MOSFET

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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
RS 库存编号 168-4755
制造商零件编号IXFN44N100Q3
品牌IXYS
RMB408.354
毎管:10 个
单位
N 38 A 1000 V SOT-227 220 mΩ HiperFET, Q3-Class 螺钉 4 -30 V、+30 V 增强 6.5V - 960 W
RS 库存编号 804-7577
制造商零件编号IXFN44N100Q3
品牌IXYS
RMB404.89
单位
N 38 A 1000 V SOT-227 220 mΩ HiperFET, Q3-Class 螺钉 4 -30 V、+30 V 增强 6.5V - 960 W
RS 库存编号 711-5382
制造商零件编号IXFK27N80Q
品牌IXYS
RMB162.50
单位
N 27 A 800 V TO-264AA 320 mΩ HiperFET, Q-Class 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4.5V - 500 W
RS 库存编号 168-4794
制造商零件编号MMIX1T550N055T2
品牌IXYS
RMB282.197
毎管:20 个
单位
N 550 A 55 V SMPD 1.3 mΩ GigaMOS, HiperFET 贴片 24 -20 V、+20 V 增强 3.8V - 830 W
RS 库存编号 920-0874
制造商零件编号IXFK27N80Q
品牌IXYS
RMB165.272
毎管:25 个
单位
N 27 A 800 V TO-264AA 320 mΩ HiperFET, Q-Class 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4.5V - 500 W
RS 库存编号 875-2500
制造商零件编号MMIX1T550N055T2
品牌IXYS
RMB340.38
单位
N 550 A 55 V SMPD 1.3 mΩ GigaMOS, HiperFET 贴片 24 -20 V、+20 V 增强 3.8V - 830 W
RS 库存编号 146-4236
制造商零件编号IXFH80N65X2
品牌IXYS
RMB82.217
毎管:30 个
单位
N 80 A 650 V TO-247 38 mΩ HiperFET 通孔 3 ±30 V 增强 5V 3.5V 890 W
RS 库存编号 168-4811
制造商零件编号IXFH46N65X2
品牌IXYS
RMB52.374
毎管:30 个
单位
N 46 A 650 V TO-247 69 mΩ HiperFET, X2-Class 通孔 3 -30 V,+30 V 增强 5.5V 2.7V 660 瓦
RS 库存编号 917-1413
制造商零件编号IXFH46N65X2
品牌IXYS
RMB72.10
单位
N 46 A 650 V TO-247 69 mΩ HiperFET, X2-Class 通孔 3 -30 V,+30 V 增强 5.5V 2.7V 660 瓦
RS 库存编号 920-0785
制造商零件编号IXFH44N50P
品牌IXYS
RMB70.078
毎管:30 个
单位
N 44 A 500 V TO-247AD 140 mΩ HiperFET, Polar 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V - 650 W
RS 库存编号 194-552
制造商零件编号IXFH44N50P
品牌IXYS
RMB71.59
单位
N 44 A 500 V TO-247AD 140 mΩ HiperFET, Polar 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V - 650 W
RS 库存编号 168-4702
制造商零件编号IXFK32N100Q3
品牌IXYS
RMB209.816
毎管:25 个
单位
N 32 A 1000 V TO-264 320 mΩ HiperFET, Q3-Class 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 6.5V - 1.25 kW
RS 库存编号 801-1409
制造商零件编号IXFK32N100Q3
品牌IXYS
RMB222.98
单位
N 32 A 1000 V TO-264 320 mΩ HiperFET, Q3-Class 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 6.5V - 1.25 kW
RS 库存编号 168-4473
制造商零件编号IXFN36N100
品牌IXYS
RMB509.446
毎管:10 个
单位
N 36 A 1000 V SOT-227 240 mΩ HiperFET 螺钉 4 -20 V、+20 V 增强 5V - 700W
RS 库存编号 193-795
制造商零件编号IXFN36N100
品牌IXYS
RMB505.18
单位
N 36 A 1000 V SOT-227 240 mΩ HiperFET 螺钉 4 -20 V、+20 V 增强 5V - 700000 mW
RS 库存编号 125-8047
制造商零件编号IXTH110N25T
品牌IXYS
RMB67.10
单位
N 110 A 最小为 250 V TO-247 24 mΩ Trench 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 5V 3V 694 W -
RS 库存编号 686-7852
制造商零件编号IXTK22N100L
品牌IXYS
RMB307.25
单位
N 22 A 1000 V TO-264 600 mΩ Linear 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V - 700W
RS 库存编号 146-1713
制造商零件编号IXTK22N100L
品牌IXYS
RMB292.077
毎管:25 个
单位
N 22 A 1000 V TO-264 600 mΩ Linear 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V - 700W
RS 库存编号 168-4583
制造商零件编号IXTH110N25T
品牌IXYS
RMB57.73
毎管:30 个
单位
N 110 A 250 V TO-247 24 mΩ Trench 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 5V 3V 694 W -
RS 库存编号 920-0754
制造商零件编号IXFH24N80P
品牌IXYS
RMB61.731
毎管:30 个
单位
N 24 A 800 V TO-247AD 400 mΩ HiperFET, Polar 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V - 650 W

MOSFET

MOSFET是什么?

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
  • NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
  • 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如InfineonVishayON SemiconductorDiodesZetexSTMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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