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MOSFET

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显示 21 - 40 个产品，共 12074 个
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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 124-9035
制造商零件编号2N7002H6327XTSA2
品牌Infineon
RMB0.308
个 (在毎卷：3000)
单位
 N 300 mA 60 V SOT-23 4 Ω OptiMOS 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V 1.5V 500 mW 单
IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=1000 V, 38 A, SOT-227, 螺钉安装, 4引脚, IXFN44N100Q3
RS 库存编号 168-4755
制造商零件编号IXFN44N100Q3
品牌IXYS
RMB408.354
毎管：10 个
单位
 N 38 A 1000 V SOT-227 220 mΩ HiperFET, Q3-Class 螺钉 4 -30 V、+30 V 增强 6.5V - 960 W 单
Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, LFPAK,SOT-669, 贴片安装, 4引脚
RS 库存编号 103-8127
制造商零件编号PSMN5R5-60YS,115
品牌Nexperia
RMB6.636
个 (在毎卷：1500)
单位
 N 100 A 60 V LFPAK,SOT-669 8.3 mΩ - 贴片 4 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 130 W 单
Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, LFPAK、SOT-669, 贴片安装, 4引脚
RS 库存编号 798-2996
制造商零件编号PSMN5R5-60YS,115
品牌Nexperia
RMB11.706
/个 (每包:5个)
单位
 N 100 A 60 V LFPAK、SOT-669 8.3 mΩ - 贴片 4 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 130 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 55 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚
RS 库存编号 754-5301
制造商零件编号BSC123N08NS3GATMA1
品牌Infineon
RMB9.808
/个 (每包:5个)
单位
 N 55 A 80 V TDSON 24 mΩ OptiMOS 3 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 3.5V 2V 66 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 55 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚
RS 库存编号 911-0780
制造商零件编号BSC123N08NS3GATMA1
品牌Infineon
RMB4.244
个 (在毎卷：5000)
单位
 N 55 A 80 V TDSON 24 mΩ OptiMOS 3 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 3.5V 2V 66 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1500 V, 2.5 A, H2PAK-2, 贴片安装, 3引脚, STH3N150-2
RS 库存编号 103-2012
制造商零件编号STH3N150-2
品牌STMicroelectronics
RMB27.538
个 (在毎卷：1000)
单位
 N 2.5 A 1500 V H2PAK-2 9 Ω MDmesh 贴片 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 140 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1500 V, 2.5 A, H2PAK-2, 贴片安装, 3引脚, STH3N150-2
RS 库存编号 792-5861
制造商零件编号STH3N150-2
品牌STMicroelectronics
RMB39.875
/个 (每包:2个)
单位
 N 2.5 A 1500 V H2PAK-2 9 Ω MDmesh 贴片 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 140 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 65 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFB4227PBF
RS 库存编号 650-4277
制造商零件编号IRFB4227PBF
品牌Infineon
RMB21.41
个
单位
 N 65 A 200 V TO-220AB 24 mΩ HEXFET 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 330 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 65 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFB4227PBF
RS 库存编号 913-3932
制造商零件编号IRFB4227PBF
品牌Infineon
RMB18.673
毎管：50 个
单位
 N 65 A 200 V TO-220AB 24 mΩ HEXFET 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 330 W 单
IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 550 A, SMPD, 贴片安装, 24引脚
RS 库存编号 875-2500
制造商零件编号MMIX1T550N055T2
品牌IXYS
RMB340.38
个
单位
 N 550 A 55 V SMPD 1.3 mΩ GigaMOS, HiperFET 贴片 24 -20 V、+20 V 增强 3.8V - 830 W 单
IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 27 A, TO-264AA, 通孔安装, 3引脚, IXFK27N80Q
RS 库存编号 920-0874
制造商零件编号IXFK27N80Q
品牌IXYS
RMB165.272
毎管：25 个
单位
 N 27 A 800 V TO-264AA 320 mΩ HiperFET, Q-Class 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4.5V - 500 W 单
IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 27 A, TO-264AA, 通孔安装, 3引脚, IXFK27N80Q
RS 库存编号 711-5382
制造商零件编号IXFK27N80Q
品牌IXYS
RMB162.50
个
单位
 N 27 A 800 V TO-264AA 320 mΩ HiperFET, Q-Class 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4.5V - 500 W 单
IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 550 A, SMPD, 贴片安装, 24引脚, MMIX1T550N055T2
RS 库存编号 168-4794
制造商零件编号MMIX1T550N055T2
品牌IXYS
RMB282.197
毎管：20 个
单位
 N 550 A 55 V SMPD 1.3 mΩ GigaMOS, HiperFET 贴片 24 -20 V、+20 V 增强 3.8V - 830 W 单
IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 80 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IXFH80N65X2
RS 库存编号 146-4236
制造商零件编号IXFH80N65X2
品牌IXYS
RMB82.217
毎管：30 个
单位
 N 80 A 650 V TO-247 38 mΩ HiperFET 通孔 3 ±30 V 增强 5V 3.5V 890 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 100 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚
RS 库存编号 178-7494
制造商零件编号BSC047N08NS3GATMA1
品牌Infineon
RMB10.222
个 (在毎卷：5000)
单位
 N 100 A 80 V TDSON 8.9 mΩ OptiMOS 3 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - - 125 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 100 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚
RS 库存编号 906-4347
制造商零件编号BSC047N08NS3GATMA1
品牌Infineon
RMB13.33
/个 (每包:10个)
单位
 N 100 A 80 V TDSON 8.9 mΩ OptiMOS 3 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - - 125 W 单
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 819-3901
制造商零件编号SQ2315ES-T1_GE3
品牌Vishay
RMB3.067
/个 (每包:20个)
单位
 P 3 A 12 V SOT-23 92 mΩ SQ Rugged 贴片 3 -8 V、+8 V 增强 - 0.45V 2 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚
RS 库存编号 906-4296
制造商零件编号BSC028N06NSATMA1
品牌Infineon
RMB10.60
/个 (每包:10个)
单位
 N 100 A 60 V TDSON 4.2 mΩ OptiMOS 5 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - - 83 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚
RS 库存编号 178-7485
制造商零件编号BSC028N06NSATMA1
品牌Infineon
RMB10.587
个 (在毎卷：5000)
单位
 N 100 A 60 V TDSON 4.2 mΩ OptiMOS 5 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - - 83 W 单

MOSFET

MOSFET是什么？

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
  • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
  • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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