MOSFET

筛选条件

显示 61 - 80 个产品,共 12351 个
每页显示搜索结果
描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
RS 库存编号 162-9709
制造商零件编号C2M0160120D
品牌Wolfspeed
RMB69.905
毎管:30 个
单位
N 19 A 1200 V TO-247 196 mΩ - 通孔 3 -5 V、+20 V 增强 2.5V 2.4V 125 W
RS 库存编号 904-7348
制造商零件编号C2M0160120D
品牌Wolfspeed
RMB80.37
单位
N 19 A 1200 V TO-247 196 mΩ - 通孔 3 -5 V、+20 V 增强 2.5V 2.4V 125 W
RS 库存编号 919-4794
制造商零件编号IRF540NPBF
品牌Infineon
RMB7.914
毎管:50 个
单位
N 33 A 100 V TO-220AB 44 mΩ - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 130 W
RS 库存编号 178-0834
制造商零件编号IRF830APBF
品牌Vishay
RMB8.687
毎管:50 个
单位
N 5 A 500 V TO-220AB 1.4 Ω - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 74 W
RS 库存编号 542-9434
制造商零件编号IRF830APBF
品牌Vishay
RMB10.99
单位
N 5 A 500 V TO-220AB 1.4 Ω - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 74 W
RS 库存编号 914-8154
制造商零件编号IRF540NPBF
品牌Infineon
RMB7.914
/个 (每包:20个)
单位
N 33 A 100 V TO-220AB 44 mΩ - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 130 W
RS 库存编号 830-3344
制造商零件编号IRLR120NTRPBF
品牌英飞凌
RMB3.78
/个 (每包:20个)
单位
N 10 A 100 V DPAK (TO-252) 265 mΩ - 贴片 3 -16 V、+16 V 增强 2V 1V 48 W
RS 库存编号 178-4687
制造商零件编号BSS138LT3G
品牌onsemi
RMB0.315
个 (在毎卷:10000)
单位
N 200 mA 50 V SOT-23 3.5. Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 1.5V 0.5V 225 mW
RS 库存编号 710-5060
制造商零件编号SUM110P06-07L-E3
品牌Vishay
RMB25.102
/个 (每包:5个)
单位
P 110 A 60 V D2PAK (TO-263) 7 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 3.75 W
RS 库存编号 690-0136
制造商零件编号BSS138LT3G
品牌onsemi
RMB1.915
/个 (每包:25个)
单位
N 200 mA 50 V SOT-23 3.5 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 1.5V 0.5V 225 mW
RS 库存编号 545-2529
制造商零件编号BSS138LT1G
品牌onsemi
RMB2.035
/个 (每包:25个)
单位
N 200 mA 50 V SOT-23 3.5 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 1.5V - 225 mW
RS 库存编号 545-0012
制造商零件编号2N7002LT1G
品牌onsemi
RMB2.747
/个 (每包:50个)
单位
N 115 mA 60 V SOT-23 7.5 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V - 300 mW
RS 库存编号 124-2291
制造商零件编号BSS138P,215
品牌Nexperia
RMB0.227
个 (在毎卷:3000)
单位
N 360 mA 60 V SOT-23 1.6 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 1.5V 0.9V 420 mW
RS 库存编号 919-0938
制造商零件编号SUM110P06-07L-E3
品牌Vishay
RMB13.269
个 (在毎卷:800)
单位
P 110 A 60 V D2PAK (TO-263) 7 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 3.75 W
RS 库存编号 791-6025
制造商零件编号2N7002LT3G
品牌onsemi
RMB0.43
/个 (每包:200个)
单位
N 115 mA 60 V SOT-23 7.5 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V - 300 mW
RS 库存编号 792-0891
制造商零件编号BSS138P,215
品牌Nexperia
RMB0.351
个 (在毎卷:100)
单位
N 360 mA 60 V SOT-23 1.6 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 1.5V 0.9V 420 mW
RS 库存编号 103-2941
制造商零件编号2N7002LT1G
品牌onsemi
RMB0.308
个 (在毎卷:3000)
单位
N 115 mA 60 V SOT-23 7.5 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V - 300 mW
RS 库存编号 103-2965
制造商零件编号BSS138LT1G
品牌onsemi
RMB0.564
个 (在毎卷:3000)
单位
N 200 mA 50 V SOT-23 3.5 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 1.5V - 225 mW
RS 库存编号 166-1790
制造商零件编号FDS9435A
品牌onsemi
RMB2.06
个 (在毎卷:2500)
单位
P 5.3 A 30 V SOIC 50 mΩ - 贴片 8 -25 V、+25 V 增强 - 1V 2.5 W
RS 库存编号 671-0750
制造商零件编号FDS9435A
品牌onsemi
RMB3.779
/个 (每包:10个)
单位
P 5.3 A 30 V SOIC 50 mΩ - 贴片 8 -25 V、+25 V 增强 - 1V 2500 mW

MOSFET

MOSFET是什么?

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
  • NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
  • 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如InfineonVishayON SemiconductorDiodesZetexSTMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

欢迎查看和订购RS的MOSFET及相关产品,订购现货24小时内发货,线上下单满额免运费。