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MOSFET

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显示 1261 - 1280 个产品，共 12074 个
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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 49 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFZ44NPBF
RS 库存编号 919-4769
制造商零件编号IRFZ44NPBF
品牌Infineon
RMB5.367
毎管：50 个
单位
 N 49 A 55 V TO-220AB 17.5 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 94 W 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 11 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFPC50PBF
RS 库存编号 542-9838
制造商零件编号IRFPC50PBF
品牌Vishay
RMB37.13
个
单位
 N 11 A 600 V TO-247AC 600 mΩ - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 180 W 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 2.2 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFBC20PBF
RS 库存编号 178-0839
制造商零件编号IRFBC20PBF
品牌Vishay
RMB7.045
毎管：50 个
单位
 N 2.2 A 600 V TO-220AB 4.4 Ω - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 50 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 30 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP36NF06L
RS 库存编号 920-8773
制造商零件编号STP36NF06L
品牌STMicroelectronics
RMB7.882
毎管：50 个
单位
 N 30 A 60 V TO-220 40 mΩ STripFET 通孔 3 -18 V、+18 V 增强 2.5V 1V 70 W 单
Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 20 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, TK20E60W,S1VX(S
RS 库存编号 827-6160
制造商零件编号TK20E60W,S1VX(S
品牌Toshiba
RMB29.408
/个 (每包:5个)
单位
 N 20 A 600 V TO-220 155 mΩ TK 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 3.7V - 165 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 83 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
RS 库存编号 165-8120
制造商零件编号IPP111N15N3GXKSA1
品牌Infineon
RMB28.523
毎管：50 个
单位
 N 83 A 150 V TO-220 11.3 mΩ OptiMOS 3 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 214 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 110 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFB7540PBF
RS 库存编号 820-8849
制造商零件编号IRFB7540PBF
品牌Infineon
RMB7.278
/个 (每包:5个)
单位
 N 110 A 60 V TO-220AB 5.1 mΩ StrongIRFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 3.7V 2.1V 160 W 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 10.2 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, FDS8878
RS 库存编号 671-0725
制造商零件编号FDS8878
品牌onsemi
RMB3.898
/个 (每包:5个)
单位
 N 10.2 A 30 V SOIC 14 mΩ PowerTrench 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - 1.2V 2500 mW 单
Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 11 A, IPAK (TO-251), 通孔安装, 3引脚, IRFU9024NPBF
RS 库存编号 541-1657
制造商零件编号IRFU9024NPBF
品牌Infineon
RMB5.59
个
单位
 P 11 A 55 V IPAK (TO-251) 175 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 38 W 单
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 40 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 787-9484
制造商零件编号SQD40N06-14L_GE3
品牌Vishay
RMB11.218
/个 (每包:5个)
单位
 N 40 A 60 V DPAK (TO-252) 29 mΩ SQ Rugged 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1.5V 75 W 单
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19534KCS
RS 库存编号 145-1334
制造商零件编号CSD19534KCS
品牌德州仪器
RMB8.96
毎管：50 个
单位
 N 100 A 100 V TO-220 20 MΩ NexFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 - - 118 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 300 mA, SOT-363, 贴片安装, 6引脚
RS 库存编号 827-0002
制造商零件编号2N7002DWH6327XTSA1
品牌Infineon
RMB0.876
个 (在毎卷：500)
单位
 N 300 mA 60 V SOT-363 4 Ω OptiMOS 贴片 6 -20 V、+20 V 增强 2.5V 1.5V 500 mW 隔离式
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 4 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, NTMD4N03G
RS 库存编号 163-1128
制造商零件编号NTMD4N03R2G
品牌onsemi
RMB2.241
个 (在毎卷：2500)
单位
 N 4 A 30 V SOIC 80 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 3V - 2 W 隔离式
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 4.3 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP5NK80Z
RS 库存编号 687-5358
制造商零件编号STP5NK80Z
品牌STMicroelectronics
RMB14.35
/个 (每包:5个)
单位
 N 4.3 A 800 V TO-220 2.4 Ω MDmesh, SuperMESH 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 4.5V 3V 110000 mW 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 140 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRL3803PBF
RS 库存编号 919-4791
制造商零件编号IRL3803PBF
品牌Infineon
RMB8.062
毎管：50 个
单位
 N 140 A 30 V TO-220AB 6 mΩ LogicFET 通孔 3 -16 V、+16 V 增强 1V 1V 200 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 90 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 170-2284
制造商零件编号IPD068N10N3GATMA1
品牌Infineon
RMB8.66
个 (在毎卷：2500)
单位
 N 90 A 100 V DPAK (TO-252) 12.3 mΩ IPD068N10N3 G 贴片 3 20 V 增强 3.5V 2V 150 W 单
Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 320 mA, SOT-323, 贴片安装, 3引脚, BSS138BKW,115
RS 库存编号 792-0897
制造商零件编号BSS138BKW,115
品牌Nexperia
RMB1.313
个 (在毎卷：50)
单位
 N 320 mA 60 V SOT-323 1.6 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 1.6V 0.48V 310 mW 单
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 17 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, FQP17P06
RS 库存编号 124-1755
制造商零件编号FQP17P06
品牌onsemi
RMB11.491
毎管：50 个
单位
 P 17 A 60 V TO-220AB 120 mΩ QFET 通孔 3 -25 V、+25 V 增强 - 2V 79 W 单
onsemi N/P沟道增强型MOS管, Vds=25 V, SOT-23, 贴片安装, 6引脚, FDC6321C
RS 库存编号 166-2481
制造商零件编号FDC6321C
品牌onsemi
RMB1.547
个 (在毎卷：3000)
单位
 N，P 460 mA，680 mA 25 V SOT-23 1.1 Ω、450 mΩ - 贴片 6 -8 V、+8 V 增强 - 0.65V 900 mW 隔离式
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 5 A, PowerSO, 贴片安装, 10引脚, PD55015-E
RS 库存编号 168-8053
制造商零件编号PD55015-E
品牌STMicroelectronics
RMB150.077
毎管：50 个
单位
 N 5 A 40 V PowerSO - - 贴片 10 -20 V、+20 V 增强 5V 2V 73 W 单

MOSFET

MOSFET是什么？

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
  • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
  • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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