铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM,用于串行和并行接口。 后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计,并通过了 AEC-Q100 认证。
非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗
256-Kbit FerroElectric 随机存取存储器( F-RAM 逻辑组织为 32K x 8 )
高耐久性 100 万亿( 1014 )读 / 写
151 年数据保留(请参阅数据保留时间表)
NoDelay ™写入
Advanced High - Reliability FerroElectric
快速双线串行接口 (I2C)
频率高达 3.4-MHz [1]
串行 EEPROM 的直接硬件更换
支持 100kHz 和 400kHz 的传统计时
设备 ID
制造商 ID 和产品 ID
低功耗
100 kHz 时为 175 μ A 有源电流
150 μ A 待机电流
8 μ A 睡眠模式电流
低电压操作: VDD = 2.0 V 至 3.6 V
工业温度: -40 ° C 至 +85 ° C
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装
FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
属性 | 数值 |
---|---|
存储器大小 | 256Kbit |
组织 | 32K x 8 位 |
接口类型 | I2C |
数据总线宽度 | 8Bit |
最长随机存取时间 | 450ns |
安装类型 | 贴片 |
封装类型 | SOIC |
引脚数目 | 8 |
尺寸 | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
长度 | 4.97mm |
宽度 | 3.98mm |
最大工作电源电压 | 3.6 V |
高度 | 1.48mm |
最高工作温度 | +85°C |