密度 2 MB 电压 2.3 - 3.6 V 速度 104 MHz 封装 150 mil SOIC\VSOP 封装 WSON 5 x 6 mm 封装 USON 2 x 3 mm
单路和双路串行外围接口
统一的 4 KB 可擦除扇区和 32 KB/64 KB 可擦除块
1024 页(256 字节),页编程时间为 0.4 mS(典型值)
快速读取 (0 Bh)、快速读取双路输出 (3 Bh) 和快速读取双路 I/O (BBh) 指令
时钟工作频率高达 104 MHz(快速读取双路输出时为 208 MHz)
2.3 至 3.6 V 电源
1 mA 有源读取电流、1 μA 断电电流
-40 °C 至 +85 °C 工作范围
单路或双路 I/O 模式中的电子 ID
读取唯一 ID (4 Bh) 指令
硬件和软件写入保护,用于顶部或底部块
易失和非易失状态寄存器位
属性 | 数值 |
---|---|
存储器大小 | 2Mbit |
接口类型 | SPI |
封装类型 | SOIC |
引脚数目 | 8 |
组织 | 256K x 8 |
安装类型 | 表面贴装 |
单元类型 | NOR |
最小工作电源电压 | 2.3 V |
最大工作电源电压 | 3.6 V |
块组织 | 对称 |
长度 | 5mm |
高度 | 1.5mm |
宽度 | 4mm |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm |