描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | |
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RS 库存编号
168-4755
制造商零件编号IXFN44N100Q3
品牌IXYS
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RMB408.354
毎管:10 个
单位
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N | 38 A | 1000 V | SOT-227 | 220 mΩ | HiperFET, Q3-Class | 螺钉 | 4 | -30 V、+30 V | 增强 | 6.5V | - | 960 W | 单 |
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RS 库存编号
804-7577
制造商零件编号IXFN44N100Q3
品牌IXYS
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RMB404.89
个
单位
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N | 38 A | 1000 V | SOT-227 | 220 mΩ | HiperFET, Q3-Class | 螺钉 | 4 | -30 V、+30 V | 增强 | 6.5V | - | 960 W | 单 |
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RS 库存编号
711-5382
制造商零件编号IXFK27N80Q
品牌IXYS
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RMB162.50
个
单位
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N | 27 A | 800 V | TO-264AA | 320 mΩ | HiperFET, Q-Class | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4.5V | - | 500 W | 单 |
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RS 库存编号
168-4794
制造商零件编号MMIX1T550N055T2
品牌IXYS
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RMB282.197
毎管:20 个
单位
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N | 550 A | 55 V | SMPD | 1.3 mΩ | GigaMOS, HiperFET | 贴片 | 24 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.8V | - | 830 W | 单 |
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RS 库存编号
920-0874
制造商零件编号IXFK27N80Q
品牌IXYS
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RMB165.272
毎管:25 个
单位
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N | 27 A | 800 V | TO-264AA | 320 mΩ | HiperFET, Q-Class | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4.5V | - | 500 W | 单 |
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RS 库存编号
875-2500
制造商零件编号MMIX1T550N055T2
品牌IXYS
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RMB340.38
个
单位
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N | 550 A | 55 V | SMPD | 1.3 mΩ | GigaMOS, HiperFET | 贴片 | 24 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.8V | - | 830 W | 单 |
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RS 库存编号
146-4236
制造商零件编号IXFH80N65X2
品牌IXYS
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RMB82.217
毎管:30 个
单位
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N | 80 A | 650 V | TO-247 | 38 mΩ | HiperFET | 通孔 | 3 | ±30 V | 增强 | 5V | 3.5V | 890 W | 单 |
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RS 库存编号
168-4811
制造商零件编号IXFH46N65X2
品牌IXYS
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RMB52.374
毎管:30 个
单位
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N | 46 A | 650 V | TO-247 | 69 mΩ | HiperFET, X2-Class | 通孔 | 3 | -30 V,+30 V | 增强 | 5.5V | 2.7V | 660 瓦 | 单 |
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RS 库存编号
917-1413
制造商零件编号IXFH46N65X2
品牌IXYS
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RMB72.10
个
单位
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N | 46 A | 650 V | TO-247 | 69 mΩ | HiperFET, X2-Class | 通孔 | 3 | -30 V,+30 V | 增强 | 5.5V | 2.7V | 660 瓦 | 单 |
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RS 库存编号
920-0785
制造商零件编号IXFH44N50P
品牌IXYS
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RMB70.078
毎管:30 个
单位
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N | 44 A | 500 V | TO-247AD | 140 mΩ | HiperFET, Polar | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 5V | - | 650 W | 单 |
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RS 库存编号
194-552
制造商零件编号IXFH44N50P
品牌IXYS
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RMB71.59
个
单位
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N | 44 A | 500 V | TO-247AD | 140 mΩ | HiperFET, Polar | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 5V | - | 650 W | 单 |
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RS 库存编号
168-4702
制造商零件编号IXFK32N100Q3
品牌IXYS
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RMB209.816
毎管:25 个
单位
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N | 32 A | 1000 V | TO-264 | 320 mΩ | HiperFET, Q3-Class | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 6.5V | - | 1.25 kW | 单 |
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RS 库存编号
801-1409
制造商零件编号IXFK32N100Q3
品牌IXYS
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RMB222.98
个
单位
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N | 32 A | 1000 V | TO-264 | 320 mΩ | HiperFET, Q3-Class | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 6.5V | - | 1.25 kW | 单 |
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RS 库存编号
168-4473
制造商零件编号IXFN36N100
品牌IXYS
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RMB509.446
毎管:10 个
单位
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N | 36 A | 1000 V | SOT-227 | 240 mΩ | HiperFET | 螺钉 | 4 | -20 V、+20 V | 增强 | 5V | - | 700W | 单 |
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RS 库存编号
193-795
制造商零件编号IXFN36N100
品牌IXYS
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RMB505.18
个
单位
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N | 36 A | 1000 V | SOT-227 | 240 mΩ | HiperFET | 螺钉 | 4 | -20 V、+20 V | 增强 | 5V | - | 700000 mW | 单 |
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RS 库存编号
125-8047
制造商零件编号IXTH110N25T
品牌IXYS
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RMB67.10
个
单位
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N | 110 A | 最小为 250 V | TO-247 | 24 mΩ | Trench | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 5V | 3V | 694 W | - |
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RS 库存编号
686-7852
制造商零件编号IXTK22N100L
品牌IXYS
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RMB307.25
个
单位
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N | 22 A | 1000 V | TO-264 | 600 mΩ | Linear | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 5V | - | 700W | 单 |
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RS 库存编号
146-1713
制造商零件编号IXTK22N100L
品牌IXYS
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RMB292.077
毎管:25 个
单位
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N | 22 A | 1000 V | TO-264 | 600 mΩ | Linear | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 5V | - | 700W | 单 |
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RS 库存编号
168-4583
制造商零件编号IXTH110N25T
品牌IXYS
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RMB57.73
毎管:30 个
单位
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N | 110 A | 250 V | TO-247 | 24 mΩ | Trench | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 5V | 3V | 694 W | - |
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RS 库存编号
920-0754
制造商零件编号IXFH24N80P
品牌IXYS
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RMB61.731
毎管:30 个
单位
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N | 24 A | 800 V | TO-247AD | 400 mΩ | HiperFET, Polar | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 5V | - | 650 W | 单 |
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。
RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。
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