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MOSFET

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显示 1041 - 1060 个产品，共 12074 个
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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 63 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, IRFR4510TRPBF
RS 库存编号 915-5011
制造商零件编号IRFR4510TRPBF
品牌Infineon
RMB9.877
/个 (每包:10个)
单位
 N 63 A 100 V DPAK (TO-252) 13.9 mΩ HEXFET 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 143 W 单
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 6 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 787-9222
制造商零件编号SI2333DDS-T1-GE3
品牌Vishay
RMB2.22
/个 (每包:10个)
单位
 P 6 A 12 V SOT-23 19 Ω - 贴片 3 -8 V、+8 V 增强 - 0.4V 1.7 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 9 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF630
RS 库存编号 920-6673
制造商零件编号IRF630
品牌STMicroelectronics
RMB10.406
毎管：50 个
单位
 N 9 A 200 V TO-220 400 mΩ STripFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 75 W 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 600 mA, HVMDIP, 通孔安装, 4引脚, IRFD210PBF
RS 库存编号 178-0916
制造商零件编号IRFD210PBF
品牌Vishay
RMB5.509
毎管：100 个
单位
 N 600 mA 200 V HVMDIP 1.5 Ω - 通孔 4 -20 V、+20 V 增强 - 2V 1 W 单
Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 320 mA, SOT-323, 贴片安装, 3引脚, BSS138PW,115
RS 库存编号 792-0904
制造商零件编号BSS138PW,115
品牌Nexperia
RMB0.487
个 (在毎卷：100)
单位
 N 320 mA 60 V SOT-323 1.6 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 1.5V 0.9V 310 mW 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=950 V, 8 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP10N95K5
RS 库存编号 168-8063
制造商零件编号STP10N95K5
品牌STMicroelectronics
RMB17.154
毎管：50 个
单位
 N 8 A 950 V TO-220 800 mΩ MDmesh K5, SuperMESH5 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 130 W 单
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 1.4 A, X1-DFN1006, 贴片安装, 3引脚, DMN1150UFB-7B
RS 库存编号 169-7186
制造商零件编号DMN1150UFB-7B
品牌DiodesZetex
RMB0.507
个 (在毎卷：10000)
单位
 N 1.4 A 12 V X1-DFN1006 210 mΩ - 贴片 3 -6 V、+6 V 增强 1V - 500 mW 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 6.4 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, ZXMP4A16GTA
RS 库存编号 708-2469
制造商零件编号ZXMP4A16GTA
品牌DiodesZetex
RMB4.945
/个 (每包:10个)
单位
 P 6.4 A 40 V SOT-223 100 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 3.9 W 单
Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 23 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFP9140NPBF
RS 库存编号 919-5028
制造商零件编号IRFP9140NPBF
品牌Infineon
RMB12.654
毎管：25 个
单位
 P 23 A 100 V TO-247AC 117 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 140 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 24 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, STD20NF06T4
RS 库存编号 795-9047
制造商零件编号STD20NF06T4
品牌STMicroelectronics
RMB6.61
Each (On a Tape of 10)
单位
 N 24 A 60 V DPAK (TO-252) 40 mΩ STripFET 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 60 W 单
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 220 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, 2N7002A-7
RS 库存编号 822-8647
制造商零件编号2N7002A-7
品牌DiodesZetex
RMB0.552
/个 (每包:150个)
单位
 N 220 mA 60 V SOT-23 5 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2V - 540 mW 单
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 320 mA, E-Line, 通孔安装, 3引脚, ZVN2110ASTZ
RS 库存编号 669-7603
制造商零件编号ZVN2110ASTZ
品牌DiodesZetex
RMB4.025
/个 (每包:10个)
单位
 N 320 mA 100 V E-Line 4 Ω - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 2.4V - 700 mW 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 55 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP55NF06L
RS 库存编号 920-8795
制造商零件编号STP55NF06L
品牌STMicroelectronics
RMB12.244
毎管：50 个
单位
 N 55 A 60 V TO-220 18 mΩ STripFET II 通孔 3 -16 V、+16 V 增强 - 1V 95 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1000 V, 8.3 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, STW11NK100Z
RS 库存编号 687-5318
制造商零件编号STW11NK100Z
品牌STMicroelectronics
RMB41.44
个
单位
 N 8.3 A 1000 V TO-247 1.38 Ω MDmesh, SuperMESH 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 4.5V 3V 230000 mW 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 30 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SiHG32N50D-GE3
RS 库存编号 787-9207
制造商零件编号SiHG32N50D-GE3
品牌Vishay
RMB29.66
个
单位
 N 30 A 500 V TO-247AC 150 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 3V 390 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 90 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP140N8F7
RS 库存编号 791-7810
制造商零件编号STP140N8F7
品牌STMicroelectronics
RMB20.438
/个 (每包:5个)
单位
 N 90 A 80 V TO-220 4.3 mΩ STripFET H7 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4.5V 2.5V 200 W 单
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 19 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF9540PBF
RS 库存编号 708-5152
制造商零件编号IRF9540PBF
品牌Vishay
RMB12.792
/个 (每包:5个)
单位
 P 19 A 100 V TO-220AB 200 mΩ - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 150000 mW 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 11 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SPP11N80C3XKSA1
RS 库存编号 753-3190
制造商零件编号SPP11N80C3XKSA1
品牌Infineon
RMB20.63
个
单位
 N 11 A 800 V TO-220 450 mΩ CoolMOS C3 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 3.9V 2.1V 156 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=710 V, 42 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP57N65M5
RS 库存编号 103-2003
制造商零件编号STP57N65M5
品牌STMicroelectronics
RMB68.81
毎管：50 个
单位
 N 42 A 710 V TO-220 63 mΩ MDmesh M5 通孔 3 -25 V、+25 V 增强 5V 3V 250 W 单
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 8.4 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, FDD4685
RS 库存编号 809-0893
制造商零件编号FDD4685
品牌onsemi
RMB7.603
/个 (每包:10个)
单位
 P 8.4 A 40 V DPAK (TO-252) 42 mΩ PowerTrench 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 69 W 单

MOSFET

MOSFET是什么？

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
  • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
  • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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