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MOSFET

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显示 81 - 100 个产品，共 12067 个
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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 46 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IXFH46N65X2
RS 库存编号 917-1413
制造商零件编号IXFH46N65X2
品牌IXYS
RMB72.10
个
单位
 N 46 A 650 V TO-247 69 mΩ HiperFET, X2-Class 通孔 3 -30 V，+30 V 增强 5.5V 2.7V 660 瓦 单
IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 46 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IXFH46N65X2
RS 库存编号 168-4811
制造商零件编号IXFH46N65X2
品牌IXYS
RMB52.374
毎管：30 个
单位
 N 46 A 650 V TO-247 69 mΩ HiperFET, X2-Class 通孔 3 -30 V，+30 V 增强 5.5V 2.7V 660 瓦 单
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 270 mA, E-Line, 通孔安装, 3引脚, VN10LP
RS 库存编号 841-277
制造商零件编号VN10LP
品牌DiodesZetex
RMB6.09
/个 (每包:5个)
单位
 N 270 mA 60 V E-Line 5 Ω - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V - 625 mW 单
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 7.9 A, PQFN8, 贴片安装, 8引脚, FDMS86163P
RS 库存编号 124-1441
制造商零件编号FDMS86163P
品牌onsemi
RMB11.022
个 (在毎卷：3000)
单位
 P 7.9 A 100 V PQFN8 36 mΩ PowerTrench 贴片 8 -25 V、+25 V 增强 - 2V 104 W 单
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 270 mA, E-Line, 通孔安装, 3引脚, VN10LP
RS 库存编号 922-7774
制造商零件编号VN10LP
品牌DiodesZetex
RMB2.687
个 (以毎袋：4000)
单位
 N 270 mA 60 V E-Line 5 Ω - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V - 625 mW 单
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 7.9 A, PQFN8, 贴片安装, 8引脚, FDMS86163P
RS 库存编号 864-8442
制造商零件编号FDMS86163P
品牌onsemi
RMB17.974
/个 (每包:5个)
单位
 P 7.9 A 100 V PQFN8 36 mΩ PowerTrench 贴片 8 -25 V、+25 V 增强 - 2V 104 W 单
Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 35 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 7引脚, C3M0065090J
RS 库存编号 162-9713
制造商零件编号C3M0065090J
品牌Wolfspeed
RMB87.092
毎管：50 个
单位
 N 35 A 900 V D2PAK (TO-263) 78 mΩ - 贴片 7 +25 V 增强 2.1V 1.8V 113 W 单
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 30 A, DR, 螺钉安装, 5引脚, D1028UK
RS 库存编号 738-7682
制造商零件编号D1028UK
品牌Semelab
RMB2,647.20
个
单位
 N 30 A 70 V DR - TetraFET 螺钉 5 -20 V、+20 V 增强 7V - 438 W 共源
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 8 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF840LCPBF
RS 库存编号 919-4400
制造商零件编号IRF840LCPBF
品牌Vishay
RMB16.66
毎管：50 个
单位
 N 8 A 500 V TO-220AB 850 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - - 125 W 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 8 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF840LCPBF
RS 库存编号 301-495
制造商零件编号IRF840LCPBF
品牌Vishay
RMB18.50
个
单位
 N 8 A 500 V TO-220AB 850 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 125000 mW 单
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 30 A, DR, 螺钉安装, 5引脚, D1028UK
RS 库存编号 177-5505
制造商零件编号D1028UK
品牌Semelab
RMB2,214.563
Each (In a Tray of 20)
单位
 N 30 A 70 V DR - TetraFET 螺钉 5 -20 V、+20 V 增强 7V - 438 W 共源
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 30 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFP250NPBF
RS 库存编号 541-0042
制造商零件编号IRFP250NPBF
品牌Infineon
RMB18.74
个
单位
 N 30 A 200 V TO-247AC 75 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 214 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 30 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFP250NPBF
RS 库存编号 919-4810
制造商零件编号IRFP250NPBF
品牌Infineon
RMB16.553
毎管：25 个
单位
 N 30 A 200 V TO-247AC 75 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 214 W 单
Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 35 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 7引脚, C3M0065090J
RS 库存编号 915-8830
制造商零件编号C3M0065090J
品牌Wolfspeed
RMB95.01
个
单位
 N 35 A 900 V D2PAK (TO-263) 78 mΩ - 贴片 7 +25 V 增强 2.1V 1.8V 113 W 单
Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 36 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, C3M0065090D
RS 库存编号 162-9712
制造商零件编号C3M0065090D
品牌Wolfspeed
RMB96.777
毎管：30 个
单位
 N 36 A 900 V TO-247 78 mΩ - 通孔 3 -8 V、+18 V 增强 2.1V 1.8V 125 W 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 5.6 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRL510PBF
RS 库存编号 178-0815
制造商零件编号IRL510PBF
品牌Vishay
RMB6.553
毎管：50 个
单位
 N 5.6 A 100 V TO-220AB 540 mΩ - 通孔 3 -10 V、+10 V 增强 - 1V 3.7 W 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 700 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, ZXMP10A13FTA
RS 库存编号 669-7616
制造商零件编号ZXMP10A13FTA
品牌DiodesZetex
RMB1.615
/个 (每包:25个)
单位
 P 700 mA 100 V SOT-23 1 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 4V - 806 mW 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 375 A, DirectFET ISOMETRIC, 贴片安装, IRF7749L1TRPBF
RS 库存编号 165-8086
制造商零件编号IRF7749L1TRPBF
品牌Infineon
RMB18.034
个 (在毎卷：4000)
单位
 N 375 A 60 V DirectFET ISOMETRIC 1.5 mΩ DirectFET, HEXFET 贴片 - -20 V、+20 V 增强 - - 125 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=75 V, 355 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP7718PBF
RS 库存编号 145-8890
制造商零件编号IRFP7718PBF
品牌Infineon
RMB31.943
毎管：25 个
单位
 N 355 A 75 V TO-247 1.8 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 3.7V 2.1V 517 W 单
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 4 A, SOT-23, 贴片安装, 6引脚, FDC658AP
RS 库存编号 166-2671
制造商零件编号FDC658AP
品牌onsemi
RMB1.587
个 (在毎卷：3000)
单位
 P 4 A 30 V SOT-23 75 mΩ PowerTrench 贴片 6 -25 V、+25 V 增强 - 1V 1.6 W 单

MOSFET

MOSFET是什么？

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
  • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
  • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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