Infineon 256Kbit FRAM, 28p, 并行接口, 最长随机存取70ns, SOIC封装, 32K x 8 位, FM1808B-SG
- RS 库存编号 188-5393
- 制造商零件编号 FM1808B-SG
- 制造商 Infineon
FRAM，Cypress Semiconductor
铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM，用于串行和并行接口。 后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计，并通过了 AEC-Q100 认证。
非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗
256-Kbit FerroElectric 随机存取存储器 (F-RAM) 按逻辑组织为 32K x 8
高耐久性 100 万亿（ 1014 ）读 / 写
151 年数据保留
NoDelay ™写入
Advanced High － Reliability FerroElectric
SRAM 和 EEPROM 兼容
工业标准 32K x 8 SRAM 和 EEPROM 引脚
70ns 访问时间， 130ns 周期时间
优于电池供电的 SRAM 模块
无电池问题
单片可靠性
真正的表面安装解决方案，无需再加工步骤
适用于潮湿，撞击和振动
抗负电压下射
低功耗
活动电流 15 mA （最大）
待机电流 25 μ A （典型值）
电压操作： VDD =4.5 V 至 5.5 V
工业温度： -40 ° C 至 +85 ° C
28 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
FRAM（铁电 RAM）
FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 存储器大小 | 256Kbit |
| 组织 | 32K x 8 位 |
| 接口类型 | 并行 |
| 数据总线宽度 | 8Bit |
| 最长随机存取时间 | 70ns |
| 安装类型 | 贴片 |
| 封装类型 | SOIC |
| 引脚数目 | 28 |
| 尺寸 | 18.11 x 7.62 x 2.37mm |
| 长度 | 18.11mm |
| 最大工作电源电压 | 5.5 V |
| 宽度 | 7.62mm |
| 高度 | 2.37mm |
| 最高工作温度 | +85°C |
