描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | |
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RS 库存编号
178-0835
制造商零件编号IRF840APBF
品牌Vishay
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RMB8.123
毎管:50 个
单位
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N | 8 A | 500 V | TO-220AB | 850 mΩ | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | 2V | 125 W | 单 |
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RS 库存编号
542-9440
制造商零件编号IRF840APBF
品牌Vishay
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RMB12.07
个
单位
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N | 8 A | 500 V | TO-220AB | 850 mΩ | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | 2V | 125 W | 单 |
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RS 库存编号
170-8408
制造商零件编号SQ2315ES-T1_GE3
品牌Vishay
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RMB1.421
个 (在毎卷:3000)
单位
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P | 3 A | 12 V | SOT-23 | 92 mΩ | - | 贴片 | 3 | -8 V、+8 V | 增强 | - | 0.45V | 2 W | 单 |
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RS 库存编号
819-3901
制造商零件编号SQ2315ES-T1_GE3
品牌Vishay
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RMB3.067
/个 (每包:20个)
单位
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P | 3 A | 12 V | SOT-23 | 92 mΩ | - | 贴片 | 3 | -8 V、+8 V | 增强 | - | 0.45V | 2 W | 单 |
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RS 库存编号
710-3241
制造商零件编号SI2303CDS-T1-GE3
品牌Vishay
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RMB3.88
/个 (每包:20个)
单位
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P | 1.9 A | 30 V | SOT-23 | 190 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 1V | 1000 mW | 单 |
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RS 库存编号
146-1425
制造商零件编号SI2303CDS-T1-GE3
品牌Vishay
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RMB1.719
个 (在毎卷:3000)
单位
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P | 1.9 A | 30 V | SOT-23 | 190 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 1V | 1 W | 单 |
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RS 库存编号
178-0834
制造商零件编号IRF830APBF
品牌Vishay
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RMB8.687
毎管:50 个
单位
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N | 5 A | 500 V | TO-220AB | 1.4 Ω | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | 2V | 74 W | 单 |
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RS 库存编号
542-9434
制造商零件编号IRF830APBF
品牌Vishay
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RMB10.99
个
单位
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N | 5 A | 500 V | TO-220AB | 1.4 Ω | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | 2V | 74 W | 单 |
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RS 库存编号
710-5060
制造商零件编号SUM110P06-07L-E3
品牌Vishay
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RMB25.102
/个 (每包:5个)
单位
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P | 110 A | 60 V | D2PAK (TO-263) | 7 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 1V | 3.75 W | 单 |
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RS 库存编号
919-0938
制造商零件编号SUM110P06-07L-E3
品牌Vishay
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RMB13.269
个 (在毎卷:800)
单位
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P | 110 A | 60 V | D2PAK (TO-263) | 7 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 1V | 3.75 W | 单 |
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RS 库存编号
919-4400
制造商零件编号IRF840LCPBF
品牌Vishay
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RMB16.66
毎管:50 个
单位
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N | 8 A | 500 V | TO-220AB | 850 mΩ | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | - | 125 W | 单 |
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RS 库存编号
301-495
制造商零件编号IRF840LCPBF
品牌Vishay
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RMB18.50
个
单位
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N | 8 A | 500 V | TO-220AB | 850 mΩ | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | 2V | 125000 mW | 单 |
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RS 库存编号
178-0815
制造商零件编号IRL510PBF
品牌Vishay
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RMB6.553
毎管:50 个
单位
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N | 5.6 A | 100 V | TO-220AB | 540 mΩ | - | 通孔 | 3 | -10 V、+10 V | 增强 | - | 1V | 3.7 W | 单 |
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RS 库存编号
541-0610
制造商零件编号IRL510PBF
品牌Vishay
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RMB6.34
个
单位
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N | 5.6 A | 100 V | TO-220AB | 540 mΩ | - | 通孔 | 3 | -10 V、+10 V | 增强 | - | 1V | 3.7 W | 单 |
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RS 库存编号
178-0817
制造商零件编号IRF9640PBF
品牌Vishay
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RMB9.757
毎管:50 个
单位
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P | 11 A | 200 V | TO-220AB | 500 MΩ | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 2V | 125 W | 单 |
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RS 库存编号
541-1118
制造商零件编号IRF9640PBF
品牌Vishay
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RMB12.14
个
单位
|
P | 11 A | 200 V | TO-220AB | 500 MΩ | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 2V | 125 W | 单 |
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RS 库存编号
812-3123
制造商零件编号SI2337DS-T1-GE3
品牌Vishay
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RMB5.14
/个 (每包:20个)
单位
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P | 1.75 A | 80 V | SOT-23 | 303 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 2V | 2.5 W | 单 |
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RS 库存编号
165-7181
制造商零件编号SI2337DS-T1-GE3
品牌Vishay
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RMB3.953
个 (在毎卷:3000)
单位
|
P | 1.75 A | 80 V | SOT-23 | 303 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 2V | 2.5 W | 单 |
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RS 库存编号
165-7249
制造商零件编号SI4178DY-T1-GE3
品牌Vishay
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RMB2.478
个 (在毎卷:2500)
单位
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N | 12 A | 30 V | SOIC | 33 mΩ | - | 贴片 | 8 | -25 V、+25 V | 增强 | - | 1.4V | 5 W | 单 |
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RS 库存编号
812-3205
制造商零件编号SI4178DY-T1-GE3
品牌Vishay
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RMB3.454
/个 (每包:20个)
单位
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N | 12 A | 30 V | SOIC | 33 mΩ | - | 贴片 | 8 | -25 V、+25 V | 增强 | - | 1.4V | 5 W | 单 |
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。
RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。
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