描述 | 价格 | 存储器大小 | SDRAM类 | 组织 | 数据速率 | 数据总线宽度 | 位址总线宽 | 每字组的位元数目 | 最长随机存取时间 | 字组数目 | 安装类型 | 封装类型 | 引脚数目 | 尺寸 | 高度 | |
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RS 库存编号
782-4553
制造商零件编号MT48LC16M16A2P-6A:G
品牌Micron
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RMB36.89
个
单位
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256MB | SDR | 16M x 16 位 | 167MHz | 16Bit | 15Bit | 16Bit | 6ns | 16M | 贴片 | TSOP | 54 | 22.22 x 10.16 x 1.2mm | 1.2mm |
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RS 库存编号
811-5131
制造商零件编号IS42S16800F-7TL
品牌ISSI
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RMB30.80
/个 (每包:2个)
单位
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128Mbit | - | 8M x 16 | 143MHz | 16Bit | 14Bit | 16Bit | 5.4ns | 8M | 贴片 | TSOP | 54 | 22.42 x 10.29 x 1.05mm | 1.05mm |
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RS 库存编号
170-2172
制造商零件编号IS42S16800F-7TL
品牌ISSI
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RMB23.204
Each (In a Tray of 108)
单位
|
128Mbit | - | 8M x 16 | 143MHz | 16Bit | 14Bit | 16Bit | 5.4ns | 8M | 贴片 | TSOP | 54 | 22.42 x 10.29 x 1.05mm | 1.05mm |
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RS 库存编号
782-4566
制造商零件编号MT46V16M16P-5B :M
品牌Micron
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RMB23.87
个
单位
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256MB | DDR | 16M x 16 位 | 200MHz | 16Bit | 15Bit | 16Bit | 5ns | 16M | 贴片 | TSOP | 66 | 22.22 x 10.16 x 1.2mm | 1.2mm |
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RS 库存编号
170-2171
制造商零件编号IS42S16400J-7TLI
品牌ISSI
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RMB19.389
Each (In a Tray of 108)
单位
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64Mbit | - | 4M x 16 位 | 143MHz | 16Bit | 14Bit | 16Bit | 5.4ns | 4M | 贴片 | TSOP | 54 | 22.42 x 10.29 x 1.05mm | 1.05mm |
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RS 库存编号
811-5125
制造商零件编号IS42S16400J-7TLI
品牌ISSI
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RMB19.785
/个 (每包:2个)
单位
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64Mbit | - | 4M x 16 位 | 143MHz | 16Bit | 14Bit | 16Bit | 5.4ns | 4M | 贴片 | TSOP | 54 | 22.42 x 10.29 x 1.05mm | 1.05mm |
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RS 库存编号
782-4547
制造商零件编号MT48LC8M16A2P-6A :L
品牌Micron
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RMB59.47
个
单位
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128MB | SDR | 8M x 16 位 | 167MHz | 16Bit | 14Bit | 16Bit | 6ns | 8M | 贴片 | TSOP | 54 | 22.22 x 10.16 x 1.2mm | 1.2mm |
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RS 库存编号
782-4563
制造商零件编号MT46V32M16P-5B :J
品牌Micron
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RMB36.86
个
单位
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512MB | DDR | 32M x 16 位 | 200MHz | 16Bit | 15Bit | 16Bit | 5ns | 32M | 贴片 | TSOP | 66 | 22.22 x 10.16 x 1.2mm | 1.2mm |
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RS 库存编号
170-2174
制造商零件编号IS42S32400F-7TL
品牌ISSI
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RMB30.374
Each (In a Tray of 108)
单位
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128Mbit | - | 4M x 32 | 143MHz | 32Bit | 14Bit | 32Bit | 6.5ns | 4M | 贴片 | TSOP | 86 | 22.42 x 10.29 x 1.05mm | 1.05mm |
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RS 库存编号
811-5141
制造商零件编号IS42S32400F-7TL
品牌ISSI
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RMB32.26
个
单位
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128Mbit | - | 4M x 32 | 143MHz | 32Bit | 14Bit | 32Bit | 6.5ns | 4M | 贴片 | TSOP | 86 | 22.42 x 10.29 x 1.05mm | 1.05mm |
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RS 库存编号
797-5790
制造商零件编号AS4C1M16S-7TCN
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RMB16.417
/个 (每包:3个)
单位
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16Mbit | DDR | 16M x 1 位 | 143MHz | 16Bit | - | 16Bit | 5.4ns | 512K | 贴片 | TSOP | 50 | 21.08 x 10.29 x 1.1mm | 1.1mm |
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RS 库存编号
170-0918
制造商零件编号AS4C1M16S-7TCN
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RMB12.517
Each (In a Tray of 117)
单位
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16Mbit | DDR | 16M x 1 位 | 143MHz | 16Bit | - | 16Bit | 5.4ns | 512K | 贴片 | TSOP | 50 | 21.08 x 10.29 x 1.1mm | 1.1mm |
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RS 库存编号
259-2118
制造商零件编号AS4C1G8D4-75BCN
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RMB84.00
个
单位
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8Gbit | DDR4 | 1G x 8 | 1330MHz | 8Bit | - | - | - | - | - | 78 球 FBGA | - | - | - |
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RS 库存编号
259-2150
制造商零件编号AS4C512M8D4-83BIN
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RMB68.357
Each (In a Tray of 242)
单位
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4Gbit | DDR4 | 512M x 8 | 1200MHz | 8Bit | - | - | - | - | - | 78 球 FBGA | - | - | - |
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RS 库存编号
259-2151
制造商零件编号AS4C512M8D4-83BIN
|
RMB78.19
个
单位
|
4Gbit | DDR4 | 512M x 8 | 1200MHz | 8Bit | - | - | - | - | - | 78 球 FBGA | - | - | - |
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RS 库存编号
230-8428
制造商零件编号AS4C32M16SB-7TIN
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RMB106.84
个
单位
|
512Mbit | DDR | 32M x 16 | 200MHz | 16Bit | 13Bit | 16Bit | 5.4ns | 32 M | 贴片 | TSOP | 54 | 22.35 x 10.29 x 1.2mm | 1.2mm |
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RS 库存编号
230-8419
制造商零件编号AS4C16M16SA-7TCN
|
RMB22.709
Each (In a Tray of 108)
单位
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256Mbit | DDR | 16M x 16 | 166MHz | 16Bit | 13Bit | 16Bit | 5.4ns | 16 M | 贴片 | TSOP | 54 | 22.35 x 10.29 x 1.2mm | 1.2mm |
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RS 库存编号
259-2134
制造商零件编号AS4C256M16D4A-75BCN
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RMB50.117
Each (In a Tray of 198)
单位
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4Gbit | DDR4 | 256M x 16 | 1330MHz | - | - | - | - | - | - | 96 球 FBGA | - | - | - |
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RS 库存编号
259-2119
制造商零件编号AS4C1G8D4-75BIN
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RMB90.777
Each (In a Tray of 209)
单位
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8Gbit | DDR4 | 1G x 8 | 1330MHz | 16Bit | - | - | - | - | - | 78 球 FBGA | - | - | - |
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RS 库存编号
188-2578
制造商零件编号W949D6DBHX5I
品牌Winbond
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RMB29.356
Each (In a Tray of 312)
单位
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512Mbit | LPDDR | 64M x 8 bit | 200MHz | 16Bit | 15Bit | 8Bit | 5ns | 64M | 贴片 | VFBGA | 60 | 9.1 x 8.1 x 0.65mm | 0.65mm |
SDRAM是同步动态随机存取器的简称,是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的,这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。
RAM随机存取存储器,存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。
根据工作原理的不同,RAM又分为DRAM动态随机存取存储器和SRAM静态随机存取存储器。
DRAM动态随机存取存储器,是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失,因而DRAM器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中,DRAM器件必须有规律地进行刷新。
在计算机市场上DRAM又可以分为SDRAM、DDR SDRAM和和RDRAM。
SDRAM,是同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步。
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