逻辑上 64 Kbit FerroElectric 随机存取存储器 (F-RAM)
组织成 8K x 8
高耐受性 10 万亿 (1013) 读 / 写
121 年数据保留(请参阅数据保留和
耐久性表)
NoDelay ™写入
Advanced High - Reliability FerroElectric
非常快速的串行外设接口 (SPI)
高达 16MHz 的频率
直接硬件更换,用于串行闪存和 EEPROM
支持 SPI 模式 0 ( 0 , 0 )和模式 3 ( 1 , 1 )
完善的写保护方案
使用写保护 (WP) PIN 进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
1/4 , 1/2 或整个阵列的软件块保护
低功耗
300 最小激活电流为 1MHz
6 在 +85 收敛时可获得 A (典型值)待机电流
低电压操作: VDD = 3.0V 至 3.6V
汽车 - E 温度: -40 ℃至 +125 ℃
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装
属性 | 数值 |
---|---|
存储器大小 | 64Kbit |
组织 | 8K x 8 位 |
接口类型 | 串行 - SPI |
数据总线宽度 | 8Bit |
最长随机存取时间 | 25ns |
安装类型 | 贴片 |
封装类型 | SOIC |
引脚数目 | 8 |
尺寸 | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
长度 | 4.97mm |
宽度 | 3.98mm |
最大工作电源电压 | 3.6 V |
高度 | 1.48mm |
最高工作温度 | +125 °C |