IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 124-9046
制造商零件编号FF200R12KT4HOSA1
品牌Infineon
RMB874.308
个 (以毎盒:10)
单位
320 A 1200 V ±20V - 1100 W 62MM 模块 串行 面板 N 3 - 串行 106.4 x 61.4 x 30.9mm
RS 库存编号 686-8366
制造商零件编号STGP7NC60HD
RMB10.465
/个 (每包:2个)
单位
25 A 600 V ±20V - - TO-220 - 通孔 N 3 - 10.4 x 4.6 x 9.15mm
RS 库存编号 178-1479
制造商零件编号STGP7NC60HD
RMB10.067
毎管:50 个
单位
25 A 600 V ±20V - - TO-220 - 通孔 N 3 - 10.4 x 4.6 x 9.15mm
RS 库存编号 808-0275
制造商零件编号IXYH40N120C3
品牌IXYS
RMB72.58
单位
70 A 1200 V ±20V - 577 W TO-247 - 通孔 N 3 50kHz 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 808-0234
制造商零件编号IXYX120N120C3
品牌IXYS
RMB236.05
单位
240 A 1200 V ±20V - 1500 W PLUS247 - 通孔 N 3 50kHz 16.13 x 5.21 x 21.34mm
RS 库存编号 168-4762
制造商零件编号IXYN100N120C3H1
品牌IXYS
RMB343.915
毎管:10 个
单位
134 A 1200 V ±20V - 690 W SOT-227B - 表面贴装 N 4 20 → 50kHz 38.2 x 25 x 9.6mm
RS 库存编号 804-7622
制造商零件编号IXYN82N120C3H1
品牌IXYS
RMB350.37
单位
105 A 1200 V ±20V - 500 W SOT-227B - 表面贴装 N 4 20 → 50kHz 38.2 x 25 x 9.6mm
RS 库存编号 165-5481
制造商零件编号IKW20N60H3FKSA1
品牌Infineon
RMB16.211
毎管:30 个
单位
40 A 600 V ±20V - 170 W TO-247 - 通孔 N 3 100kHz 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 111-6083
制造商零件编号FF200R12KS4HOSA1
品牌Infineon
RMB1,112.94
单位
275 A 1200 V ±20V - 1400 W AG-62MM-1 串行 面板 N - - 串行 106.4 x 61.4 x 30.5mm
RS 库存编号 166-0898
制造商零件编号FF200R12KS4HOSA1
品牌Infineon
RMB1,076.323
Each (In a Tray of 10)
单位
275 A 1200 V ±20V - 1400 W AG-62MM-1 串行 面板 N - - 串行 106.4 x 61.4 x 30.5mm
RS 库存编号 671-5433
制造商零件编号HGTG20N60A4D
RMB24.74
单位
70 A 600 V ±20V - - TO-247 - 通孔 N 3 - 15.87 x 4.82 x 20.82mm
RS 库存编号 808-0290
制造商零件编号IXYH82N120C3
品牌IXYS
RMB110.80
单位
200 A 1200 V ±20V - 1250 W TO-247 - 通孔 N 3 50kHz 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 686-8354
制造商零件编号STGW20NC60VD
RMB19.94
单位
60 A 600 V ±20V - - TO-247 - 通孔 N 3 - 15.75 x 5.15 x 20.15mm
RS 库存编号 168-4435
制造商零件编号IXGH40N120B2D1
品牌IXYS
RMB114.98
毎管:30 个
单位
75 A 1200 V ±20V - - TO-247 - 通孔 N 3 - 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 192-988
制造商零件编号IXGH40N120B2D1
品牌IXYS
RMB134.06
单位
75 A 1200 V ±20V - - TO-247 - 通孔 N 3 - 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 168-7763
制造商零件编号GT15J341
品牌Toshiba
RMB16.647
毎管:50 个
单位
15 A 600 V ±25V - 30 W TO-220SIS - 通孔 N 3 100kHz 10 x 4.5 x 15mm
RS 库存编号 761-3751
制造商零件编号FF450R12KT4HOSA1
品牌Infineon
RMB1,468.83
单位
580 A 1200 V ±20V - 2.4 kW 62MM 模块 串行 面板 N 3 - 串行 106.4 x 61.4 x 30.9mm
RS 库存编号 920-1016
制造商零件编号IXYH82N120C3
品牌IXYS
RMB107.525
毎管:30 个
单位
200 A 1200 V ±20V - 1250 W TO-247 - 通孔 N 3 50kHz 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 686-8388
制造商零件编号STGP6NC60HD
RMB9.576
/个 (每包:5个)
单位
15 A 600 V ±20V - - TO-220 - 通孔 N 3 - 10.4 x 4.6 x 9.15mm
RS 库存编号 170-8679
制造商零件编号STGIF10CH60TS-L
RMB91.938
毎管:13 个
单位
15 A 600 V - - 33 W SDIP2F 阵列 通孔 N 26 - 3 相 38 x 24 x 3.5mm

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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