MOSFET

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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
RS 库存编号 178-0835
制造商零件编号IRF840APBF
品牌Vishay
RMB8.123
毎管:50 个
单位
N 8 A 500 V TO-220AB 850 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 125 W
RS 库存编号 542-9440
制造商零件编号IRF840APBF
品牌Vishay
RMB12.07
单位
N 8 A 500 V TO-220AB 850 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 125 W
RS 库存编号 170-8408
制造商零件编号SQ2315ES-T1_GE3
品牌Vishay
RMB1.421
个 (在毎卷:3000)
单位
P 3 A 12 V SOT-23 92 mΩ - 贴片 3 -8 V、+8 V 增强 - 0.45V 2 W
RS 库存编号 819-3901
制造商零件编号SQ2315ES-T1_GE3
品牌Vishay
RMB3.067
/个 (每包:20个)
单位
P 3 A 12 V SOT-23 92 mΩ - 贴片 3 -8 V、+8 V 增强 - 0.45V 2 W
RS 库存编号 710-3241
制造商零件编号SI2303CDS-T1-GE3
品牌Vishay
RMB3.88
/个 (每包:20个)
单位
P 1.9 A 30 V SOT-23 190 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 1000 mW
RS 库存编号 146-1425
制造商零件编号SI2303CDS-T1-GE3
品牌Vishay
RMB1.719
个 (在毎卷:3000)
单位
P 1.9 A 30 V SOT-23 190 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 1 W
RS 库存编号 178-0834
制造商零件编号IRF830APBF
品牌Vishay
RMB8.687
毎管:50 个
单位
N 5 A 500 V TO-220AB 1.4 Ω - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 74 W
RS 库存编号 542-9434
制造商零件编号IRF830APBF
品牌Vishay
RMB10.99
单位
N 5 A 500 V TO-220AB 1.4 Ω - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 74 W
RS 库存编号 710-5060
制造商零件编号SUM110P06-07L-E3
品牌Vishay
RMB25.102
/个 (每包:5个)
单位
P 110 A 60 V D2PAK (TO-263) 7 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 3.75 W
RS 库存编号 919-0938
制造商零件编号SUM110P06-07L-E3
品牌Vishay
RMB13.269
个 (在毎卷:800)
单位
P 110 A 60 V D2PAK (TO-263) 7 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 3.75 W
RS 库存编号 919-4400
制造商零件编号IRF840LCPBF
品牌Vishay
RMB16.66
毎管:50 个
单位
N 8 A 500 V TO-220AB 850 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - - 125 W
RS 库存编号 301-495
制造商零件编号IRF840LCPBF
品牌Vishay
RMB18.50
单位
N 8 A 500 V TO-220AB 850 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 125000 mW
RS 库存编号 178-0815
制造商零件编号IRL510PBF
品牌Vishay
RMB6.553
毎管:50 个
单位
N 5.6 A 100 V TO-220AB 540 mΩ - 通孔 3 -10 V、+10 V 增强 - 1V 3.7 W
RS 库存编号 541-0610
制造商零件编号IRL510PBF
品牌Vishay
RMB6.34
单位
N 5.6 A 100 V TO-220AB 540 mΩ - 通孔 3 -10 V、+10 V 增强 - 1V 3.7 W
RS 库存编号 178-0817
制造商零件编号IRF9640PBF
品牌Vishay
RMB9.757
毎管:50 个
单位
P 11 A 200 V TO-220AB 500 MΩ - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 125 W
RS 库存编号 541-1118
制造商零件编号IRF9640PBF
品牌Vishay
RMB12.14
单位
P 11 A 200 V TO-220AB 500 MΩ - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 125 W
RS 库存编号 812-3123
制造商零件编号SI2337DS-T1-GE3
品牌Vishay
RMB5.14
/个 (每包:20个)
单位
P 1.75 A 80 V SOT-23 303 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 2.5 W
RS 库存编号 165-7181
制造商零件编号SI2337DS-T1-GE3
品牌Vishay
RMB3.953
个 (在毎卷:3000)
单位
P 1.75 A 80 V SOT-23 303 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 2.5 W
RS 库存编号 165-7249
制造商零件编号SI4178DY-T1-GE3
品牌Vishay
RMB2.478
个 (在毎卷:2500)
单位
N 12 A 30 V SOIC 33 mΩ - 贴片 8 -25 V、+25 V 增强 - 1.4V 5 W
RS 库存编号 812-3205
制造商零件编号SI4178DY-T1-GE3
品牌Vishay
RMB3.454
/个 (每包:20个)
单位
N 12 A 30 V SOIC 33 mΩ - 贴片 8 -25 V、+25 V 增强 - 1.4V 5 W

MOSFET

MOSFET是什么?

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
  • NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
  • 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如InfineonVishayON SemiconductorDiodesZetexSTMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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