描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | |
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RS 库存编号
162-9709
制造商零件编号C2M0160120D
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RMB69.905
毎管:30 个
单位
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N | 19 A | 1200 V | TO-247 | 196 mΩ | - | 通孔 | 3 | -5 V、+20 V | 增强 | 2.5V | 2.4V | 125 W | 单 |
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RS 库存编号
904-7348
制造商零件编号C2M0160120D
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RMB80.37
个
单位
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N | 19 A | 1200 V | TO-247 | 196 mΩ | - | 通孔 | 3 | -5 V、+20 V | 增强 | 2.5V | 2.4V | 125 W | 单 |
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RS 库存编号
919-4794
制造商零件编号IRF540NPBF
品牌Infineon
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RMB7.914
毎管:50 个
单位
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N | 33 A | 100 V | TO-220AB | 44 mΩ | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | 2V | 130 W | 单 |
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RS 库存编号
178-0834
制造商零件编号IRF830APBF
品牌Vishay
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RMB8.687
毎管:50 个
单位
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N | 5 A | 500 V | TO-220AB | 1.4 Ω | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | 2V | 74 W | 单 |
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RS 库存编号
542-9434
制造商零件编号IRF830APBF
品牌Vishay
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RMB10.99
个
单位
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N | 5 A | 500 V | TO-220AB | 1.4 Ω | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | 2V | 74 W | 单 |
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RS 库存编号
914-8154
制造商零件编号IRF540NPBF
品牌Infineon
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RMB7.914
/个 (每包:20个)
单位
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N | 33 A | 100 V | TO-220AB | 44 mΩ | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | 2V | 130 W | 单 |
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RS 库存编号
830-3344
制造商零件编号IRLR120NTRPBF
品牌英飞凌
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RMB3.78
/个 (每包:20个)
单位
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N | 10 A | 100 V | DPAK (TO-252) | 265 mΩ | - | 贴片 | 3 | -16 V、+16 V | 增强 | 2V | 1V | 48 W | 单 |
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RS 库存编号
178-4687
制造商零件编号BSS138LT3G
品牌onsemi
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RMB0.315
个 (在毎卷:10000)
单位
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N | 200 mA | 50 V | SOT-23 | 3.5. Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | 0.5V | 225 mW | 单 |
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RS 库存编号
710-5060
制造商零件编号SUM110P06-07L-E3
品牌Vishay
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RMB25.102
/个 (每包:5个)
单位
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P | 110 A | 60 V | D2PAK (TO-263) | 7 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 1V | 3.75 W | 单 |
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RS 库存编号
690-0136
制造商零件编号BSS138LT3G
品牌onsemi
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RMB1.915
/个 (每包:25个)
单位
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N | 200 mA | 50 V | SOT-23 | 3.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | 0.5V | 225 mW | 单 |
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RS 库存编号
545-2529
制造商零件编号BSS138LT1G
品牌onsemi
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RMB2.035
/个 (每包:25个)
单位
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N | 200 mA | 50 V | SOT-23 | 3.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | - | 225 mW | 单 |
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RS 库存编号
545-0012
制造商零件编号2N7002LT1G
品牌onsemi
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RMB2.747
/个 (每包:50个)
单位
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N | 115 mA | 60 V | SOT-23 | 7.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 300 mW | 单 |
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RS 库存编号
124-2291
制造商零件编号BSS138P,215
品牌Nexperia
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RMB0.227
个 (在毎卷:3000)
单位
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N | 360 mA | 60 V | SOT-23 | 1.6 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | 0.9V | 420 mW | 单 |
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RS 库存编号
919-0938
制造商零件编号SUM110P06-07L-E3
品牌Vishay
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RMB13.269
个 (在毎卷:800)
单位
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P | 110 A | 60 V | D2PAK (TO-263) | 7 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 1V | 3.75 W | 单 |
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RS 库存编号
791-6025
制造商零件编号2N7002LT3G
品牌onsemi
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RMB0.43
/个 (每包:200个)
单位
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N | 115 mA | 60 V | SOT-23 | 7.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 300 mW | 单 |
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RS 库存编号
792-0891
制造商零件编号BSS138P,215
品牌Nexperia
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RMB0.351
个 (在毎卷:100)
单位
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N | 360 mA | 60 V | SOT-23 | 1.6 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | 0.9V | 420 mW | 单 |
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RS 库存编号
103-2941
制造商零件编号2N7002LT1G
品牌onsemi
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RMB0.308
个 (在毎卷:3000)
单位
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N | 115 mA | 60 V | SOT-23 | 7.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 300 mW | 单 |
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RS 库存编号
103-2965
制造商零件编号BSS138LT1G
品牌onsemi
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RMB0.564
个 (在毎卷:3000)
单位
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N | 200 mA | 50 V | SOT-23 | 3.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | - | 225 mW | 单 |
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RS 库存编号
166-1790
制造商零件编号FDS9435A
品牌onsemi
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RMB2.06
个 (在毎卷:2500)
单位
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P | 5.3 A | 30 V | SOIC | 50 mΩ | - | 贴片 | 8 | -25 V、+25 V | 增强 | - | 1V | 2.5 W | 单 |
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RS 库存编号
671-0750
制造商零件编号FDS9435A
品牌onsemi
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RMB3.779
/个 (每包:10个)
单位
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P | 5.3 A | 30 V | SOIC | 50 mΩ | - | 贴片 | 8 | -25 V、+25 V | 增强 | - | 1V | 2500 mW | 单 |
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。
RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。
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