CMOS 3.0 V 内核、具有多用途 I/O
65 纳米 MirrorBit Eclipse 技术
用于读取 / 编程 / 擦除的单电源( VCC )( 2.7 V 至 3.6 V )
多功能 I/O 功能
宽 I/O 电压范围 (VIO) : 1.65 V 至 VCC
x16 数据总线
异步 32 字节页面读取
512 字节编程缓冲区
编程为页面序列图,最多 512 字节
单个单词和多个程序在同一个单词选项上
自动错误检查和纠正( ECC )
内部硬件 ECC 、带单位错误纠正
扇区擦除
统一的 128Kb 部门
程序和擦除操作的暂停和恢复命令
用于确定设备状态的状态寄存器、数据轮询和就绪 / 忙引脚方法
Advanced Sector Protection (ASP)
每个部门的易失性和非易失性保护方法
具有两个可锁定区域的单独 1024 字节一次性程序 (OTP) 阵列
通用闪存接口 (CFI) 参数表
温度范围 / 等级
工业( -40 °C 至 +85 °C )
工业 Plus ( -40 °C 至 +105 °C )
100 、 000 个程序 / 擦除周期
20 年数据保留
包装选项
56 引脚 TSOP
64 球 LAA 强化 BGA 、 13 mm x 11 mm
64 球 LAE 强化 BGA 、 9 毫米 x 9 毫米
56 球 VBU 强化 BGA 、 9 毫米 x 7 毫米
属性 | 数值 |
---|---|
存储器大小 | 1024Mbit |
接口类型 | CFI |
封装类型 | TSOP |
引脚数目 | 56 |
组织 | 128M x 8 位 |
安装类型 | 贴片 |
单元类型 | NOR |
最小工作电源电压 | 2.7 V |
最大工作电源电压 | 3.6 V |
块组织 | 对称 |
长度 | 14.1mm |
高度 | 1.05mm |
宽度 | 18.5mm |
尺寸 | 18.5 x 14.1 x 1.05mm |