描述 | 价格 | 存储器大小 | 组织 | 接口类型 | 数据总线宽度 | 最长随机存取时间 | 安装类型 | 封装类型 | 引脚数目 | 尺寸 | 长度 | 宽度 | 高度 | 最大工作电源电压 | 最高工作温度 | |
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RS 库存编号
310-9734
制造商零件编号M48Z35Y-70PC1
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RMB196.35
个
单位
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256Kbit | 32K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PCDIP | 28 | 39.98 x 18.34 x 8.89mm | 39.88mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
310-9661
制造商零件编号M48T08-150PC1
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RMB223.94
个
单位
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64Kbit | 8K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 150ns | 通孔 | PCDIP | 28 | 39.98 x 18.34 x 8.89mm | 39.88mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
168-6070
制造商零件编号M48T08-150PC1
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RMB206.50
毎管:12 个
单位
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64Kbit | 8K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 150ns | 通孔 | PCDIP | 28 | 39.98 x 18.34 x 8.89mm | 39.88mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
168-6053
制造商零件编号M48Z08-100PC1
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RMB152.258
毎管:12 个
单位
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64Kbit | 8K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 100ns | 通孔 | PCDIP | 28 | 39.98 x 18.34 x 8.89mm | 39.88mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
189-2428
制造商零件编号M48Z08-100PC1
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RMB203.60
个
单位
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64Kbit | 8K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 100ns | 通孔 | PCDIP | 28 | 39.98 x 18.34 x 8.89mm | 39.88mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
310-9655
制造商零件编号M48T02-150PC1
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RMB171.03
个
单位
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16Kbit | 2K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 150ns | 通孔 | PCDIP | 24 | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | 34.8mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
168-8612
制造商零件编号M48T12-150PC1
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RMB166.059
毎管:14 个
单位
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16Kbit | 2K x 8 | 并行 | 8Bit | 150ns | 通孔 | PCDIP | 24 | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | 34.8mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
168-6069
制造商零件编号M48T02-150PC1
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RMB157.711
毎管:14 个
单位
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16Kbit | 2K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 150ns | 通孔 | PCDIP | 24 | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | 34.8mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
829-4073
制造商零件编号M48T12-150PC1
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RMB172.63
个
单位
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- | - | 并行 | 10Bit | - | 通孔 | PCDIP | 24 | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | 34.8mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
189-2412
制造商零件编号M48T08-100PC1
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RMB170.32
个
单位
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64Kbit | 8K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 100ns | 通孔 | PCDIP | 28 | 39.98 x 18.34 x 8.89mm | 39.88mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
310-9683
制造商零件编号M48T35-70PC1
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RMB235.36
个
单位
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32Kbit | 32K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PCDIP | 28 | 39.98 x 18.34 x 8.89mm | 39.88mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
168-6071
制造商零件编号M48T35-70PC1
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RMB226.382
毎管:12 个
单位
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32Kbit | 32K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PCDIP | 28 | 39.98 x 18.34 x 8.89mm | 39.88mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
168-7906
制造商零件编号M48Z35-70PC1
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RMB157.738
毎管:12 个
单位
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256Kbit | 32K x 8 | 并行 | 8Bit | 5ns | 通孔 | PCDIP | 28 | 39.88 x 18.34 x 9.65mm | 39.88mm | 18.34mm | 9.65mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
103-1428
制造商零件编号M48Z02-70PC1
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RMB88.423
毎管:14 个
单位
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16Kbit | 2K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PCDIP | 24 | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | 34.8mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
168-6052
制造商零件编号M48T08-100PC1
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RMB173.046
毎管:12 个
单位
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64Kbit | 8K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 100ns | 通孔 | PCDIP | 28 | 39.98 x 18.34 x 8.89mm | 39.88mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
624-8488
制造商零件编号M48Z02-70PC1
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RMB91.72
个
单位
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16Kbit | 2K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PCDIP | 24 | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | 34.8mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
811-1114
制造商零件编号M48Z35-70PC1
|
RMB145.62
个
单位
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256Kbit | 32K x 8 | 并行 | 8Bit | 5ns | 通孔 | PCDIP | 28 | 39.88 x 18.34 x 9.65mm | 39.88mm | 18.34mm | 9.65mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
436-8489
制造商零件编号M48T02-70PC1
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RMB135.04
个
单位
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16Kbit | 2K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PCDIP | 24 | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | 34.8mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
168-6085
制造商零件编号M48T02-70PC1
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RMB137.208
毎管:14 个
单位
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16Kbit | 2K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PCDIP | 24 | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | 34.8mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
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RS 库存编号
103-1455
制造商零件编号M48Z12-70PC1
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RMB88.891
毎管:14 个
单位
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16Kbit | 2K x 8 位 | 并行 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PCDIP | 24 | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | 34.8mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C |
NVRAM,即非易失性随机访问存储器(Non-Volatile Random Access Memory),是一种存储芯片,无需通电即可在电子电路中存储数据。这意味着即使电源关闭,NVRAM也能够存储数据。这与普通随机存取存储器(RAM)和动态随机存取存储器(DRAM)不同,两者都在断电时丢失内存。
NVRAM内存用于需要存储设置(例如日期和时间)的任何设备,但计算机制造商也可以使用它来存储有关计算机状态的详细信息。这允许在关闭和再次打开之间保留信息,从而缩短启动时间。NVRAM的其他典型应用包括:
也称为CMOS芯片(Complimentary Metal-oxide-semiconductor Chips,互补金属氧化物半导体芯片)。它们将NVRAM与实时时钟(RTC)结合在一起。时钟用于读取由NVRAM存储的日期和时间。RTC/NVRAM芯片旨在降低功耗。
代表电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory)。它是一种非易失性存储器,用于存储可以删除和重新编程的数据。
代表铁电RAM。它在结构上与DRAM相似,但主要区别在于它含有一层薄薄的钛酸锆(PZT)。PZT中的原子在电场中改变极性,产生二元开关。这允许FRAM保留其数据存储器,即使在电源关闭时,也能带来其他好处,例如极高的耐用性和超低功耗。
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