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SRAM

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显示 81 - 100 个产品，共 372 个
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描述 价格 存储器大小 组织 字组数目 每字组的位元数目 最长随机存取时间 位址总线宽 时钟频率 低功率 计时类型 安装类型 封装类型 引脚数目 尺寸 最大工作电源电压
Cypress Semiconductor 4Mbit 100MHz异步SRAM, 16Bit每字组, 256K x 16 位, 44针, CY7C1041G-10VXI
RS 库存编号 182-3290
制造商零件编号CY7C1041G-10VXI
品牌Infineon
RMB45.281
毎管：17 个
单位
 4Mbit 256K x 16 位 256k 16Bit 10ns 16Bit 100MHz 是 异步 贴片 SOJ 44 1.13 x 0.405 x 0.11in 5.5 V
Cypress Semiconductor, CY62136FV30LL-45Z
RS 库存编号 194-8862
制造商零件编号CY62136FV30LL-45ZSXI
品牌Infineon
RMB27.77
/个 (每包:5个)
单位
 2Mbit 128k x 16 128k 16Bit 45ns - - - - - - - - -
Cypress Semiconductor 4096Kbit 1MHz异步SRAM, 16Bit每字组, 256K x 16 位, 44针, CY62147EV30LL-45ZSXIT
RS 库存编号 198-7996
制造商零件编号CY62147EV30LL-45ZSXIT
品牌Infineon
RMB28.415
个 (在毎卷：1000)
单位
 4096Kbit 256K x 16 位 256k 16Bit 45ns 16Bit 1MHz 是 异步 贴片 TSOP-44 44 18.51 x 10.26 x 1.05mm 3.6 V
Renesas Electronics 4Mbit 异步SRAM, 16Bit每字组, 256K x 16, 44针, 71V416S10PHGI
RS 库存编号 217-3686
制造商零件编号71V416S10PHGI
品牌Renesas Electronics
RMB56.977
毎管：26 个
单位
 4Mbit 256K x 16 256K 16Bit 10ns - - 是 异步 贴片 TSOP-44 44 18.41 x 10.16 x 1mm 3.6 V
Infineon 16Mbit 1MHz异步SRAM, 16Bit每字组, 16M x 1 位, 48针, CY62167EV30LL-45ZXA
RS 库存编号 125-7516
制造商零件编号CY62167EV30LL-45ZXA
品牌Infineon
RMB110.83
个
单位
 16Mbit 16M x 1 位 1M 16Bit 45ns 16Bit 1MHz 是 异步 贴片 TSOP 48 18.4 x 12 x 1.05mm 3.6 V
Cypress Semiconductor 512Kbit 1MHz异步SRAM, 16Bit每字组, 32k x 16, 44针, CY7C1020DV33-10ZSXI
RS 库存编号 194-8908
制造商零件编号CY7C1020DV33-10ZSXI
品牌Infineon
RMB43.12
/个 (每包:2个)
单位
 512Kbit 32k x 16 32k 16Bit 10ns 16Bit 1MHz 是 异步 贴片 TSOP-44 44 18.51 x 10.26 x 1.05mm 3.6 V
Cypress Semiconductor, CY7C1399BN-12VXI
RS 库存编号 194-8959
制造商零件编号CY7C1399BN-12VXI
品牌Infineon
RMB23.576
毎管：27 个
单位
 256Kbit 32k x 8 32k 8Bit 12ns - - - - - - - - -
Renesas Electronics 8Kbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 1K x 8, 52针, 7130LA20JG
RS 库存编号 217-3673
制造商零件编号7130LA20JG
品牌Renesas Electronics
RMB139.67
个
单位
 8Kbit 1K x 8 1K 8Bit 20ns 16Bit - 是 异步 贴片 PLCC-52 52 19 x 19 x 3.63mm 5.5 V
Renesas Electronics 64Kbit 异步SRAM, 16Bit每字组, 4K x 16, 100针, 70V24L20PFGI
RS 库存编号 217-3652
制造商零件编号70V24L20PFGI
品牌Renesas Electronics
RMB313.75
个
单位
 64Kbit 4K x 16 4K 16Bit 20ns 32Bit - 是 异步 贴片 TQFP-100 100 14 x 14 x 1.4mm 3.6 V
Maxim Integrated 1024Kbit SRAM, 8Bit每字组, 128K x 8 位, 32针, DS1245AB-100+
RS 库存编号 192-1547
制造商零件编号DS1245AB-100+
品牌Maxim Integrated
RMB262.20
个
单位
 1024Kbit 128K x 8 位 128k 8Bit 70ns 8Bit - 是 - 通孔 EDIP 32 44.2 x 18.8 x 10.92mm 5.25 V
Alliance Memory 1Mbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 128K x 8 位, 32针, AS7C1024C-12JIN
RS 库存编号 538-237
制造商零件编号AS7C1024C-12JIN
品牌Alliance Memory
RMB31.385
/个 (每包:2个)
单位
 1Mbit 128K x 8 位 128k 8Bit 12ns 17Bit - 是 异步 贴片 SOJ 32 21.08 x 10.29 x 2.92mm 5.5 V
Alliance Memory 64Kbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 8k x 8 位, 28针, AS6C6264-55SIN
RS 库存编号 538-186
制造商零件编号AS6C6264-55SIN
品牌Alliance Memory
RMB21.98
/个 (每包:2个)
单位
 64Kbit 8k x 8 位 8k 8Bit 55ns 13Bit - 是 异步 贴片 SOP 28 18.49 x 8.64 x 2.49mm 5.5 V
ISSI 1Mbit 异步SRAM, 16Bit每字组, 64K x 16 位, 44针, IS61WV6416DBLL-10TLI
RS 库存编号 170-2186
制造商零件编号IS61WV6416DBLL-10TLI
品牌ISSI
RMB17.713
Each (In a Tray of 135)
单位
 1Mbit 64K x 16 位 64k 16Bit 10ns 16Bit - 是 异步 贴片 TSOP 44 18.54 x 10.29 x 1.05mm 3.6 V
新产品
Infineon 4Mbit SRAM, 16Bit每字组, 256 K x 16, CY7C1041G-10ZSXI
RS 库存编号 273-7351
制造商零件编号CY7C1041G-10ZSXI
品牌Infineon
RMB70.00
个
单位
 4Mbit 256 K x 16 256k 16Bit - - - - - - - - - -
Renesas Electronics 16Kbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 2K x 8, 52针, 71321SA55JG8
RS 库存编号 217-3680
制造商零件编号71321SA55JG8
品牌Renesas Electronics
RMB89.40
个
单位
 16Kbit 2K x 8 2K 8Bit 55ns 16Bit - 是 异步 贴片 PLCC-52 52 19 x 19 x 3.63mm 5.5 V
新产品
Infineon 16Mbit SRAM, 8 bit, 16 bit每字组, 1 M x 16,2 M x 8, CY62167EV30LL-45BVXI
RS 库存编号 273-5283
制造商零件编号CY62167EV30LL-45BVXI
品牌Infineon
RMB136.626
Each (In a Tray of 480)
单位
 16Mbit 1 M x 16,2 M x 8 1000 k, 2000 k 8 bit, 16 bit 45ns - - - - - - - - -
Alliance Memory 4Mbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 512K x 8, 32针, AS6C4008-55PIN
RS 库存编号 230-8454
制造商零件编号AS6C4008-55PIN
品牌Alliance Memory
RMB50.62
/个 (每包:2个)
单位
 4Mbit 512K x 8 524288 8Bit 55ns - - 是 异步 通孔 PDIP-32 32 41.91 x 13.818 x 3.81mm 5.5 V
Cypress Semiconductor 1Mbit SRAM, 8Bit每字组, 128K x 8 位, 32针, CY62128EV30LL-45ZXI
RS 库存编号 181-7573
制造商零件编号CY62128EV30LL-45ZXI
品牌Cypress Semiconductor
RMB16.943
/个 (每包:4个)
单位
 1Mbit 128K x 8 位 128k 8Bit 45ns 8Bit - 是 - 贴片 TSOP 32 18.3 x 8.2 x 1.05mm 3.6 V
Alliance Memory 2Mbit 异步SRAM, 16Bit每字组, 128K x 16., 44针, AS6C2016-55ZIN
RS 库存编号 230-8449
制造商零件编号AS6C2016-55ZIN
品牌Alliance Memory
RMB20.93
Each (In a Tray of 135)
单位
 2Mbit 128K x 16. 131072 16Bit 55ns - - 是 异步 贴片 TSOP-44 44 18.6 x 10.3 x 1.05mm 5.5 V
Renesas Electronics 64Kbit 异步SRAM, 16Bit每字组, 4Kx 16., 100针, 7024L15PFG
RS 库存编号 217-3645
制造商零件编号7024L15PFG
品牌Renesas Electronics
RMB307.59
个
单位
 64Kbit 4Kx 16. 4K 16Bit 15ns 32Bit - 是 异步 贴片 TQFP-100 100 14 x 14 x 1.4mm 5.5 V

SRAM

SRAM是什么？

SRAM，即静态随机存取存储器（Static Random Access Memory），是一种半导体存储器，使用双稳态闭锁电路（触发器）存储每个数据位。它在供电期间将数据位保存在存储器中。如果断电，它将无法保存数据。SRAM适用于需要快速传输或低功率的应用。它的密度高于DRAM，结构简单，非常适用于使用高容量存储器的半导体存储器应用，如计算机中的工作存储器。

  • SRAM不同于DRAM（动态RAM，可将数据位存储在由电容器和晶体管组成的单元中），因为SRAM不需要像动态RAM一样刷新（除了定期刷新以外，动态RAM刷新会丢失数据）。此外，SRAM比DRAM更快，价格更昂贵。
  • SRAM常用于计算机的高速缓存存储器，也是视频卡上的RAM数模转换器的组成部分。SRAM可采用通用CMOS技术流程设计，使用六个晶体管（6T存储器单元），不带电容器。由于晶体管不需要电源来防止泄漏，因此SRAM不需要定期刷新。

SRAM的特点与优点

  • 数据静态保存–数据保存在半导体存储器中，只要存储器上通电，就无需在每次读取数据操作后刷新数据
  • 三种操作状态，即保持、写入和读取
  • 双稳态（交叉耦合）INV，适合存储
  • 存取晶体管MAL和MAR–访问存储数据以读取和写入
  • 文字行（Word Line）WL，控制访问–WL=0（保持操作）、WL=1（读/写操作）
  • 使用寿命长

SRAM的应用

  • 计算机
  • 工作站
  • 路由器
  • LCD屏幕和打印机
  • 电子产品
  • 微处理器

RS 欧时为您提供了不同品牌的SRAM，如赛普拉斯、美信半导体、微芯等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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