密度
S25FS128S - 128 MB ( 16 MB )
S25FS256S - 256 MB ( 32 MB )
串行外围接口( SPI )
SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3
双倍数据速率 (DDR) 选项
扩展寻址: 24 位或 32 位地址选项
串行命令子集和占用空间与 S25FL - A 、 S25FL - K 、 S25FL - P 和 S25FL - S SPI 系列兼容
多 I/O 命令子集和占用空间与 S25FL - P 和 S25FL - S SPI 系列兼容
阅读
命令:正常、快速、双 I/O 、四 I/O 、 DDR Quad
输入/输出
模式:脉冲环绕、连续 (XIP) 、 QPI
串行闪存可发现参数( SFDP )和通用闪存接口( CFI )、了解配置信息
程序
256 或 512 字节的页面编程缓冲器
程序暂停和恢复
自动生成 ECC 内部硬件错误纠正代码,并进行单位错误纠正
擦除
混合扇区选项
地址空间 TOP 或 Bottom 的物理集,包括 8 个 4 KB 扇区和 1 个 32 KB 扇区,其余的所有扇区均为 64 KB 或
地址空间 TOP 或 Bottom 的物理集,包括八个 4 KB 扇区和一个 224 KB 扇区,其余所有扇区均为 256 KB
统一扇区选项
软件的统一 64 KB 或 256 KB 块
与更高密度和未来设备的兼容性
擦除暂停和恢复
擦除状态评估
最少 100 、 000 个程序擦除周期
20 年数据保留、最小值
安全特征
1024 字节的一次性程序 (OTP) 阵列
块保护:
状态寄存器位,用于控制对的保护
对连续的扇区范围进行编程或擦除
硬件和软件控制选项
Advanced Sector Protection ( ASP
由引导代码或密码控制的单个扇区保护
读取访问的密码控制选项
技术
采用 Eclipse ™的 Cypress 65 纳米 MirrorBit? 技术
体系结构
电压
1.7V 至 2.0V
封装(所有无铅)
8 导联 SOIC 208 mil ( SOC008 )—仅限 FS128S
WSON 6 x 5 mm ( WND008 )—仅限 FS128S
WSON 6 x 8 mm ( WNH008 )
16 引线 SOIC 300 mil (仅限 SO3016 - FS256S )
BGA-24 6 x 8 毫米
5 x 5 滚珠( FAB024 )占地面积
4 x 6 滚珠( FAC024 )占地面积
已知良好的芯片和已知测试的芯片
属性 | 数值 |
---|---|
存储器大小 | 128Mbit |
接口类型 | CFI, SPI |
封装类型 | SOIC |
引脚数目 | 8 |
组织 | 16M x 8 位 |
安装类型 | 贴片 |
单元类型 | NOR |
最小工作电源电压 | 1.7 V |
最大工作电源电压 | 2 V |
尺寸 | 5.28 x 5.28 x 1.9mm |