Infineon NPN射频双极晶体管, SOT-343封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流50 mA, 最大集电极-发射电压4.1 V
- RS 库存编号 827-5154
- 制造商零件编号 BFP640ESDH6327XTSA1
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
SiGe 射频双极晶体管，Infineon
来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
该产品的行业包装为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
双极晶体管，Infineon
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大直流集电极电流 | 50 mA |
| 最大集电极-发射极电压 | 4.1 V |
| 封装类型 | SOT-343 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大集电极-基极电压 | 4.8 V |
| 最大发射极-基极电压 | 0.5 V |
| 最大工作频率 | 45 GHz |
| 引脚数目 | 4 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
200 现货库存，2024-05-01 发货。
25 海外库存，在5工作日内到达本地仓库并发货
单价（不含税） /个 (每包:25个)
原价
RMB76.95
RMB
2.77
(不含税)
RMB
3.13
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
25 - 25
RMB2.77
RMB69.25
50 - 225
RMB2.687
RMB67.175
250 - 475
RMB2.606
RMB65.15
500 - 975
RMB2.528
RMB63.20
1000 +
RMB2.452
RMB61.30
* 参考价格
包装方式：
