Infineon 2Mbit FRAM, 8p, 串行 - SPI接口, 最长随机存取11ns, DFN封装, 256 kB x 8, FM25V20A-DGQ
- RS 库存编号 181-1599
- 制造商零件编号 FM25V20A-DGQ
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
2 兆位铁电随机存取存储器（ F-RAM ）逻辑
组织为 256 K x 8
高耐用性 10 万亿（ 1014 ）读 / 写
121 年数据保留
NoDelay ™写入
Advanced High-Reliability 铁电
超快串行外围接口 (SPI)
频率高达 33 MHz
串行闪存和 EEPROM 的直接硬件更换
支持 SPI 模式 0 （ 0 、 0 ）和模式 3 （ 1 、 1 ）
复杂的写保护方案
使用写保护（ WP ）引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
软件块保护，适用于 1/4 、 1/2 或整个阵列
设备 ID
制造商 ID 和产品 ID
低功耗
33 MHz 时为 3 mA 有效电流
400 A 待机电流
12 A 睡眠模式电流
低压操作： VDD = 2.0 V 至 3.6 V
扩展温度： -40 °C 至 +105 °C
8 引脚薄型双扁平无引线（ DFN ）封装
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 存储器大小 | 2Mbit |
| 组织 | 256 kB x 8 |
| 接口类型 | 串行 - SPI |
| 数据总线宽度 | 8Bit |
| 最长随机存取时间 | 11ns |
| 安装类型 | 贴片 |
| 封装类型 | DFN |
| 引脚数目 | 8 |
| 尺寸 | 6 x 5 x 0.7mm |
| 长度 | 5mm |
| 宽度 | 6mm |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V |
| 高度 | 0.7mm |
| 最高工作温度 | +105 °C |
请致电4008218857，确认RS海外库存数量及货期。
单价（不含税） 个
RMB
111.94
(不含税)
RMB
126.49
(含税)
单位
Per unit
1 - 18
RMB111.94
19 - 36
RMB109.48
37 +
RMB107.12
包装方式：
