16 Kbit 铁电随机存取存储器( F-RAM )逻辑组织为 2K x 8
高耐用性 100 万亿( 1014 )读 / 写
151 年数据保留(请参阅第 12 页上的数据保留和耐用性)
NoDelay ™写入
Advanced High-Reliability 铁电
超快串行外围接口 (SPI)
频率高达 20 MHz
串行闪存和 EEPROM 的直接硬件更换
支持 SPI 模式 0 ( 0 、 0 )和模式 3 ( 1 、 1 )
复杂的写保护方案
使用写保护( WP )引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
软件块保护,适用于 1/4 、 1/2 或整个阵列
低功耗
A MHz 时为 200 μ A 活动电流
3 A (典型值)待机电流
低压操作: VDD = 2.7 V 至 3.6 V
C 温度: -40 ̊ C 至 +85 ̊ F
软件包
8 引脚小型集成电路( SOIC )封装
8 引脚薄型双扁平无引线( DFN )封装
属性 | 数值 |
---|---|
存储器大小 | 64Kbit |
组织 | 8K x 8 位 |
接口类型 | I2C |
数据总线宽度 | 8Bit |
最长随机存取时间 | 550ns |
安装类型 | 贴片 |
封装类型 | SOIC |
引脚数目 | 8 |
尺寸 | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
长度 | 4.97mm |
最大工作电源电压 | 3.6 V |
宽度 | 3.98mm |
高度 | 1.48mm |
最高工作温度 | +85°C |