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MOSFET

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显示 1 - 20 个产品，共 601 个
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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 15 A, TO-220FM, 通孔安装, 3引脚, R6015ANX
RS 库存编号 826-7548
制造商零件编号R6015ANX
品牌ROHM
RMB41.66
/个 (每包:2个)
单位
 N 15 A 600 V TO-220FM 300 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 4.5V - 50 W 单
ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 200 mA, SC-75, 贴片安装, 3引脚, RE1C002UNTCL
RS 库存编号 124-6784
制造商零件编号RE1C002UNTCL
品牌ROHM
RMB0.422
/个 (每包:150个)
单位
 N 200 mA 20 V SC-75 4.8 Ω RE1C002UN 贴片 3 -8 V、+8 V 增强 1V 0.3V 150 mW -
ROHM P沟道增强型MOS管, Vds=45 V, 2 A, TSMT-3, 贴片安装, 3引脚, RQ5H020SPTL
RS 库存编号 133-3302
制造商零件编号RQ5H020SPTL
品牌ROHM
RMB2.816
/个 (每包:25个)
单位
 P 2 A 45 V TSMT-3 280 mΩ RQ5H020SP 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 3V 1V 1 W 单
ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=50 V, 200 mA, SOT-723, 贴片安装, 3引脚, RUM002N05T2L
RS 库存编号 124-6840
制造商零件编号RUM002N05T2L
品牌ROHM
RMB1.785
/个 (每包:60个)
单位
 N 200 mA 50 V SOT-723 7.2 Ω RUM002N05 贴片 3 -8 V、+8 V 增强 1V 0.3V 150 mW -
ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 250 mA, SOT-723, 贴片安装, 3引脚, RSM002N06T2L
RS 库存编号 124-6824
制造商零件编号RSM002N06T2L
品牌ROHM
RMB1.525
/个 (每包:60个)
单位
 N 250 mA 60 V SOT-723 12 Ω RSM002N06 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.3V 1V 50 W -
ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 2 A, TSMT-3, 贴片安装, 3引脚, RUR020N02TL
RS 库存编号 124-6841
制造商零件编号RUR020N02TL
品牌ROHM
RMB2.968
/个 (每包:25个)
单位
 N 2 A 20 V TSMT-3 240 mΩ RUR020N02 贴片 3 -10 V、+10 V 增强 1V 0.3V 1 W -
ROHM P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 100 mA, SC-75, 贴片安装, 3引脚, RE1C001ZPTL
RS 库存编号 124-6783
制造商零件编号RE1C001ZPTL
品牌ROHM
RMB0.52
/个 (每包:125个)
单位
 P 100 mA 20 V SC-75 40 Ω RE1C001ZP 贴片 3 -10 V、+10 V 增强 1V 0.3V 150 mW -
ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 200 mA, SOT-563, 贴片安装, 6引脚, EM6K7T2R
RS 库存编号 124-6574
制造商零件编号EM6K7T2R
品牌ROHM
RMB2.63
/个 (每包:40个)
单位
 N 200 mA 20 V SOT-563 4.8 Ω EM6K7 贴片 6 -8 V、+8 V 增强 1V 0.3V 150 mW 隔离式
ROHM P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 200 mA, SOT-323, 贴片安装, 3引脚, RU1C002ZPTCL
RS 库存编号 124-6835
制造商零件编号RU1C002ZPTCL
品牌ROHM
RMB0.534
/个 (每包:100个)
单位
 P 200 mA 20 V SOT-323 9.6 Ω RU1C002ZP 贴片 3 -10 V、+10 V 增强 1V 0.3V 150 mW -
ROHM P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 200 mA, SOT-723, 贴片安装, 3引脚, RZM002P02T2L
RS 库存编号 124-6846
制造商零件编号RZM002P02T2L
品牌ROHM
RMB1.532
/个 (每包:75个)
单位
 P 200 mA 20 V SOT-723 9.6 Ω RZM002P02 贴片 3 -10 V、+10 V 增强 1V 0.3V 150 mW -
ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 100 mA, SOT-723, 贴片安装, 3引脚, RUM001L02T2CL
RS 库存编号 124-6838
制造商零件编号RUM001L02T2CL
品牌ROHM
RMB0.702
/个 (每包:150个)
单位
 N 100 mA 20 V SOT-723 18 Ω RUM001L02 贴片 3 -8 V、+8 V 增强 1V 0.3V 150 mW -
ROHM N/P沟道MOS管, Vds=30 V, 5.5 A，7 A, DFN3333-9DC, 贴片安装, 9引脚, HS8MA2TCR1
RS 库存编号 223-6202
制造商零件编号HS8MA2TCR1
品牌ROHM
RMB3.064
个 (在毎卷：1000)
单位
 N，P 5.5 A，7 A 30 V DFN3333-9DC 0.08 Ω， 0.035 Ω - 贴片 9 - - 2.5 V - - -
ROHM P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 3.5 A, TSMT-3, 贴片安装, 3引脚, RQ5C035BCTCL
RS 库存编号 171-9927
制造商零件编号RQ5C035BCTCL
品牌ROHM
RMB1.963
/个 (每包:100个)
单位
 P 3.5 A 20 V TSMT-3 135 mΩ RQ5C035BC 贴片 3 ±12 V 增强 1.2V 0.5V 1 W 单
ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=750 V, 31A, TO-263-7L, 贴片安装, 7引脚, SCT4045DW7TL
RS 库存编号 267-2446
制造商零件编号SCT4045DW7TL
品牌ROHM
RMB80.65
个
单位
 N 31A 750 V TO-263-7L - - 贴片 7 - 增强 - - - -
ROHM N/P沟道MOS管, Vds=30 V, 5.5 A，7 A, DFN3333-9DC, 贴片安装, 9引脚, HS8MA2TCR1
RS 库存编号 223-6203
制造商零件编号HS8MA2TCR1
品牌ROHM
RMB5.704
/个 (每包:25个)
单位
 N，P 5.5 A，7 A 30 V DFN3333-9DC 0.08 Ω， 0.035 Ω - 贴片 9 - - 2.5 V - - -
ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 10 A, TO-247N, 通孔安装, 3引脚, SCT2450KEHRC11
RS 库存编号 235-2804
制造商零件编号SCT2450KEHRC11
品牌ROHM
RMB58.414
毎管：450 个
单位
 N 10 A 1200 V TO-247N 0.45 Ω - 通孔 3 - 增强 4V - - -
ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 81 A, TO-247N, 贴片安装, 3引脚, SCT4018KEC11
RS 库存编号 267-2437
制造商零件编号SCT4018KEC11
品牌ROHM
RMB200.369
毎管：450 个
单位
 N 81 A 1200 V TO-247N - - 贴片 3 - 增强 - - - -
ROHM N沟道MOS管, Vds=800 V, 9 A, TO-220FM, 贴片安装, 3引脚, R8009KNXC7G
RS 库存编号 223-6215
制造商零件编号R8009KNXC7G
品牌ROHM
RMB26.04
/个 (每包:2个)
单位
 N 9 A 800 V TO-220FM 0.6. Ω - 贴片 3 - - 4.5V - - -
ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 24 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, SCT3105KRC15
RS 库存编号 266-3900
制造商零件编号SCT3105KRC15
品牌ROHM
RMB80.16
个
单位
 N 24 A 1200 V TO-247-4L - - 通孔 4 - 增强 - - - -
ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2 A, SOT-89, 贴片安装, 3引脚, RHP020N06T100
RS 库存编号 168-2093
制造商零件编号RHP020N06T100
品牌ROHM
RMB4.651
/个 (每包:20个)
单位
 N 2 A 60 V SOT-89 340 mΩ - 贴片 3 ±20 V 增强 2.5V 1V 500 mW 单

MOSFET

MOSFET是什么？

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
  • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
  • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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