RS 库存编号
686-8366
制造商零件编号STGP7NC60HD
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RMB10.465
/个 (每包:2个)
单位
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25 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-220 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
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RS 库存编号
165-5481
制造商零件编号IKW20N60H3FKSA1
品牌Infineon
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RMB16.211
毎管：30 个
单位
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40 A | 600 V | ±20V | - | 170 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 100kHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
804-7619
制造商零件编号IXYN100N120C3H1
品牌IXYS
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RMB371.75
个
单位
|
134 A | 1200 V | ±20V | - | 690 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | 20 → 50kHz | 单 | 38.2 x 25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
468-2410
制造商零件编号SKM100GB125DN
品牌Semikron
|
RMB1,089.25
个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94.5 x 34.5 x 30.5mm |
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RS 库存编号
124-9046
制造商零件编号FF200R12KT4HOSA1
品牌Infineon
|
RMB874.308
个 (以毎盒：10)
单位
|
320 A | 1200 V | ±20V | - | 1100 W | 62MM 模块 | 串行 | 面板 | N | 3 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.9mm |
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IGBT
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
- 优点：热稳定性好、安全工作区大。
- 缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
- 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
- 电动机
- 不间断电源
- 太阳能面板安装
- 电焊机
- 电源转换器与反相器
- 电感充电器
- 电磁炉
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